巨量转移方法、显示面板及其制备方法与流程

本申请涉及半导体加工，特别是涉及一种巨量转移方法、显示面板及其制备方法。

背景技术：

1、在半导体制造领域，晶粒经裂片后需从源基板转移至目标基板，并按预设位置排布，该过程称为巨量转移。裂片后的晶粒通常尺寸小、数量多、易受机械和热损伤，因此巨量转移对精度、可靠性和效率要求较高。该工序广泛应用于micro led显示、微显示及先进封装等领域，直接影响最终产品的良率与性能。

2、目前，巨量转移主要采用弹性印章转移、静电吸附、流体自组装、激光转移和滚轮转印等技术路线。其中，弹性印章转移利用聚合物印章的粘附力拾取和释放晶粒，但印章受热变形会引起对位偏差，多次使用后粘附力下降。流体自组装转移依靠流体驱动晶粒定位，效率较高，但定位精度难以满足高密度阵列要求。激光转移可实现选择性转移，但激光热效应可能损伤微米级晶粒。滚轮转印通过滚压方式转移晶粒，具有一定效率，但晶粒受力不均匀，容易产生位置偏移。

3、目前的转移方式存在转移后位置精度不足以及可靠性不足导致转移过程中晶粒掉落等问题。位置精度不足会使晶粒偏离目标电极或焊盘，造成电连接不良或失效；晶粒掉落则导致阵列缺粒，降低产品完整性和良率。上述问题最终导致半导体产品性能不佳，亟待改善。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对目前巨量转移方法的转移精度及转移可靠性问题，提供一种巨量转移方法、显示面板及其制备方法。

2、本申请一方面提供一种巨量转移方法，所述巨量转移方法用于半导体晶粒的巨量转移，所述巨量转移方法包括：提供中转基板；将所述晶粒批量转移至所述中转基板；检测所述中转基板处的所有所述晶粒，获得第一检测信息；其中所述第一检测信息包括所述晶粒的外观信息及其位置坐标信息；根据所述第一检测信息判断所述中转基板处的各所述晶粒是否合格；若不合格，根据特定不合格的所述晶粒的所述位置坐标信息替换所述不合格的晶粒，直至所述中转基板的所有所述晶粒均合格；执行多次上述步骤，得到多个承载有所述晶粒的所述中转基板；将多个所述中转基板处的所述晶粒转移至目标基板。

3、在其中一个实施例中，提供待补料的外观合格的晶粒，所述替换所述不合格的晶粒包括：标记所述不合格的晶粒的实际坐标；根据所述不合格的晶粒的实际坐标移除所述不合格的晶粒；将所述待补料的外观合格的晶粒补入标记的所述实际坐标对应的预期坐标。

4、在其中一个实施例中，所述根据特定不合格的所述晶粒的所述位置坐标信息替换所述不合格的晶粒后，还包括：再次检测替换后的所述晶粒的所述第一检测信息并判断所述替换后的晶粒是否合格，直至所述中转基板的所有所述晶粒均合格。

5、在其中一个实施例中，所述根据所述第一检测信息判断所述中转基板处的各所述晶粒是否合格包括位置判断，所述位置判断包括：根据所述位置坐标信息判断预期坐标处是否存在所述晶粒；若不存在所述晶粒则位置不合格；若存在所述晶粒，根据所述位置坐标信息判断所述晶粒的实际坐标与所述预期坐标的位置偏差是否小于第一偏差阈值；若所述位置偏差大于所述第一偏差阈值，则位置不合格；若所述位置偏差小于或等于所述第一偏差阈值，则位置合格。

6、在其中一个实施例中，所述第一偏差阈值小于或等于5μm。

7、在其中一个实施例中，所述根据所述第一检测信息判断所述中转基板处的各所述晶粒是否合格包括外观判断，所述外观判断包括：根据所述外观信息判断所述晶粒是否存在外观缺陷；若存在外观缺陷则外观不合格；若不存在外观缺陷则外观合格；所述位置合格及所述外观合格则晶粒合格。

8、在其中一个实施例中，所述得到多个承载有所述晶粒的所述中转基板的步骤中，至少部分得到所述承载有所述晶粒的所述中转基板的步骤同步执行。

9、在其中一个实施例中，所述将多个所述中转基板处的所述晶粒转移至所述目标基板后，还包括：检测所述目标基板处的所有所述晶粒，获得第二检测信息，其中所述第二检测信息包括所述晶粒的外观信息及其位置信息；根据所述第二检测信息判断所述目标基板处的各所述晶粒是否合格；若不合格，根据特定不合格的所述晶粒的所述位置信息修复所述不合格的晶粒，直至所述目标基板的所有所述晶粒均合格。

10、在其中一个实施例中，在将多个所述中转基板处的所述晶粒转移至所述目标基板后，及检测所述目标基板处的所有所述晶粒之前，所述巨量转移方法还包括：使所述晶粒与所述目标基板键合。

11、在其中一个实施例中，所述中转基板被配置为硼硅酸盐玻璃基板、硅片、蓝宝石板以及陶瓷基板中任一种。

12、在其中一个实施例中，所述中转基板表面涂覆有粘接层，用于粘附所述晶粒。

13、本申请第二方面还提供一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：提供晶圆；对所述晶圆裂片，得到巨量晶粒；根据如上所述的巨量转移方法将所述巨量晶粒转移至所述目标基板；封装所述晶粒及所述目标基板。

14、在其中一个实施例中，所述对晶圆裂片包括提供晶圆切割膜作为裂片载体，在裂片后以及巨量转移所述晶粒前，所述制备方法还包括：对所述晶圆切割膜进行扩晶，以提高所述晶圆切割膜处的所述晶粒的间距；对扩晶后的所述晶粒进行重新排布。

15、本申请第三方面还提供一种显示面板，所述显示面板通过如上所述的巨量转移方法制备；或者，所述显示面板通过如上所述的制备方法制备。

16、上述巨量转移方法，将晶粒转移至目标基板的操作配置为分段执行，即所有晶粒先以相对小批量的形式转移至多个中转基板，再将多个中转基板处的巨量晶粒一并转移至目标基板。由此，在将相同数量晶粒转移至目标基板的情况下，第一段转移步骤中转移至同一中转基板的晶粒数量相对更少，便于保证转移精度，并延缓粘附力衰减，降低晶粒掉落风险。

17、在此基础上，本申请提供的巨量转移方法还配置检测步骤，以对转移至中转基板后的晶粒进行检测，并根据检测结果对中转基板处的晶粒执行更换操作，依此可降低中转基板上晶粒本身存在外观瑕疵或晶粒位置存在偏差的风险。如此设置，在第一段转移步骤中减少晶粒的缺陷瑕疵并降低位置偏移，可避免多个中转基板处的晶粒转移至目标基板后存在外观缺陷及降低位置偏差累积，提高所得到的显示面板的良品率。并且，检测所得到的第一检测信息不仅包括晶粒本身的外观信息，还包括晶粒的位置坐标信息，因此在执行更换操作时能够以晶粒的位置坐标为根据，提高更换操作的便捷性及更换转移的精度。同时，在第一段转移步骤中获取晶粒坐标后，该坐标可作为各个步骤的定位基准，便于建立统一的位置系统。

1.一种巨量转移方法，用于半导体晶粒的巨量转移，其特征在于，所述巨量转移方法包括：

2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，提供待补料的外观合格的晶粒，所述替换所述不合格的晶粒包括：

3.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述根据特定不合格的所述晶粒的所述位置坐标信息替换所述不合格的晶粒后，还包括：再次检测替换后的所述晶粒的所述第一检测信息并判断所述替换后的晶粒是否合格，直至所述中转基板的所有所述晶粒均合格。

4.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述根据所述第一检测信息判断所述中转基板处的各所述晶粒是否合格包括位置判断，所述位置判断包括：

5.根据权利要求4所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一偏差阈值小于或等于5μm。

6.根据权利要求4所述的巨量转移方法，其特征在于，所述根据所述第一检测信息判断所述中转基板处的各所述晶粒是否合格包括外观判断，所述外观判断包括：

7.根据权利要求1至6任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述得到多个承载有所述晶粒的所述中转基板的步骤中，至少部分得到所述承载有所述晶粒的所述中转基板的步骤同步执行。

8.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述将多个所述中转基板处的所述晶粒转移至所述目标基板后，还包括：

9.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在将多个所述中转基板处的所述晶粒转移至所述目标基板后，及检测所述目标基板处的所有所述晶粒之前，所述巨量转移方法还包括：使所述晶粒与所述目标基板键合。

10.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述中转基板被配置为硼硅酸盐玻璃基板、硅片、蓝宝石板以及陶瓷基板中任一种；和/或

11.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述对晶圆裂片包括提供晶圆切割膜作为裂片载体，在裂片后以及巨量转移所述晶粒前，所述制备方法还包括：

13.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板通过如权利要求1至10任意一项所述的巨量转移方法制备；或者