声表面波滤波器及其制造方法、电子设备与流程

本申请涉及半导体，具体而言涉及一种声表面波滤波器及其制造方法、电子设备。

背景技术：

1、表面声波（surface acoustic wave，saw）滤波器在射频发射和接收系统中发挥着重要作用。然而，传统基于叉指换能器（interdigital transducer，idt）和压电衬底的声表面波滤波器通常会随着环境温度的变化而发生较大的频率漂移，从而导致相邻频段之间产生信号干扰。

2、为了克服上述技术缺陷，现有技术通常采用溅射工艺，在形成有叉指换能器的压电衬底上沉积一层具有低热膨胀系数的材料（如二氧化硅）作为温度补偿层，以此构建温度补偿型声表面波滤波器（temperature compensated saw，tc-saw）。该方案利用温度补偿层的热学特性抵消压电材料因温度变化产生的频率漂移，从而提升器件的温度稳定性，防止相邻频段之间出现信号干扰。

3、但是，直接采用溅射工艺在压电衬底上沉积温度补偿层，形成的温度补偿层的形貌和致密性较差。并且，随着溅射厚度的增加和工艺时间的延长，溅射过程中极易产生粉尘并引入微观缺陷，进而对器件的性能产生不利影响。

技术实现思路

1、在 技术实现要素： 部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

2、针对目前存在的问题，本申请提供一种声表面波滤波器，包括：

3、提供压电衬底，并在所述压电衬底上形成叉指换能器；

4、通过沉积工艺形成覆盖所述压电衬底及所述叉指换能器的温度补偿薄膜；

5、提供温度补偿基片，所述温度补偿基片包括温度补偿介质层，将所述温度补偿介质层与所述温度补偿薄膜背离所述压电衬底的一面进行键合，以使所述温度补偿薄膜与所述温度补偿介质层共同构成温度补偿层。

6、在本申请的一些实施例中，所述沉积工艺包括溅射工艺。

7、在本申请的一些实施例中，所述温度补偿薄膜的材质包括二氧化硅。

8、在本申请的一些实施例中，所述温度补偿基片包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的热氧化硅层，所述温度补偿介质层为所述热氧化硅层。

9、在本申请的一些实施例中，在所述将所述温度补偿介质层与所述温度补偿薄膜背离所述压电衬底的一面进行键合的步骤之后，还包括：去除所述硅衬底。

10、在本申请的一些实施例中，所述压电衬底的材质包括石英、氮化铝、蓝宝石、铌酸锂与钽酸锂中的至少一种。

11、本申请再一方面提供一种声表面波滤波器，包括：

12、压电衬底；

13、叉指换能器，设置于所述压电衬底上；

14、温度补偿层，所述温度补偿层包括覆盖所述压电衬底及所述叉指换能器的温度补偿薄膜，以及与所述温度补偿薄膜背离所述压电衬底的一面键合连接的温度补偿介质层。

15、在本申请的一些实施例中，所述温度补偿薄膜的材质包括二氧化硅。

16、在本申请的一些实施例中，所述温度补偿介质层包括热氧化硅层。

17、本申请再一方面提供一种电子设备，包括上述中任一项所述的声表面波滤波器。

18、本申请的声表面波滤波器及其制造方法、电子设备，通过将温度补偿介质层与温度补偿薄膜背离压电衬底的一面进行键合以共同构成温度补偿层，避免了现有技术中因长时间溅射沉积温度补偿层容易引发的粉尘现象，抑制了微观缺陷的产生，所形成的温度补偿层具有更为优异的形貌与致密性，进而能够提供更加出色的温度补偿效果，从而有效提升声表面波滤波器的频率温度系数并显著改善器件的性能与良率。

1.一种声表面波滤波器的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述沉积工艺包括溅射工艺。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述温度补偿薄膜的材质包括二氧化硅。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述温度补偿基片包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的热氧化硅层，所述温度补偿介质层为所述热氧化硅层。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述将所述温度补偿介质层与所述温度补偿薄膜背离所述压电衬底的一面进行键合的步骤之后，还包括：去除所述硅衬底。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述压电衬底的材质包括石英、氮化铝、蓝宝石、铌酸锂与钽酸锂中的至少一种。

7.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述温度补偿薄膜的材质包括二氧化硅。

9.如权利要求7所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述温度补偿介质层包括热氧化硅层。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求7~9中任一项所述的声表面波滤波器。