半导体器件的制备方法、半导体器件与流程

本发明涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的制备方法、半导体器件。

背景技术：

1、 碳化硅（sic）等宽禁带半导体材料，因其优异的高温性能、化学稳定性和电子特性而广泛应用于电力电子、汽车、航空航天等领域。

2、相关技术中的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet）具有电流密度大、单元间距小等优点。然而，相关技术的碳化硅mosfet的载流子迁移率较低，导通电阻较大，也即碳化硅mosfet的性能有待提升。

技术实现思路

1、本发明提供了一种半导体器件的制备方法、半导体器件，以提高半导体器件的载流子迁移率，降低导通电阻。

2、根据本发明的一方面，提供了一种半导体器件的制备方法，包括：

3、提供半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；所述半导体本体包括多个元胞；

4、获取所述半导体本体的厚度分布信息；所述厚度分布信息包括所述半导体本体的多个扫描驻留区域的厚度值；

5、根据所述厚度分布信息对所述第一表面进行扫描式减薄；其中，在所述扫描式减薄过程中，减薄工艺依次作用于多个所述扫描驻留区域，且所述减薄工艺的驻留时间与所述扫描驻留区域的厚度值负相关；

6、在经所述扫描式减薄后的所述第一表面形成栅极绝缘层；

7、在所述栅极绝缘层上形成栅极。

8、可选地，所述减薄工艺包括：

9、采用离子束对所述第一表面进行刻蚀。

10、可选地，所述离子束包括氩离子束。

11、可选地，所述扫描驻留区域的外接圆的直径，小于所述半导体本体的外接圆的直径。

12、可选地，所述多个扫描驻留区域划分为多行扫描驻留区域；

13、所述根据所述厚度分布信息对所述第一表面进行扫描式减薄包括：

14、对多行所述扫描驻留区域逐行扫描，且相邻两行所述扫描驻留区域对应的扫描方向相反。

15、可选地，所述驻留时间为预设时间的整数倍。

16、可选地，在根据所述厚度分布信息对所述第一表面进行扫描式减薄时还包括：

17、在利用所述减薄工艺减薄所述扫描驻留区域后，检测扫描驻留区域减薄后的实际厚度；

18、在所述扫描驻留区域的实际厚度不满足目标减薄要求的情况下，根据所述扫描驻留区域的实际厚度在所述扫描驻留区域执行所述减薄工艺。

19、可选地，所述获取所述半导体本体的厚度分布信息包括：

20、测量所述半导体本体的多个预设测量点位的厚度；

21、根据同一所述扫描驻留区域的多个所述预设测量点位的厚度，拟合所述扫描驻留区域的厚度值。

22、可选地，在所述栅极绝缘层上形成栅极之后还包括：

23、在所述第一表面形成源极，以及在所述第二表面形成漏极。

24、根据本发明的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件由如上所述的半导体器件的制备方法制备。

25、本发明实施例的技术方案，采用的半导体器件的制备方法包括提供半导体本体，半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体包括多个元胞；获取半导体本体的厚度分布信息；厚度分布信息包括半导体本体的多个扫描驻留区域的厚度值；根据厚度分布信息对第一表面进行扫描式减薄；其中，在扫描式减薄过程中，减薄工艺依次作用于多个扫描驻留区域，且减薄工艺的驻留时间与扫描驻留区域的厚度值负相关；在经扫描式减薄后的第一表面形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极。通过对第一表面进行减薄处理，使得第一表面更为平整，从而可以提高半导体器件的载流子迁移率，降低导通电阻。此外，减薄方式为扫描式减薄，可以精准的对扫描驻留区域进行针对性的减薄，最终达到全局的平坦化；由于不是全局同时减薄，同一时间只作用在一个区域，可以避免严重的热积累等问题，从而保证半导体本体的稳定性。

26、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述减薄工艺包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子束包括氩离子束。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述扫描驻留区域的外接圆的直径，小于所述半导体本体的外接圆的直径。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述多个扫描驻留区域划分为多行扫描驻留区域；

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述驻留时间为预设时间的整数倍。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在根据所述厚度分布信息对所述第一表面进行扫描式减薄时还包括：

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述获取所述半导体本体的厚度分布信息包括：

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层上形成栅极之后还包括：

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件由权利要求1-9任一项所述的半导体器件的制备方法制备。