显示面板及其制备方法、显示装置与流程

本技术涉及显示设备，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

1、有机发光二极管(oragnic light emitting diode，oled)显示面板以及利用发光二极管(light emitting diode，led)器件的显示面板等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置的主流。

2、但是目前的oled产品的使用性能有待提升。

3、引证文件专利cn118251982a、cn115666161a、cn116648095a、cn117062489a、cn118678742a、cn118785761a、cn115224220a、cn118678729a、cn118660529a、cn118660589a记载了无精细金属掩模技术的相关内容，以供参考。

技术实现思路

1、本技术实施例提供了一种显示面板及其制备方法，能够改善用于屏下传感器区域实现透光作用的透光孔导致显示信号和触控信号串扰的问题。

2、第一方面，本技术实施例提供了一种显示面板，包括：阵列基板；第一电极层，位于阵列基板一侧，第一电极层包括至少一个第一电极；像素定义层，位于第一电极层远离阵列基板一侧，包括像素定义部和由像素定义部围合形成的像素开口，像素开口在阵列基板上的正投影与第一电极至少部分交叠；隔离结构，位于像素定义层远离第一电极层一侧，包括隔离部和由隔离部围合形成的隔离开口及透光开口，隔离部包括在远离阵列基板方向上层叠设置的第一子层和第二子层，隔离开口与像素开口至少部分交叠；屏蔽部，位于像素定义层远离第一电极一侧，屏蔽部与第一子层同层设置，且屏蔽部在阵列基板上的正投影与透光开口在阵列基板上的正投影至少部分交叠；触控层，位于隔离结构远离像素定义层一侧，触控层包括多个触控单元，触控单元在阵列基板上的正投影与屏蔽部在阵列基板上的正投影至少部分交叠。

3、本技术第一方面实施例所提供的显示面板通过优化隔离结构设计，有效解决了屏下感光传感器区域因透光孔导致的触控信号与显示信号间射频干扰问题。

4、本技术第一方面实施例所提供的显示面板至少包括下述有益效果：

5、首先，通过隔离结构包含层叠设置的第一子层和第二子层，其中屏蔽部与第一子层同层设置，且与透光开口在阵列基板上的正投影交叠，屏蔽部在透光开口实现屏蔽作用，阻断触控层的触控单元与第一电极层的第一电极之间的寄生电容路径，显著降低显示信号与触控信号之间的射频干扰。

6、其次，隔离部通过隔离开口与像素开口交叠，确保显示面板的光学显示性能不受影响，而透光开口的投影交叠设计同时兼顾了屏下传感器区域的透光需求，实现了高透光性与信号屏蔽的平衡，解决了传统工艺中因透光孔导致触控层的误报点问题。

7、根据本技术第一方面实施例中的任一实施方式，第一子层和屏蔽部制备材料包括透光导电材料；

8、根据本技术第一方面实施例中的任一实施方式，第一子层和屏蔽部制备材料为铟锌氧化物；

9、根据本技术第一方面实施例中的任一实施方式，第一子层和屏蔽部制备材料为铟锡氧化物；

10、根据本技术第一方面实施例中的任一实施方式，隔离结构还包括第三子层，第三子层设置于第二子层背离阵列基板的一侧，第三子层相对第二子层朝向隔离开口凸出设置；

11、根据本技术第一方面实施例中的任一实施方式，第一子层相对第二子层朝向隔离开口凸出设置；

12、根据本技术第一方面实施例中的任一实施方式，相对于第二子层朝向隔离开口凸出设置的部分第一子层的厚度尺寸小于与第二子层相交叠的另一部分第一子层的厚度尺寸；

13、根据本技术第一方面实施例中的任一实施方式，相对于第二子层朝向隔离开口凸出设置的部分第一子层的厚度尺寸小于屏蔽部的厚度尺寸；

14、根据本技术第一方面实施例中的任一实施方式，与像素开口相交叠的部分第一电极的厚度尺寸与像素定义部相交叠的另一部分第一电极的厚度尺寸一致；

15、第二方面，本技术实施例提供了一种显示面板的制备方法，包括：

16、在阵列基板一侧制备第一电极层，第一电极层包括至少一个第一电极；

17、在第一电极层远离阵列基板一侧制备像素定义材料层；

18、在像素定义材料层远离第一电极层一侧制备隔离结构，隔离结构包括屏蔽部、隔离部和由至少部分隔离部围合形成的隔离开口及透光开口，隔离开口在阵列基板上的正投影与第一电极至少部分交叠，隔离部包括在远离阵列基板方向上依次制备形成的第一子层和第二子层，至少部分第一子层保留在透光开口位置处并形成屏蔽部，屏蔽部在阵列基板上的正投影与透光开口在阵列基板上的正投影至少部分交叠；

19、在隔离结构远离像素定义材料层一侧制备触控单元形成触控层，触控单元在阵列基板上的正投影与屏蔽部在阵列基板上的正投影至少部分交叠。

20、根据本技术第二方面实施例中的任一实施方式，在像素定义材料层远离第一电极层一侧制备隔离结构的步骤中还包括:

21、在像素定义材料层背离阵列基板的一侧设置隔离结构材料层；

22、在隔离结构材料层背离阵列基板的一侧设置第一光刻胶材料层；

23、采用第一半色调掩膜板对第一光刻胶材料层进行图案化处理得到第一光刻胶层，以在第一区域形成第一过孔，在第二区域形成凹槽；

24、利用第一光刻胶层对隔离材料层进行图案化处理得到隔离结构，以在第一区域形成隔离开口，在第二区域形成透光开口，至少部分屏蔽部于透光开口裸露；

25、根据本技术第二方面实施例中的任一实施方式，利用第一光刻胶层对隔离材料层进行图案化处理隔离结构的步骤中还包括：

26、刻蚀由第一过孔露出的部分隔离结构材料层，形成隔离预开口；

27、减薄第一光刻胶层，第二区域处凹槽内的第一光刻胶层去除并形成第二过孔；

28、刻蚀由第二过孔露出的部分隔离结构材料层，形成隔离开口及透光开口，得到隔离结构；

29、去除第一光刻胶层；

30、根据本技术第二方面实施例中的任一实施方式，隔离结构材料层包括第一子材料层和第二子材料层，刻蚀由第一过孔露出的部分隔离结构材料层并形成隔离开口的步骤中还包括：

31、采用干法刻蚀第一过孔位置处的部分第二子材料层，形成隔离预开口；

32、采用湿法刻蚀第一过孔位置处的部分第二子材料层；

33、根据本技术第二方面实施例中的任一实施方式，刻蚀由第二过孔露出的部分隔离结构材料层并形成透光开口的步骤中还包括：

34、采用干法刻蚀第二过孔位置处的部分第二子材料层，并保留部分第二子材料层；

35、采用湿法刻蚀第一过孔位置处的第一子材料层，形成隔离开口；

36、采用显影液刻蚀第二过孔位置处的剩余部分第二子材料层，形成透光开口，位于透光开口位置处的屏蔽部由透光开口露出；

37、根据本技术第二方面实施例中的任一实施方式，采用湿法刻蚀第一过孔位置处的第一子材料层的步骤中还包括：

38、采用包含草酸的复合溶液对第一过孔位置处的第一子材料层进行刻蚀；

39、根据本技术第二方面实施例中的任一实施方式，隔离结构材料层还包括第三子材料层，采用湿法刻蚀第一过孔位置处的部分第二子材料层的步骤中还包括：

40、采用湿法刻蚀第一过孔位置处的部分第三子材料层，第二子材料层的刻蚀选择比高于第三子材料层的刻蚀选择比，第三子材料层相对第二子材料层朝向隔离预开口凸出设置；

41、根据本技术第二方面实施例中的任一实施方式，采用第一半色调掩膜板对第一光刻胶材料层进行图案化处理得到第一光刻胶层的步骤中还包括：

42、在第一光刻胶材料层远离隔离结构材料层一侧设置第一半色调掩膜板，第一半色调掩膜板包括透光区和半透光区，透光区与隔离开口制备位置处对应设置，半透光区与透光开口制备位置处对应设置；

43、在第一半色调掩膜板远离光刻胶层一侧进行光照；

44、通过显影液对光刻胶层对应半透光区及透光区的区域进行显影，光刻胶层对应透光区在第一区域形成第一过孔，光刻胶层对应半透光区在第二区域形成凹槽；

45、根据本技术第二方面实施例中的任一实施方式，显影液包括四甲基氢氧化铵；

46、根据本技术第二方面实施例中的任一实施方式，减薄光刻胶层的步骤中还包括：对第一光刻胶层进行灰化处理。

47、根据本技术第二方面实施例中的任一实施方式，阵列基板包括显示区和环绕显示区设置的非显示区，在第一电极层远离阵列基板一侧制备像素定义层的步骤中还包括：

48、在第一电极层远离阵列基板一侧制备像素定义材料层；

49、在像素定义材料层背离阵列基板的一侧设置第二光刻胶材料层；

50、采用第二半色调掩膜板对第二光刻胶材料层进行图案化处理得到第二光刻胶层，以在第三区域形成第三过孔，在第四区域形成第四过孔，第三区域位于显示区，第四区域位于非显示区；

51、利用第二光刻胶层对像素定义材料层进行图案化处理，以在第三区域形成像素开口，在第四区域形成连接开口；

52、根据本技术第二方面实施例中的任一实施方式，在第一电极层远离阵列基板一侧制备像素定义层的步骤中包括：

53、在第一电极层远离阵列基板一侧制备像素定义材料层；

54、在像素定义材料层远离第一电极层一侧制备隔离结构的步骤之后还包括：

55、在像素定义材料层背离阵列基板的一侧设置第二光刻胶材料层；

56、采用第二半色调掩膜板对第二光刻胶材料层进行图案化处理得到第二光刻胶层，以在第三区域形成第三过孔，在第四区域形成第四过孔，第三区域位于显示区，第四区域位于非显示区；

57、利用第二光刻胶层对像素定义材料层进行图案化处理，以在第三区域形成像素开口，在第四区域形成连接开口；

58、第三方面，本技术实施例提供一种显示装置，包括本技术第一方面实施例中的任一项所提供的显示面板，或者由本技术第二方面实施例中的任一项所提供的显示面板的制备方法制备形成的显示面板。