具有氢阻挡层的无电容器半导体存储器件的制作方法

本公开的实施例涉及一种无电容器半导体存储器件。

背景技术：

1、半导体存储器件具有用于存储数据的元件。随着半导体存储器件集成度的提高，用于存储数据的电容器的体积所占比例显著增加。因此，无电容器半导体存储器件被提出。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了无电容半导体存储器件的存储单元，其具有能够俘获氢原子的氢阻挡层。

2、根据本公开的一个实施例，无电容器半导体存储器件的存储单元包括：设置在底层之上的下绝缘层；设置在下绝缘层之上的写入晶体管；设置在写入晶体管之上的读取晶体管；以及设置在读取晶体管之上的上绝缘层。上绝缘层包括第一上绝缘层；设置在第一上绝缘层之上的上氢阻挡层；以及设置在上氢阻挡层之上的第二上绝缘层。上氢阻挡层包含金属有机骨架。

3、根据本公开的一个实施例，无电容器半导体存储器件的存储单元包括：设置在底层之上的下绝缘层；设置在下绝缘层之上的写入晶体管；设置在写入晶体管之上的读取晶体管；以及设置在读取晶体管之上的上绝缘层。下绝缘层包括第一下绝缘层；设置在第一下绝缘层之上的下氢阻挡层；以及设置在下氢阻挡层之上的第二下绝缘层。下氢阻挡层包含金属有机骨架。

4、根据本公开的一个实施例，无电容器半导体存储器件包括：外围电路层；以及堆叠在外围电路层之上的存储单元层。外围电路层包括多个晶体管、多个接触插塞和多个水平互连。存储单元层包括沿水平方向排列的多个存储单元。所述多个存储单元中的每个存储单元包括下绝缘层；设置在下绝缘层之上的写入晶体管；设置在写入晶体管之上的读取晶体管；以及设置在读取晶体管之上的上绝缘层。下绝缘层包括下氢阻挡层。上绝缘层包括上氢阻挡层。

5、通过结合附图的以下详细描述，本公开的实施例的这些和其他特征和优点对于本领域技术人员来说将变得显而易见。

1.一种无电容器半导体存储器件的存储单元，所述存储单元包括：

2.根据权利要求1所述的存储单元，其中：

3.根据权利要求2所述的存储单元，其中，每个所述金属节点包括锌zn、钴co、铜cu、镍ni、铂pt、钯pd、锰mn、氧化锌zno、氧化钴coo、氧化钯pdo或氧化锰mno中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述第一上绝缘层和所述第二上绝缘层均包括氧化硅基绝缘层、氮化硅基绝缘层或氮氧化硅基绝缘层中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述下绝缘层包括：

6.根据权利要求5所述的存储单元，其中，所述上氢阻挡层包含所述金属有机骨架。

7.根据权利要求5所述的存储单元，其中，所述第一下绝缘层和所述第二下绝缘层均包括氧化硅基绝缘层、氮化硅基绝缘层或氮氧化硅基绝缘层中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述写入晶体管包括：

9.根据权利要求8所述的存储单元，其中，所述读取晶体管包括：

10.根据权利要求9所述的存储单元，其中：

11.根据权利要求9所述的存储单元，其中，所述写入沟道层和所述读取沟道层均包括掺杂多晶硅、金属氧化物层或二维过渡金属硫族化物材料层中的至少一种。

12.根据权利要求11所述的存储单元，其中，所述写入沟道层和所述读取沟道层包括氧化铟in2o3层、掺杂钛ti的氧化铟in2o3层、掺杂钨w的氧化铟in2o3层、掺杂硅si的氧化铟in2o3层、氧化铟镓锌igzo、掺杂硅镓的氧化锌sgzo、氧化锌zno或氧化铟镓igo中的至少一种。

13.根据权利要求9所述的存储单元，其中，所述写入栅极介电层和所述读取栅极介电层均包括氧化铪层、氧化锆层或氧化铝层中的至少一种。

14.根据权利要求8所述的存储单元，其中：

15.根据权利要求1所述的存储单元，其中：

16.一种无电容器半导体存储器件的存储单元，所述存储单元包括：

17.一种无电容器半导体存储器件，包括：

18.根据权利要求17所述的无电容器半导体存储器件，其中：

19.根据权利要求17所述的无电容器半导体存储器件，其中，所述下氢阻挡层和所述上氢阻挡层均包含金属有机骨架。

20.根据权利要求19所述的无电容器半导体存储器件，其中：