太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片与流程

本公开涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片。

背景技术：

1、目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳能电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳能电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。

2、太阳能电池片的光电转换效率是用于衡量太阳能电池片性能的重要指标之一，因此，有必要提高太阳能电池片的光电转换效率。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片，至少可以提高太阳能电池片的光电转换效率。

2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种太阳能电池片的制作方法，包括：提供基底；在所述基底的一侧形成非晶硅层；进行第一掺杂处理，所述第一掺杂处理诱导所述非晶硅层转换为初始多晶硅层，所述初始多晶硅层内含有多个晶核；进行第二掺杂处理，所述第二掺杂处理将所述初始多晶硅层转换为掺杂导电层，且所述第二掺杂处理期间，所述晶核增大变为晶粒；形成钝化层，所述钝化层位于所述掺杂导电层远离所述基底的一侧表面。

3、在一些实施例中，所述第一掺杂处理包括：第一升温阶段，所述第一升温阶段将所述第一掺杂处理的工艺温度升至第一预设温度；第一恒温阶段，所述第一恒温阶段将所述第一掺杂处理的工艺温度保持在所述第一预设温度；其中，在所述第一升温阶段及所述第一恒温阶段期间通入掺杂源气体。

4、在一些实施例中，所述第一升温阶段的工艺参数包括：掺杂源气体的气体流量为50sccm~80sccm，氧气的气体流量为100sccm~150sccm，时间100s~300s。

5、在一些实施例中，所述第一恒温阶段的工艺参数包括：工艺温度850℃~900℃，掺杂源气体的气体流量为50sccm~80sccm，氧气的气体流量为100sccm~150sccm，时间500s~600s。

6、在一些实施例中，所述第二掺杂处理包括：第二升温阶段，所述第二升温阶段将所述第二掺杂处理升温至第二预设温度，所述第二预设温度大于所述第一掺杂处理的最大工艺温度；第二恒温阶段，所述第二恒温阶段将所述第二掺杂处理的工艺温度保持在所述第二预设温度；其中，在所述第二升温阶段及所述第二恒温阶段期间通入掺杂源气体。

7、在一些实施例中，所述第二掺杂处理通入的掺杂源气体的气体流量大于所述第一掺杂处理通入的掺杂源气体的气体流量。

8、在一些实施例中，所述第二升温阶段的工艺参数包括：掺杂源气体的气体流量为200sccm~500sccm，氧气的气体流量为8000sccm~20000sccm，时间1200s~2000s。

9、在一些实施例中，所述第二恒温阶段的工艺参数包括：工艺温度870℃~960℃，掺杂源气体的气体流量为200sccm~500sccm，氧气的气体流量为8000sccm~20000sccm，时间1200s~2000s。

10、在一些实施例中，所述第一掺杂处理形成的所述初始多晶硅层的方阻为700ω/sq~1000ω/sq，所述第二掺杂处理形成的所述掺杂导电层的掺杂浓度为5e19atoms/cm3~9e19atoms/cm3。

11、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种太阳能电池片，采用如上述太阳能电池片的制作方法形成。

12、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：通过第一掺杂处理，在非晶硅层内形成晶核，增加非晶硅层的晶化程度，而且晶核可以降低掺杂离子的激活能，便于掺杂离子在初始多晶硅层内的扩散，同时，晶核与晶核之间的晶界可以增加掺杂离子的通道，在第二掺杂处理的过程中，由于掺杂离子通道增加，进一步便于掺杂离子扩散的同时，晶核变为晶粒，提高了形成的掺杂导电层的钝化效果。

1.一种太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂处理包括：

3.根据权利要求2所述的太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述第一升温阶段的工艺参数包括：掺杂源气体的气体流量为50sccm~80sccm，氧气的气体流量为100sccm~150sccm，时间100s~300s。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述第一恒温阶段的工艺参数包括：工艺温度850℃~900℃，掺杂源气体的气体流量为50sccm~80sccm，氧气的气体流量为100sccm~150sccm，时间500s~600s。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述第二掺杂处理包括：

6.根据权利要求5所述的太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述第二掺杂处理通入的掺杂源气体的气体流量大于所述第一掺杂处理通入的掺杂源气体的气体流量。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述第二升温阶段的工艺参数包括：掺杂源气体的气体流量为200sccm~500sccm，氧气的气体流量为8000sccm~20000sccm，时间1200s~2000s。

8.根据权利要求5所述的太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述第二恒温阶段的工艺参数包括：工艺温度870℃~960℃，掺杂源气体的气体流量为200sccm~500sccm，氧气的气体流量为8000sccm~20000sccm，时间1200s~2000s。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂处理形成的所述初始多晶硅层的方阻为700ω/sq~1000ω/sq，所述第二掺杂处理形成的所述掺杂导电层的掺杂浓度为5e19atoms/cm3~9e19atoms/cm3。

10.一种太阳能电池片，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的太阳能电池片的制作方法形成。