一种五通道环绕声音频功率放大电路的制作方法

本技术涉及音频功率放大电路，特别涉及一种五通道环绕声音频功率放大电路。

背景技术：

1、目前，音频功率放大电路主要以双通道输出为主，双通道输出是一种能够同时独立放大两个音频信号的工作方式，它能够提供较好的立体声体验，也是当前普遍的音频输出系统。如中国专利公告号cn203896315u公开的一种双通道大功率音频放大电路。由于双通道只能搭载两个扬声器，无法实现多个方位的声音传播，从而实现不了声音环绕的效果。所以双通道输出只能实现简单的立体声效果，无法满足环绕声的需求。

2、因此，针对现有技术不足，提供一种五通道环绕声音频功率放大电路以解决现有技术不足甚为必要。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种五通道环绕声音频功率放大电路。该五通道环绕声音频功率放大电路以五通道作为输出，五通道输出能够覆盖各个方向的声音传输范围，以达到环绕音的效果。

2、本实用新型的上述目的通过以下技术措施实现：

3、提供一种五通道环绕声音频功率放大电路,设置有五个功率放大模块，将五个功率放大模块分别定义为第一功率放大模块、第二功率放大模块、第三功率放大模块、第四功率放大模块和第五功率放大模块，所述第一功率放大模块分别与所述第二功率放大模块、所述第三功率放大模块、所述第四功率放大模块和所述第五功率放大模块连接。

4、所述第一功率放大模块设置有第一信号差模输入单元、第一恒流负载偏置单元、第一信号电压放大单元、第一热耦合偏置单元、第一超前补偿单元和第一电流放大单元。所述第二功率放大模块设置有第二信号差模输入单元、第二恒流负载偏置单元、第二信号电压放大单元、第二热耦合偏置单元、第二超前补偿单元和第二电流放大单元。所述第三功率放大模块设置有第三信号差模输入单元、第三恒流负载偏置单元、第三信号电压放大单元、第三热耦合偏置单元、第三超前补偿单元和第三电流放大单元。所述第四功率放大模块设置有第四信号差模输入单元、第四恒流负载偏置单元、第四信号电压放大单元、第四热耦合偏置单元、第四超前补偿单元和第四电流放大单元。所述第五功率放大模块设置有第五信号差模输入单元、第五恒流负载偏置单元、第五信号电压放大单元、第五热耦合偏置单元、第五超前补偿单元和第五电流放大单元。

5、优选的，上述第一信号差模输入单元分别所述第一恒流负载偏置单元和所述第一信号电压放大单元连接，所述第一信号电压放大单元与所述第一热耦合偏置单元、所述第一电流放大单元连接，所述第一热耦合偏置单元与所述第一电流放大单元和所述第一超前补偿单元连接。

6、优选的，上述第一信号差模输入单元与所述第二信号差模输入单元、所述第三信号差模输入单元、所述第四信号差模输入单元、所述第五信号差模输入单元、所述第一信号电压放大单元、所述第二信号电压放大单元、所述第三信号电压放大单元、所述第四信号电压放大单元和所述第五信号电压放大单元连接。

7、优选的，上述第一电流放大单元与所述第二电流放大单元和所述第三电流放大单元连接。

8、优选的，上述第一恒流负载偏置单元与所述第二恒流负载偏置单元、所述第三恒流负载偏置单元、所述第四恒流负载偏置单元、所述第五恒流负载偏置单元、所述第一超前补偿单元、所述第二超前补偿单元、所述第三超前补偿单元、所述第四超前补偿单元和所述第五超前补偿单元连接。

9、优选的，上述第一电流放大单元与所述第二电流放大单元和所述第三电流放大单元连接。

10、优选的，上述第四电流放大单元和所述第五电流放大单元连接。

11、优选的，上述第一信号差输入单元11设置有电阻r11、三极管tr11 和三极管tr12，三极管tr11的基极作为引脚16与外围电路连接，三极管tr11的发射极与三极管tr12的发射极分别与第一恒流负载偏置单元连接，三极管tr12的基极作为引脚17与外围电路连接，三极管tr11的集电极与电阻r11的一端连接，三极管tr11的集电极还与第一信号电压放大单元连接，电阻r11的另一端作为引脚13与外围电路连接，三极管tr12的集电极与引脚13连接。

12、优选的，上述第一恒流负载偏置单元设置有电阻r12、三极管tr13、二极管d1-1和二极管d1-2，三极管tr13的集电极与三极管tr12的发射极连接，三极管tr13的基极作为引脚18与外围电路连接，三极管tr13的发射极与电阻r12的一端连接，电阻r12的另一端作为引脚24与外围电路连接，三极管tr13的基极还与二极管d1-1的正极连接，三极管tr13的基极还与第一超前补偿单元连接，二极管d1-1的负极与二极管d1-2的正极连接，二极管d1-2的负极与引脚24连接。

13、优选的，上述第一信号电压放大单元设置有电容c11和三极管tr14，三极管tr14的基极串连电容c11与集电极连接，三极管tr14的基极与三极管tr11的集电极连接，三极管tr14的发射极与引脚13连接，三极管tr14的集电极与所述第一热耦合偏置单元和所述第一电流放大单元连接。

14、优选的，上述第一热耦合偏置单元设置有电阻r13、电阻r14、芯片tr15，芯片tr15的基极串连电阻r13与三极管tr14的集电极连接，芯片tr15的基极串连电阻r14与芯片tr15的发射极连接，芯片tr15的发射极还与第一电流放大单元和所述第一超前补偿单元连接，芯片tr15的集电极还与三极管tr14的集电极连接，芯片tr15的集电极还与第一电流放大单元连接。

15、优选的，上述第一超前补偿单元设置有电阻r15、电阻r16和三极管tr16，三极管tr16的基极串连电阻r15与引脚18连接，三极管tr16的发射极串连电阻r16与引脚24连接，三极管tr16的集电极与芯片tr15的发射极连接。

16、优选的，上述第一电流放大单元设置有芯片tr17、芯片tr18和电阻r17，芯片tr17的集电极作为引脚16与外围电路连接，芯片tr17的基极串连电阻r17与芯片tr15的集电极连接，芯片tr17的发射极作为引脚11与外围电路连接，芯片tr18的发射极与引脚11连接，芯片tr18的集电极作为引脚9与外围电路连接，芯片tr18的基极与芯片tr15的发射极连接。

17、优选的，上述第二信号差输入单元12设置有电阻r21、三极管tr21 和三极管tr22，三极管tr21的基极作为引脚20与外围电路连接，三极管tr21的发射极与三极管tr22的发射极分别与所述第二恒流负载偏置单元连接，三极管tr21的集电极串连接电阻r21与引脚13连接，三极管tr21的集电极还与所述第二信号电压放大单元连接，三极管tr22的集电极与引脚13连接，三极管tr22的基极作为引脚19与外围电路连接。

18、优选的，上述第二恒流负载偏置单元设置有电阻r22和三极管tr23，三极管tr23的集电极与三极管tr21的发射极连接，三极管tr23的基极与引脚18连接，三极管tr23的发射极串连电阻r22与引脚24连接，三极管tr23的基极还与所述第二超前补偿单元连接。

19、优选的，上述第二信号电压放大单元设置有电容c21和三极管tr24，三极管tr24的基极串连电容c21与集电极连接，三极管tr24的基极与三极管tr21的集电极连接，三极管tr24的发射极与引脚13连接，三极管tr24的集电极与所述第二热耦合偏置单元和所述第二电流放大单元连接。

20、优选的，上述第二热耦合偏置单元设置有电阻r23、电阻r24和芯片tr25，芯片tr25的基极串连电阻r23与三极管tr24的集电极连接，芯片tr25的基极串连电阻r24与发射极连接，芯片tr25的发射极还与所述第二电流放大单元和所述第二超前补偿单元连接，芯片tr25的集电极还与三极管tr24的集电极连接，芯片tr25的集电极还与第二电流放大单元连接。

21、优选的，上述第二超前补偿单元设置有电阻r25、电阻r26和三极管tr26，三极管tr26的基极串连电阻r25与引脚18连接，三极管tr26的发射极串连电阻r26与引脚24连接，三极管tr26的集电极与芯片tr25-1的发射极连接。

22、优选的，上述第二电流放大单元设置有芯片tr27、芯片tr28和电阻r27，芯片tr27的集电极与引脚10连接，芯片tr27的基极串连电阻r27与芯片tr25的集电极连接，芯片tr27的发射极作为引脚12与外围电路连接，芯片tr28的发射极与引脚12连接，芯片tr28的集电极与引脚9连接，芯片tr28的基极与芯片tr25的发射极连接。

23、优选的，上述第三信号差输入单元13设置有电阻r31、三极管tr31 和三极管tr32，三极管tr31的基极作为引脚21与外围电路连接，三极管tr31的发射极与三极管tr32的发射极分别与所述第三恒流负载偏置单元连接，三极管tr31的集电极串连接电阻r31与引脚13连接，三极管tr31的集电极还与所述第三信号电压放大单元连接，三极管tr32的集电极与引脚13连接，三极管tr32的基极作为引脚22与外围电路连接。

24、优选的，上述第三恒流负载偏置单元设置有电阻r32和三极管tr33，三极管tr33的集电极与三极管tr32的发射极连接，三极管tr33的基极与引脚18连接，三极管tr33的发射极串连电阻r32与引脚24连接，三极管tr33的基极还与所述第三超前补偿单元连接。

25、优选的，上述第三信号电压放大单元设置有电容c31和三极管tr34，三极管tr34的基极串连电容c21与集电极连接，三极管tr34的基极与三极管tr31的集电极连接，三极管tr34的发射极与引脚13连接，三极管tr34的集电极与所述第三热耦合偏置单元和所述第三电流放大单元连接。

26、优选的，上述第三热耦合偏置单元设置有电阻r33、电阻r34和芯片tr35，芯片tr35的基极串连电阻r33与三极管tr34的集电极连接，芯片tr35的基极串连电阻r34与发射极连接，芯片tr35的发射极还与所述第三电流放大单元和所述第三超前补偿单元连接，芯片tr35的集电极还与三极管tr34的集电极连接，芯片tr35的集电极还与第三电流放大单元连接。

27、优选的，上述第三超前补偿单元设置有电阻r35、电阻r36和三极管tr36，三极管tr36的基极串连电阻r35与引脚18连接，三极管tr36的发射极串连电阻r36与引脚24连接，三极管tr36的集电极与芯片tr35的发射极连接。

28、优选的，上述第三电流放大单元设置有芯片tr37、芯片tr38和电阻r37，芯片tr37的集电极与引脚10连接，芯片tr37的基极串连电阻r37与集电极连接，芯片tr37的发射极作为引脚23与外围电路连接，芯片tr38的发射极与引脚23连接，芯片tr38的集电极与引脚9连接，芯片tr38的集电极与引脚9连接，芯片tr38的基极与芯片tr35的发射极连接。

29、优选的，上述第四信号差输入单元14设置有电阻r41、三极管tr41 和三极管tr42，三极管tr41的基极作为引脚3与外围电路连接，三极管tr41的发射极与三极管tr42的发射极分别与所述第四恒流负载偏置单元连接，三极管tr41的集电极串连接电阻r41与引脚13连接，三极管tr41的集电极还与所述第四信号电压放大单元连接，三极管tr42的集电极与引脚13连接，三极管tr42的基极作为引脚4与外围电路连接。

30、优选的，上述第四恒流负载偏置单元设置有电阻r42和三极管tr43，三极管tr43的集电极与三极管tr42的发射极连接，三极管tr43的基极与引脚18连接，三极管tr43的发射极串连电阻r42与引脚24连接，三极管tr43的基极还与所述第四超前补偿单元连接。

31、优选的，上述第四信号电压放大单元设置有电容c41和三极管tr44，三极管tr44的基极串连电容c41与集电极连接，三极管tr44的基极与三极管tr41的集电极连接，三极管tr44的发射极与引脚13连接，三极管tr44的集电极与所述第四热耦合偏置单元和所述第四电流放大单元连接。

32、优选的，上述第四热耦合偏置单元设置有电阻r43、电阻r44芯片tr45，芯片tr45的基极串连电阻r43与三极管tr44的集电极连接，芯片tr45的基极串连电阻r44与发射极连接，芯片tr45的发射极还与所述第四电流放大单元和所述第四超前补偿单元连接，芯片tr45-1的集电极还与三极管tr44的集电极连接，芯片tr45的集电极还与第四电流放大单元连接。

33、优选的，上述第四超前补偿单元设置有电阻r45、电阻r46和三极管tr46，三极管tr46的基极串连电阻r45与引脚18连接，三极管tr46的发射极串连电阻r46与引脚24连接，三极管tr46的集电极与芯片tr45的发射极连接。

34、优选的，上述第四电流放大单元设置有芯片tr47、芯片tr48和电阻r47，芯片tr47的集电极与作为引脚7与外围电路连接，芯片tr47的发射极作为引脚5与外围电路连接，芯片tr47的基极串连电阻r47与芯片tr45的集电极连接，三极管tr48的发射极与引脚5连接，芯片tr48的集电极作为引脚8与外围电路连接，芯片tr48的基极与三极管tr46的集电极连接，芯片tr48的基极还与芯片tr45的发射极连接。

35、优选的，上述第五信号差输入单元15设置有电阻r51、三极管tr51 和三极管tr52，三极管tr51的基极作为引脚1与外围电路连接，三极管tr51的发射极与三极管tr52的发射极分别与所述第五恒流负载偏置单元连接，三极管tr51的集电极串连接电阻r51与引脚13连接，三极管tr51的集电极还与所述第五信号电压放大单元连接，三极管tr52的集电极与引脚13连接，三极管tr52的基极作为引脚2与外围电路连接。

36、优选的，上述第五恒流负载偏置单元设置有电阻r53和三极管tr53，三极管tr53的集电极与三极管tr52的发射极连接，三极管tr53的基极与引脚18连接，三极管tr53的发射极串连电阻r53与引脚24连接，三极管tr53的基极还与所述第五超前补偿单元连接。

37、优选的，上述第五信号电压放大单元设置有电容c51和三极管tr54，三极管tr54的基极串连电容c51与集电极连接，三极管tr54的基极与三极管tr51的集电极连接，三极管tr54的发射极与引脚13连接，三极管tr54的集电极与所述第五热耦合偏置单元和所述第五电流放大单元连接。

38、优选的，上述第五热耦合偏置单元设置有电阻r53、电阻r54和芯片tr55，芯片tr55的基极串连电阻r53与三极管tr54的集电极连接，芯片tr55的基极串连电阻r54与发射极连接，芯片tr55的发射极还与所述第五电流放大单元和所述第五超前补偿单元连接，芯片tr55的集电极还与三极管tr54的集电极连接，芯片tr55的集电极还与第五电流放大单元连接。

39、优选的，上述第五超前补偿单元设置有电阻r55、电阻r56和三极管tr56，三极管tr56的基极串连电阻r55与引脚18连接，三极管tr56的发射极串连电阻r56与引脚24连接，三极管tr56的集电极与芯片tr55的发射极连接。

40、优选的，上述第五电流放大单元设置有芯片tr57、芯片tr58和电阻r57，芯片tr57的集电极与引脚7连接，芯片tr5的发射极作为引脚6与外围电路连接，芯片tr57的基极串连电阻r57与芯片tr55的集电极连接，芯片tr58的发射极与引脚5连接，芯片tr58的集电极与引脚8连接，芯片tr58的基极与三极管tr56的集电极连接。

41、芯片tr17、芯片tr27、芯片tr37、芯片tr47和芯片tr57的型号均为nd30b。

42、芯片tr18、芯片tr28、芯片tr38、芯片tr48和芯片tr58。的型号均为355p。

43、三极管tr11、三极管tr12、三极管tr21、三极管tr22、三极管tr13、三极管tr32、三极管tr41、三极管tr42、三极管tr51和三极管tr52的型号均为fmw3。

44、三极管tr23、三极管tr33、三极管tr43、三极管tr53、三极管tr16、三极管tr26、三极管tr36、三极管tr46和三极管tr56的型号均为umx1ntn；

45、或者

46、三极管tr23、三极管tr33、三极管tr43、三极管tr53、三极管tr16、三极管tr26、三极管tr36、三极管tr46和三极管tr56的型号均为umz1ntl。

47、电阻r15、电阻r25、电阻r35、电阻r45和电阻r55的型号均为0603/10k/j。

48、电阻r16、电阻r26、电阻r36、电阻r46和电阻r56 的型号均为0603/120/j。

49、电阻r17、电阻r27、电阻r37、电阻r47、电阻r57 的型号均为0603/200/j。

50、电阻r13、电阻r14、电阻r23、电阻r24、电阻r33、电阻r34、电阻r43、电阻r44、电阻r53、电阻r54的型号均为0603/2.2k/j。

51、电阻r12、电阻r22、电阻r32、电阻r42、电阻r52的型号均为0603/470/j。

52、电阻r11、电阻r21、电阻r31、电阻r41、电阻r51的型号均为0603/470/j。

53、电容c11、电容c21、电容c31、电容c41、电容c51的型号均为0805/39pf/k/50v。

54、本实用新型的一种五通道环绕声音频功率放大电路，设置有五个功率放大模块，将五个功率放大模块分别定义为第一功率放大模块、第二功率放大模块、第三功率放大模块、第四功率放大模块和第五功率放大模块，所述第一功率放大模块分别与所述第二功率放大模块、所述第三功率放大模块、所述第四功率放大模块和所述第五功率放大模块连接。该五通道环绕声音频功率放大电路以五个通道作为输出，五个通道输出能够覆盖各个方向的声音传送，以达到环绕音的效果。而且本实用新型的五个通道性能高度一致，音频三维空间立体感十足，具有噪声低、失真小的特点，拥有良好的音质效果。