一种晶圆封装键合结构的制作方法

本技术属于半导体封装，涉及一种晶圆封装键合结构。

背景技术：

1、随着集成电路朝着更高性能、更高集成度和更小尺寸的方向发展，其对封装工艺的要求也越来越高。2.5d封装技术作为先进封装工艺中的一种，其因具有性能好，容量大，良率高等优点，被广泛的应用。通过露铜工艺制作铜电极结构是2.5d封装技术中的重要过程，该过程需要在减薄的硅片表面形成绝缘层。

2、在减薄硅片表面形成高质量、均匀的绝缘层（如氧化物或氮化物）是2.5d封装工艺中的关键步骤。通常采用一套复杂的工艺流程来获得最终的绝缘层表面，该流程一般包括：硅化学机械抛光（chemical mechanical polishing，简称cmp）、硅蚀刻、通过化学气相沉积（chemical vapor deposition，简称cvd）生长氮化物或氧化物绝缘层，以及最终的氧化物通过cmp平坦化处理步骤。由于晶圆减薄后易碎，需要承载基底通过临时键合层与晶圆结合给其提供支撑性，形成一种承载晶圆的晶圆封装键合结构。目前，粘合晶圆与承载基底的临时键合层的材质不耐高温且导热系数低，在低温cvd沉积过程中晶圆与承载基底之间的传热能力变差，导致晶圆的温度均匀性较差，进而影响在晶圆上表面形成的绝缘层的均匀性和稳定性。

3、因此，如何有效提升低温cvd沉积过程中晶圆温度的均匀性，是当前半导体封装领域亟待解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆封装键合结构，用于解决现有技术中低温cvd沉积过程中晶圆表面温度的均匀性差的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种晶圆封装键合结构，包括：

3、承载基底；

4、释放层，设置于所述承载基底的上表面；

5、金属缓冲层，覆盖所述释放层的上表面，所述释放层用于粘合所述金属缓冲层与所述承载基底，所述金属缓冲层包括依次层叠的第一缓冲层和第二缓冲层；

6、临时键合层，覆盖所述金属缓冲层的上表面；

7、晶圆，位于所述临时键合层上表面，所述临时键合层用于粘合所述金属缓冲层与所述晶圆。

8、优选地，所述第二缓冲层的导热系数大于100 w/(m·k)。

9、优选地，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层的材质不同。

10、优选地，所述第一缓冲层的厚度小于所述第二缓冲层的厚度。

11、优选地，所述第一缓冲层的厚度范围为800 å~1200 å。

12、优选地，所述第二缓冲层的厚度范围为1000 å ~3000 å。

13、优选地，所述临时键合层的厚度大于所述金属缓冲层的厚度。

14、优选地，所述临时键合层的厚度范围为20~50 μm。

15、优选地，所述释放层的厚度小于所述金属缓冲层的厚度。

16、优选地，所述释放层的厚度范围为800 å ~1200 å。

17、如上所述，本实用新型提供的一种晶圆封装键合结构，具有以下有益效果：通过在晶圆封装键合结构中的临时键合层和释放层之间增设一层高导热系数的金属缓冲层，热量由释放层通过金属缓冲层的缓冲作用传导至临时键合层，由于金属缓冲层的导热系数大于临时键合层和释放层，使得临时键合层的热量分布更均匀，提高了晶圆封装键合结构中晶圆温度的均匀性，从而提高了化学气相沉积得到的薄膜的均匀性与稳定性。

1.一种晶圆封装键合结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆封装键合结构，其特征在于：所述第二缓冲层的导热系数大于100 w/(m·k)。

3.根据权利要求2所述的晶圆封装键合结构，其特征在于：所述第一缓冲层与所述第二缓冲层的材质不同。

4.根据权利要求2所述的晶圆封装键合结构，其特征在于：所述第一缓冲层的厚度小于所述第二缓冲层的厚度。

5.根据权利要求4所述的晶圆封装键合结构，其特征在于：所述第一缓冲层的厚度范围为800 å~1200 å。

6.根据权利要求4所述的晶圆封装键合结构，其特征在于：所述第二缓冲层的厚度范围为1000 å ~3000 å。

7.根据权利要求1所述的晶圆封装键合结构，其特征在于：所述临时键合层的厚度大于所述金属缓冲层的厚度。

8.根据权利要求7所述的晶圆封装键合结构，其特征在于：所述临时键合层的厚度范围为20~50 μm。

9.根据权利要求1所述的晶圆封装键合结构，其特征在于：所述释放层的厚度小于所述金属缓冲层的厚度。

10.根据权利要求9所述的晶圆封装键合结构，其特征在于：所述释放层的厚度范围为800 å ~1200 å。