一种声表面波谐振器的制作方法

本技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种声表面波谐振器。

背景技术：

1、saw(surface acoustic wave，声表面波)谐振器是声表面波谐振器的简称，是一种利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的一种滤波专用器件，广泛应用于射频前端滤波器中。随着电子设备小型化、多模多频功能集成化，以及成本与量产的驱动需求，迫使滤波器的尺寸需要进一步缩小。目前采用高、低声阻抗复合金属做电极，可以显著减小器件尺寸。

2、在tc-saw(temperature compensated saw，温度补偿型声表面波滤波器)工艺中idt金属与sio2的组合不同以及衬底切角不同，rayleigh波(瑞利波)与sh波(水平剪切波)会呈现不同的幅度，特定条件下sh波会严重降低声表面波谐振器的性能。

3、常用解决方法之一就是换衬底切角角度，然而即使这样也可能存在不能满足性能要求的情况。因而，在有限的条件下如何抑制sh波的影响，进而提升声表面波谐振器的性能，是谐振器设计的又一重要环节。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种声表面波谐振器，实现更好的抑制sh波，拓宽压电衬底相同切角的适用范围，提升声表面波谐振器的性能。

2、为了实现上述目的，本实用新型提出一种声表面波谐振器，包括：

3、压电衬底；

4、叉指换能器，设置于所述压电衬底上，所述叉指换能器包括idt电极；

5、温度补偿层，设置于所述idt电极和所述压电衬底上；

6、sh波抑制层，设置于所述idt电极与所述温度补偿层之间。

7、可选地，所述sh波抑制层覆盖所述idt电极表面以及所述idt电极之间的压电衬底表面，所述温度补偿层覆盖所述sh波抑制层。

8、可选地，所述sh波抑制层的材料为si3n4。

9、可选地，所述温度补偿层覆盖所述idt电极表面以及所述idt电极之间的所述压电衬底表面，所述sh波抑制层位于所述温度补偿层内部并位于所述idt电极的上方，且所述sh波抑制层与所述idt电极之间设有间隙。

10、可选地，所述sh波抑制层的材料为si3n4或金属。

11、可选地，所述sh波抑制层与所述idt电极之间的间隙距离为30nm～50nm。

12、可选地，所述sh波抑制层的厚度为10nm～200nm。

13、可选地，所述idt电极包括从下至上依次层叠的种子层、第一电极层和第二电极层。

14、可选地，所述第一电极层与所述第二电极层之间设有第一电极保护层；

15、和/或，所述第二电极层上设有第二电极保护层，所述第一电极层的声阻抗大于所述第二电极层的声阻抗。

16、可选地，所述叉指换能器还包括设置于所述idt电极两侧的反射栅。

17、本实用新型的有益效果在于：

18、本实用新型的声表面波谐振器，通过在idt电极与温度补偿层之间插入一层sh波抑制层，通过该sh波抑制层将sh波振幅削弱或消除，或推向更高频率，远离目标通带，从而实现在有限的条件下抑制sh波对谐振器的影响，拓宽压电衬底相同切角的适用范围，进而提升声表面波谐振器的性能。

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述sh波抑制层覆盖所述idt电极表面以及所述idt电极之间的压电衬底表面，所述温度补偿层覆盖所述sh波抑制层。

3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述sh波抑制层的材料为si3n4。

4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层覆盖所述idt电极表面以及所述idt电极之间的所述压电衬底表面，所述sh波抑制层位于所述温度补偿层内部并位于所述idt电极的上方，且所述sh波抑制层与所述idt电极之间设有间隙。

5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述sh波抑制层的材料为si3n4或金属。

6.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述sh波抑制层与所述idt电极之间的间隙距离为30nm～50nm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述sh波抑制层的厚度为10nm～200nm。

8.根据权利要求1-6任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述idt电极包括从下至上依次层叠的种子层、第一电极层和第二电极层。

9.根据权利要求8所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一电极层与所述第二电极层之间设有第一电极保护层；

10.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器还包括设置于所述idt电极两侧的反射栅。