TR组件封装结构的制作方法

本技术涉及半导体封装，尤其涉及一种tr组件封装结构。

背景技术：

1、在tr组件封装结构的制造领域，围坝作为实现组件密封与结构支撑的关键部件，其设计合理性直接影响封装结构的整体性能与可靠性。现有技术中，tr组件封装结构中下基板电路层上继续镀覆形成的围坝，其高度通常设置在650μm~800μm的范围内，该高度普遍高于 500μm的临界阈值，这一较高的围坝高度在实际应用中引发了一系列技术难题。

2、在围坝与中间连接板进行焊接的工艺环节，由于围坝高度过高导致其整体体积偏大，使得围坝的热膨胀系数与下基板的热膨胀系数难以实现良好匹配。这种热膨胀系数的不匹配，会在焊接过程及后续使用中，导致围坝与下基板之间产生较大的应力。随着应力的累积，下基板极易出现开裂现象，而基板的开裂会直接破坏tr组件的密封结构，严重影响封装结构的气密性，进而导致组件内部元件受到外界环境因素的干扰，降低组件的工作稳定性与使用寿命。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种tr组件封装结构，以解决焊接时因围坝高度过高对围坝所在的基板应力过大造成基板开裂等问题。

2、本实用新型的目的采用以下技术方案实现：

3、本实用新型提供一种tr组件封装结构，包括依次间隔设置的第一基板、第二基板和第三基板，所述第一基板和所述第二基板之间连接设置有上围坝，所述第二基板和所述第三基板之间连接设置有下围坝，所述上围坝将所述第一基板和所述第二基板之间的区域围设形成第一密闭腔体，所述下围坝将所述第二基板和所述第三基板之间的区域围设形成第二密闭腔体；

4、其中，至少部分所述上围坝和/或部分所述下围坝设置于所述第二基板上。

5、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，至少部分所述下围坝一体成型于所述第二基板下表面的第一线路层上，至少部分所述上围坝一体成型于所述第二基板上表面的第二线路层上。

6、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述tr组件封装结构还包括第一焊接层和第二焊接层，所述第一焊接层连接所述上围坝和所述第一基板，所述第二焊接层连接所述下围坝和所述第三基板。

7、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述下围坝包括第一下围坝和第二下围坝，所述第一下围坝设置于所述第二下围坝的上方；

8、所述第一下围坝一体成型于所述第二基板下表面的第一线路层上；

9、所述第二下围坝一体成型于所述第三基板上表面的第三线路层上。

10、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述tr组件封装结构还包括第三焊接层，所述第三焊接层连接所述第一下围坝和所述第二下围坝。

11、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述上围坝一体成型于所述第一基板下表面的第四线路层上，所述第一下围坝和所述第二下围坝的高度分别小于等于500μm；

12、所述tr组件封装结构还包括第四焊接层，所述第四焊接层连接所述上围坝和所述第二基板。

13、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述上围坝一体成型于所述第二基板上表面的第二线路层上；

14、所述tr组件封装结构还包括第一焊接层，所述第一焊接层连接所述上围坝和所述第一基板。

15、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述上围坝的高度小于等于500μm，所述下围坝的高度大于500μm。

16、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板均为陶瓷板；

17、和/或，所述上围坝和所述下围坝均为铜柱。

18、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述第一基板下表面设置有第一半导体器件，所述第一半导体器件位于所述第一密闭腔体内；

19、所述第三基板上表面设置有第二半导体器件，所述第二半导体器件位于所述第二密闭腔体内。

20、与现有技术相比，本实用新型的有益效果至少包括：相比于现有技术中将上围坝全部设置于第一基板上，下围坝全部设置于第三基板（即前文中提到的下基板）上，当上围坝和/或下围坝之中的至少一个与对应基板之间应力过大时，上围坝和/或下围坝与对应基板之间即可能产生开裂，本申请通过使得至少部分上围坝和/或部分下围坝设置于第二基板上，可以将应力进行分散或抵消，以降低单一基板与围坝之间的应力进而降低围坝与对应基板之间的开裂风险，能够在制作高围坝的同时提升tr组件的气密性。

1.一种tr组件封装结构，其特征在于，包括依次间隔设置的第一基板、第二基板和第三基板，所述第一基板和所述第二基板之间连接设置有上围坝，所述第二基板和所述第三基板之间连接设置有下围坝，所述上围坝将所述第一基板和所述第二基板之间的区域围设形成第一密闭腔体，所述下围坝将所述第二基板和所述第三基板之间的区域围设形成第二密闭腔体；

2.根据权利要求1所述的tr组件封装结构，其特征在于，至少部分所述下围坝一体成型于所述第二基板下表面的第一线路层上，至少部分所述上围坝一体成型于所述第二基板上表面的第二线路层上。

3.根据权利要求2所述的tr组件封装结构，其特征在于，所述tr组件封装结构还包括第一焊接层和第二焊接层，所述第一焊接层连接所述上围坝和所述第一基板，所述第二焊接层连接所述下围坝和所述第三基板。

4.根据权利要求1所述的tr组件封装结构，其特征在于，所述下围坝包括第一下围坝和第二下围坝，所述第一下围坝设置于所述第二下围坝的上方；

5.根据权利要求4所述的tr组件封装结构，其特征在于，所述tr组件封装结构还包括第三焊接层，所述第三焊接层连接所述第一下围坝和所述第二下围坝。

6.根据权利要求4所述的tr组件封装结构，其特征在于，所述上围坝一体成型于所述第一基板下表面的第四线路层上，所述第一下围坝和所述第二下围坝的高度分别小于等于500μm；

7.根据权利要求4所述的tr组件封装结构，其特征在于，所述上围坝一体成型于所述第二基板上表面的第二线路层上；

8.根据权利要求1-7任一项所述的tr组件封装结构，其特征在于，所述上围坝的高度小于等于500μm，所述下围坝的高度大于500μm。

9.根据权利要求1-7任一项所述的tr组件封装结构，其特征在于，所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板均为陶瓷板；

10.根据权利要求1-7任一项所述的tr组件封装结构，其特征在于，所述第一基板下表面设置有第一半导体器件，所述第一半导体器件位于所述第一密闭腔体内；