固化物、层叠体及半导体器件的制作方法
本发明涉及一种固化物、层叠体及半导体器件。
背景技术:
1、如今,在各式各样的领域中,正在利用由包含树脂的树脂组合物制造而成的树脂材料的技术。
2、例如,包含聚酰亚胺等含杂环聚合物的固化物由于耐热性及绝缘性等优异,因此应用于各种用途。作为上述用途,并不受特别限定,若以安装用半导体器件为例子,则可以举出作为绝缘膜、封端材料的材料或保护膜的利用。并且,也可用作可挠性基板的基膜(base film)或覆盖膜(coverlay)等。
3、例如,在专利文献1中记载有一种混合键合绝缘膜形成材料,其包含(a)具有聚合性不饱和键部位的聚酰亚胺前体、(b)溶剂及(c)肟系光聚合引发剂。
4、以往技术文献
5、专利文献
6、专利文献1:国际公开第2023/181637号
技术实现思路
1、发明要解决的技术课题
2、近年来,在半导体封装中所使用的再布线层(rdl)用绝缘膜中,随着再布线层的多层化趋势,对用于底层的绝缘膜实施多次高温热处理。伴随于此,要求一种即使将这种加热及冷却重复进行多次之后与金属的密合性也优异的固化物。
3、本发明的目的在于提供一种即使在重复进行加热循环试验之后,对金属的密合性也优异的固化物、包含上述固化物的层叠体及包含上述固化物的半导体器件。
4、用于解决技术课题的手段
5、以下示出本发明的代表性实施方式的例子。
6、<1>一种固化物,其由包含选自由聚酰亚胺及聚酰亚胺前体组成的组中的至少1种以上的树脂b及聚合引发剂的树脂组合物固化而成,
7、上述树脂b的酸值为0.0010~0.3000mmol/g,
8、上述固化物的2%质量减少温度在250~400℃的范围内,
9、上述固化物含有含氮杂环化合物,
10、上述固化物中具有在上述树脂组合物固化后形成的树脂a与钛的络合物结构。
11、<2>根据<1>所述的固化物,其中,
12、上述树脂a具有下述式(a-1)所表示的重复单元。
13、[化学式1]
14、
15、在式(a-1)中,xa1为式(x-a1)所表示的结构,ya1为2价连接基。
16、[化学式2]
17、
18、在式(x-a1)中,*表示与式(a-1)中的羰基的键合部位。
19、<3>根据<1>或<2>所述的固化物,其中,
20、上述树脂a为具有下述式(a-2)所表示的重复单元的树脂。
21、[化学式3]
22、
23、在式(a-2)中,xa2为4价有机基团,ya2为2价连接基,满足下述条件1及2中的至少一者。
24、条件1:xa2为下述式(x-a2)所表示的结构
25、条件2:ya2为下述式(y-a2)所表示的结构
26、[化学式4]
27、
28、在式(x-a2)中,*表示与式(a-2)中的羰基的键合部位。
29、[化学式5]
30、
31、在式(y-a2)中,*表示与式(a-2)中的氮原子的键合部位。
32、<4>根据<1>至<3>中任一项所述的固化物,其中,
33、上述树脂a为具有下述式(a-3)所表示的重复单元的树脂。
34、[化学式6]
35、
36、在式(a-2)中,xa3为4价有机基团,ya3为2价连接基,满足下述条件3及4中的至少一者。
37、条件3:xa3为下述式(x-a3)所表示的结构
38、条件4:ya3为下述式(y-a3)~式(y-a5)中的任意式所表示的结构
39、[化学式7]
40、
41、在式(x-a3)中,*表示与式(a-3)中的羰基的键合部位。
42、[化学式8]
43、
44、在式(y-a3)~式(y-a5)中,*表示与式(a-3)中的氮原子的键合部位。
45、<5>根据<1>至<4>中任一项所述的固化物,其中,
46、上述树脂b的重均分子量为15,000~40,000。
47、<6>根据<1>至<5>中任一项所述的固化物,其中,
48、上述树脂组合物进一步包含肟化合物作为上述聚合引发剂。
49、<7>根据<1>至<6>中任一项所述的固化物,其中,
50、上述树脂组合物进一步包含抗氧化剂。
51、<8>根据<1>至<7>中任一项所述的固化物,其中,
52、上述树脂组合物进一步具有苯胺化合物。
53、<9>根据<1>至<8>中任一项所述的固化物,其中,
54、上述树脂组合物进一步具有二烷基脲化合物。
55、<10>根据<1>至<9>中任一项所述的固化物,其中,
56、上述树脂b中的酰胺酸酯结构的摩尔含量相对于酰胺酸结构及酰胺酸酯结构的合计摩尔量的比例为90~99.9%。
57、<11>根据<1>至<10>中任一项所述的固化物,其中,
58、上述树脂b中所包含的中和点的ph在7.0~12.0的范围的酸性官能团量在0.001~0.300mmol/g的范围。
59、<12>根据<1>至<11>中任一项所述的固化物,其中,
60、上述树脂b的胺值为0.001~0.300mmol/g。
61、<13>根据<1>至<12>中任一项所述的固化物,其中,
62、上述树脂b的酰亚胺化率为3~40%。
63、<14>根据<1>至<13>中任一项所述的固化物,其中,
64、上述树脂b包含下述式(1)所表示的结构,相对于树脂组合物的总固体成分的式(1)所表示的结构的摩尔含量为0.01~1.0mmol/g。
65、[化学式9]
66、
67、在式(1)中,r1及r2分别独立地表示碳原子数3~6的饱和脂肪族烃基或可以被碳原子数1~10的烷基取代的苯基,x1表示氧原子或硫原子,l1表示-c(=o)-或-s(=o)2-,*1及*2分别独立地表示与其他结构的键合部位,r1、r2、键合于*1的结构及键合于*2的结构中的至少2个可以键合而形成环结构。
68、<15>一种层叠体,其包含2层以上的由<1>至<14>中任一项所述的固化物形成的层,在由上述固化物形成的层彼此的任意层之间包含金属层。
69、<16>一种半导体器件,其包含<1>至<14>中任一项所述的固化物。
70、发明效果
71、根据本发明,提供一种即使在重复进行加热循环试验之后,对金属的密合性也优异的固化物、包含上述固化物的层叠体及包含上述固化物的半导体器件。
1.一种固化物,其由包含选自由聚酰亚胺及聚酰亚胺前体组成的组中的至少1种以上的树脂b及聚合引发剂的树脂组合物固化而成,
2.根据权利要求1所述的固化物,其中,
3.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
4.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
5.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
6.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
7.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
8.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
9.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
10.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
11.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
12.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
13.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
14.根据权利要求1或2所述的固化物,其中,
15.一种层叠体,其包含2层以上的由权利要求1或2所述的固化物形成的层,在由上述固化物形成的层彼此的任意层之间包含金属层。
16.一种半导体器件,其包含权利要求1或2所述的固化物。
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