半导体结构及其制造方法与流程

本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术：

1、一般的，55nm制程下的半导体器件通常包括高压器件区、中压器件区和低压器件区。在此基础上，可以去掉半导体器件中的高压器件区，保留中压器件区和低压器件区的部分，以优化半导体器件结构，节省面积，使结构调整后的半导体器件作为手机、穿戴应用设备等的新平台，从而满足实际的应用需求。

2、然而，对于结构调整后的半导体器件，不同掺杂区之间的位置和设置方式需要进行对应调整，且调整后的半导体器件的中压器件区和低压器件区在制备过程中需要经过多道离子注入工艺，工艺流程复杂。因此，需要一种方法在制备如上所述半导体器件的同时优化工艺流程。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种半导体结构及其制造方法，以优化工艺制程及器件结构，节约成产成本并节省器件区面积，提高生产效率和平台竞争力。

2、本申请提供了一种半导体结构的制造方法，包括：

3、提供衬底，所述衬底包括相互隔离的第一电压区和第二电压区，所述第二电压区的工作电压小于所述第一电压区的工作电压，所述第一电压区和所述第二电压区内均形成有第一阱区；

4、于所述第一阱区两侧形成第二阱区，且所述第二阱区还形成于所述第一电压区中的所述第一阱区内；

5、于所述第二电压区中的所述第一阱区内形成第三阱区；

6、其中，所述第三阱区、所述第二阱区和所述第一阱区分别对应的阱深依次增大，且所述第二阱区、第三阱区的掺杂类型分别与所述第一阱区的掺杂类型不同。

7、在其中一个实施例中，形成所述第三阱区后，所述方法还包括：

8、于所述第二电压区的所述第一阱区内形成第四阱区，所述第四阱区位于所述第三阱区一侧的所述第一阱区内，和/或，所述第四阱区位于所述第三阱区内并延伸至所述第三阱区一侧的所述第一阱区内；

9、其中，所述第四阱区的阱深小于所述第三阱区的阱深，且所述第四阱区的掺杂类型与所述第三阱区的掺杂类型相同。

10、在其中一个实施例中，所述第二电压区包括相互隔离的第一阈值区、第二阈值区和第三阈值区，所述第一阈值区、第二阈值区和第三阈值区分别对应的阈值电压依次增大；

11、所述第一阈值区中，所述第四阱区位于所述第三阱区一侧的所述第一阱区内；

12、所述第二阈值区和所述第三阈值区中，所述第四阱区位于所述第三阱区内并延伸至所述第三阱区一侧的所述第一阱区内。

13、在其中一个实施例中，形成所述第四阱区后，所述方法还包括：

14、于所述第二阈值区和所述第三阈值区的所述第一阱区内形成第五阱区，且所述第五阱区位于所述第四阱区中延伸至所述第一阱区内的部分的下方；

15、其中，所述第五阱区的阱深小于所述第三阱区的阱深，且所述第五阱区的掺杂类型与所述第三阱区的掺杂类型不同。

16、在其中一个实施例中，在形成所述第五阱区之后，所述方法还包括：

17、于所述第三阈值区中所述第五阱区下方的所述第一阱区内形成第六阱区；

18、于所述第三阈值区中所述第四阱区下方的所述第三阱区内形成第七阱区；

19、其中，所述第六阱区和所述第七阱区的阱深分别小于所述第三阱区的阱深，且所述第六阱区的掺杂类型与所述第三阱区的掺杂类型不同，所述第七阱区的掺杂类型与所述第三阱区的掺杂类型相同。

20、相应地，本申请还提供一种半导体结构，包括：

21、衬底，所述衬底包括相互隔离的第一电压区和第二电压区，所述第二电压区的工作电压小于所述第一电压区的工作电压；

22、第一阱区，位于所述第一电压区和所述第二电压区内；

23、第二阱区，位于所述第一阱区两侧以及所述第一电压区中的所述第一阱区内；

24、第三阱区，位于所述第二电压区内的所述第一阱区中；

25、其中，所述第三阱区、所述第二阱区和所述第一阱区分别对应的阱深依次增大，且所述第二阱区、第三阱区的掺杂类型分别与所述第一阱区的掺杂类型不同。

26、在其中一个实施例中，所述第二电压区包括相互隔离的第一阈值区、第二阈值区和第三阈值区，所述第一阈值区、第二阈值区和第三阈值区分别对应的阈值电压依次增大。

27、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括：

28、第四阱区，位于所述第一阱区内，所述第四阱区的阱深小于所述第三阱区的阱深，且所述第四阱区的掺杂类型与所述第三阱区的掺杂类型相同；

29、所述第一阈值区中，所述第四阱区位于所述第三阱区的一侧；

30、所述第二阈值区和所述第三阈值区中，所述第四阱区位于所述第三阱区内并延伸至所述第三阱区一侧的所述第一阱区内。

31、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括：

32、第五阱区，位于所述第二阈值区和所述第三阈值区中的所述第一阱区内，且所述第五阱区位于所述第四阱区中延伸至所述第一阱区内的部分的下方；

33、第六阱区，位于所述第三阈值区中所述第五阱区下方的所述第一阱区内；

34、第七阱区，位于所述第三阈值区中所述第四阱区下方的所述第三阱区内；

35、其中，所述第五阱区、所述第六阱区和所述第七阱区的阱深分别小于所述第三阱区的阱深，所述第七阱区的掺杂类型与所述第三阱区的掺杂类型相同，所述第五阱区和所述第六阱区的掺杂类型均与所述第三阱区的掺杂类型不同。

36、在其中一个实施例中，所述半导体结构采用如上所述的半导体结构的制造方法制造而成。

37、本申请意想不到的效果是：于衬底内形成相互隔离的第一电压区和第二电压区，所述第二电压区的工作电压小于所述第一电压区的工作电压，以调整半导体结构的应用平台和适用范围；通过于衬底的第一电压区和第二电压区内均形成第一阱区，所述第一电压区中的所述第一阱区两侧形成第二阱区，于所述第二电压区中的所述第一阱区内形成第三阱区，以优化半导体结构的工艺制程，减少生成成本，提升了生产效率和平台竞争力。

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第三阱区后，所述方法还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二电压区包括相互隔离的第一阈值区、第二阈值区和第三阈值区，所述第一阈值区、第二阈值区和第三阈值区分别对应的阈值电压依次增大；

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第四阱区后，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第五阱区之后，所述方法还包括：

6.一种半导体结构，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电压区包括相互隔离的第一阈值区、第二阈值区和第三阈值区，所述第一阈值区、第二阈值区和第三阈值区分别对应的阈值电压依次增大。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

10.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，采用如权利要求1~5中任一项所述的半导体结构的制造方法制造而成。