封装结构的制作方法

摘要: 本技术涉及半导体封装,具体涉及一种封装结构。背景技术:1、由于dram(dynamicrandom-accessmemory,动态随机存取内存)成本较高,在fo...
封装结构的制作方法

本技术涉及半导体封装,具体涉及一种封装结构。

背景技术:

1、由于dram(dynamic random-access memory,动态随机存取内存)成本较高,在fopop(fan-out package on package,扇出封装堆栈)结构中,虽然可将dram后贴装在ap(application processor,应用处理器)上方,但这种堆栈方式会阻碍ap的散热,影响产品性能,为改善散热,通常采用系统级芯片与dram并排布局的设计,并预留dram贴装区域,然而,由于重布线层较薄、机械强度较低,在dram贴装过程中容易受到损伤,为此,可在邻近dram置件区域下方增设加强结构以提升结构强度。但由于当前的加强结构一般为模封材料,不仅在上板过程中会遮挡定位标,导致无法准确识别芯片位置、产生对位偏差,而且在采用激光开孔时,还可能损伤附近的定位标记,进而影响贴装良率。

技术实现思路

1、本实用新型提出了一种封装结构。

2、第一方面,本实用新型提出封装结构,包括:

3、重布线层;

4、预置件dram区域,设置于所述重布线层上方;

5、加强结构,设置于所述预置件dram区域下方且所述加强结构在可视条件下呈现透明特性。

6、在一些可选的实施方式中,所述封装结构还包括:

7、模封层,设置于所述重布线层上方,且所述加强结构的厚度大于所述模封层的厚度。

8、在一些可选的实施方式中,所述加强结构由玻璃材料制成。

9、在一些可选的实施方式中,所述加强结构不含硅填料。

10、在一些可选的实施方式中,所述加强结构内部设置有导电孔,所述导电孔的直径自下而上逐渐减小呈现锥形结构。

11、在一些可选的实施方式中,所述重布线层内部设置有导通孔,所述导通孔的直径自下而上逐渐增大呈现锥形结构。

12、在一些可选的实施方式中,所述封装结构还包括:

13、定位标,设置于所述预置件dram区域下方且所述定位标位于所述重布线层与所述加强结构之间。

14、在一些可选的实施方式中,所述定位标接触所述加强结构。

15、在一些可选的实施方式中,所述定位标内埋于所述重布线层。

16、在一些可选的实施方式中,所述封装结构还包括:

17、芯片,设置于所述重布线层上且位于所述预置件dram区域的一侧。

18、为了解决当前的加强结构一般为模封材料,不仅在上板过程中会遮挡定位标,导致无法准确识别芯片位置、产生对位偏差,而且在采用激光开孔时,还可能损伤附近的定位标记,进而影响贴装良率的问题。本实用新型提出一种封装结构,通过将预置件dram区域设置于重布线层上方,且将加强结构设置于预置件dram区域下方,并设置加强结构在可视条件下呈现透明特性,不仅能够实现对封装结构的机械支撑,并且,由于该加强结构具有透明特性,还能在封装结构上板过程中避免遮挡定位标记,确保精准对位,避免了因对位不准导致的问题,同时防止激光加工对定位标记造成损伤,从而有效提升贴装精度与生产良品率。

1.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括:

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述加强结构由玻璃材料制成。

4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述加强结构不含硅填料。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述加强结构内部设置有导电孔,所述导电孔的直径自下而上逐渐减小呈现锥形结构。

6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述重布线层内部设置有导通孔,所述导通孔的直径自下而上逐渐增大呈现锥形结构。

7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括:

8.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于,所述定位标接触所述加强结构。

9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述定位标内埋于所述重布线层。

10.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括:芯片,设置于所述重布线层上且位于所述预置件dram区域的一侧。