存储器件的制作方法

本发明的各种实施例涉及一种半导体存储器件，并且更具体地，涉及一种存储器件。

背景技术：

1、近来，为了增加存储器件的净裸片（net die），已不断地减小了存储单元的尺寸。

2、随着存储单元的尺寸变小，应减小寄生电容（cb）并应增大电容。然而，由于存储单元的结构限制，难以增加净裸片。

技术实现思路

1、本发明的实施例针对一种高度集成的存储器件。

2、根据本发明的实施例，一种存储器件包括：字线叠层，其包括在衬底上方在竖直方向上交替地层叠的字线，并具有边缘部分；至少一个支撑件，其在所述字线层叠的方向上竖直地延伸，并且支撑所述字线叠层的所述边缘部分；接触插塞，其在所述字线叠层的所述边缘部分处电连接到所述字线；以及有源层，其位于所述字线之间，并在与所述字线交叉的方向上水平地取向。

3、根据本发明的另一实施例，一种存储器件包括：字线叠层，其包括在垂直于衬底的方向上交替地层叠的字线，并且包括边缘部分和平行于所述边缘部分的附加边缘部分；至少一个小支撑件，其在所述字线层叠的方向上竖直地延伸，并且分别支撑所述边缘部分和所述附加边缘部分；至少一个大支撑件，其在所述字线层叠的方向上竖直地延伸，并且共同支撑所述边缘部分和所述附加边缘部分；接触插塞，其分别电连接到在所述边缘部分中的字线；附加接触插塞，其分别电连接到在所述附加边缘部分中的字线；以及有源层，其位于所述字线之间，并在与所述字线交叉的方向上水平地取向。

4、根据本发明的又一实施例，一种存储器件包括：多个存储单元，其相对于衬底竖直地层叠；以及至少一个支撑件，其在所述存储单元的层叠的方向上竖直地延伸，其中，每个所述存储单元包括：位线，其垂直于所述衬底取向；电容器，其与所述位线在水平方向上间隔开；有源层，其在所述位线与所述电容器之间水平地取向；以及字线，其位于所述有源层的上表面与下表面之中的至少一个表面之上并且在与所述有源层交叉的方向上水平地延伸，并且所述存储单元的字线的边缘部分由所述支撑件支撑。

5、本发明所属领域的普通技术人员可以更好地理解本发明的这些以及其他特征和优点。

1.一种存储器件，包括：

2.如权利要求1所述的存储器件，进一步包括：

3.如权利要求2所述的存储器件，进一步包括：

4.如权利要求1所述的存储器件，其中，每一个所述水平取向的导电线包括：

5.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个介电柱直接接触所述第一侧壁和所述第二侧壁中的至少一个侧壁。

6.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁中的每一个均包括至少一个凹陷表面，所述至少一个凹陷表面在所述水平取向的导电线堆叠的方向上垂直延伸，且所述至少一个凹陷表面直接接触至少一个支撑件。

7.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述至少一个支撑件包括氧化硅。