半导体元件及其制造方法与流程

本发明是关于一种半导体元件及其制造方法。

背景技术：

1、随着micro-led的应用不断地发展，譬如应用于ar眼镜的场域，micro-led的尺寸(size)需求及间距(pitch)需求会越来越小，现今将micro-led晶片与驱动器晶片结合的主流方式，例如巨量转移与金属热压接合，已无法满足此需求，需要开发新的micro-led工艺方法来满足新的需求。

技术实现思路

1、本发明所述的一些实施例提供一种半导体元件的制造方法。所述方法包含：提供发光二极管驱动器晶圆，包含：多个晶体管装置；第一金属间介电质层，覆盖晶体管装置；以及多个第一键合垫，位于第一金属间介电质层中；提供发光二极管晶圆，包含：多个发光二极管；第二金属间介电质层，覆盖发光二极管；以及多个第二键合垫，位于第二金属间介电质层中；以及通过混合接合的方式接合发光二极管驱动器晶圆与发光二极管晶圆，其中第一键合垫接合到对应的第二键合垫，而第一金属间介电质层接合到第二金属间介电质层。

2、本发明所述的一些实施例提供一种半导体元件，所述半导体元件包含：发光二极管驱动器晶圆，包含：多个晶体管装置；第一金属间介电质层，覆盖晶体管装置；以及多个第一键合垫，位于第一金属间介电质层中；以及发光二极管晶圆，包含：多个发光二极管；第二金属间介电质层，覆盖发光二极管；以及多个第二键合垫，位于第二金属间介电质层中，其中发光二极管晶圆通过混合接合的方式与发光二极管晶圆接合，其中第一键合垫接合到对应的第二键合垫，而第一金属间介电质层接合到第二金属间介电质层。

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个第二键合垫包含虚设键合垫，所述虚设键合垫不与所述发光二极管晶圆中的任何导电元件电性连接。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述发光二极管晶圆还包含：

6.一种半导体元件，其特征在于，包含：

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其中所述多个第二键合垫包含虚设键合垫，所述虚设键合垫不与所述发光二极管晶圆中的任何导电元件电性连接。

8.根据权利要求6所述的半导体元件，其中：

9.根据权利要求6所述的半导体元件，其中：

10.根据权利要求6所述的半导体元件，其中所述发光二极管晶圆还包含：