显示面板、显示面板的制备方法和显示装置与流程

本技术涉及显示设备，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置。

背景技术：

1、有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)以及基于发光二极管(light emitting diode，led)等技术的显示面板因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、笔记本电脑、台式电脑等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

2、传统显示面板制备过程中，通常通过精细金属掩模版(fmm)实现发光像素图形化。fmm技术成熟、量产经验丰富。但是，fmm技术同时又具有精度有限、开发成本高、开发周期长等问题。无精细金属掩模技术消除了传统oled工艺对显示屏尺寸、分辨率及其他屏体性能的限制，具有高性能、全域尺寸、敏捷交付的优势。专利cn118251982a、cn116648095a、cn117062489a、cn118742138a、cn118678783a、cn118660598a、cn118675450a、cn118824188a、cn118781966a记载了无精细金属掩模技术的相关内容，以供参考。

3、采用无精细金属掩模技术显示面板的制程中，暴露的导电层容易被损伤，损伤的导电层容易导致与其他导电结构电连接异常。

技术实现思路

1、本技术实施例提供了一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置，旨在优化暴露的导电层容易被损伤，损伤的导电层容易导致与其他导电结构电连接异常的技术问题。

2、本技术第一方面的实施例提供一种显示面板，显示面板具有显示区和非显示区，非显示区绕显示区的至少部分设置；显示面板包括：

3、阵列基板，包括衬底和第一信号线，第一信号线的至少部分位于非显示区，第一信号线位于衬底的一侧；

4、像素定义层，沿第一方向设置于阵列基板的一侧，像素定义层包括位于显示区的多个像素开口和位于非显示区的至少一个第一开口；

5、发光功能层，包括多个位于显示区的发光单元，发光单元的至少部分设置于对应的像素开口内；

6、至少一个第一绝缘层，显示区中，至少一个第一绝缘层设置于发光功能层背离阵列基板的一侧；非显示区中，至少一个第一绝缘层层叠设置于像素定义层背离衬底的一侧，至少一个第一绝缘层具有与第一开口连通的第二开口，第一开口的第一壁面和第二开口的第二壁面平滑连接，第一信号线的至少部分沿第一方向位于相连通的第一开口和第二开口靠近衬底的一侧。

7、根据本技术第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括：

8、第一触控层，包括位于显示区的多个第一触控部和位于非显示区的第一导电部，第一触控部位于发光功能层背离阵列基板的一侧，第一导电部的至少部分位于相连通的第一开口和第二开口内，位于第一开口内的第一导电部与第一信号线接触。

9、根据本技术第一方面前述任一实施方式，第一导电部自第一信号线背离衬底的表面依次沿第一壁面、第二壁面延伸至至少一个第一绝缘层背离衬底的表面上。

10、根据本技术第一方面前述任一实施方式，显示面板沿阵列基板到像素定义层的方向的横截面中，第一壁面与第一导电部接触的界面和第二壁面与第一导电部接触的界面为相连接的直线。

11、根据本技术第一方面前述任一实施方式，发光单元在衬底上的正投影位于至少一个第一绝缘层在衬底上的正投影内。

12、根据本技术第一方面前述任一实施方式，至少一个第一绝缘层包括触控缓冲层，

13、显示区中，触控缓冲层位于第一触控层和发光功能层之间；

14、非显示区中，触控缓冲层与像素定义层背离阵列基板的表面接触。

15、根据本技术第一方面前述任一实施方式，非显示区中，触控缓冲层在阵列基板的正投影位于像素定义层在阵列基板的正投影内。

16、根据本技术第一方面前述任一实施方式，触控缓冲层包括围合形成第二开口的第三壁面，第三壁面和第一壁面平滑连接。

17、根据本技术第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括第二触控层，第二触控层位于第一触控层靠近发光功能层的一侧，第二触控层包括位于显示区的多个第二触控部，至少一个第一绝缘层包括触控绝缘层，

18、显示区中，触控绝缘层位于第一触控部和第二触控部之间。

19、根据本技术第一方面前述任一实施方式，非显示区中，触控绝缘层与像素定义层背离阵列基板的表面接触。

20、根据本技术第一方面前述任一实施方式，至少一个第一绝缘层还包括触控缓冲层，

21、显示区中，触控缓冲层位于触控绝缘层和发光功能层之间；

22、非显示区中，触控缓冲层设置于像素定义层和触控绝缘层之间。

23、根据本技术第一方面前述任一实施方式，非显示区中，触控绝缘层在阵列基板的正投影位于触控缓冲层在阵列基板的正投影内；

24、根据本技术第一方面前述任一实施方式，触控缓冲层包括围合形成第二开口的第三壁面，触控缓冲层包括围合形成第二开口的第四壁面，第一壁面、第三壁面和第四壁面依次平滑连接。

25、根据本技术第一方面前述任一实施方式，阵列基板还包括位于非显示区的第二信号线，第二信号线与第一信号线靠近衬底的表面接触，第二信号线在衬底的正投影与第一信号线在衬底的正投影至少部分交叠。

26、根据本技术第一方面前述任一实施方式，阵列基板还包括位于显示区的第一源漏导电层，第一源漏导电层与第一信号线同层制备。

27、根据本技术第一方面前述任一实施方式，阵列基板还包括位于显示区的第二源漏导电层和第一平坦层；第二源漏导电层位于第一源漏导电层靠近衬底的一侧，第一平坦层位于第一源漏导电层和第二源漏导电层之间，第二源漏导电层与第二信号线同层制备。

28、根据本技术第一方面前述任一实施方式，阵列基板还包括位于非显示区的第三信号线，第三信号线与第二信号线靠近衬底的表面接触，第二信号线在衬底的正投影与第三信号线在衬底的正投影至少部分交叠。

29、根据本技术第一方面前述任一实施方式，阵列基板还包括位于显示区的第一栅极层和至少一个第二绝缘层，第一栅极层位于第二源漏导电层靠近衬底的一侧，至少一个第二绝缘层位于第二源漏导电层和第一栅极层之间，第一栅极层与第三信号线同层制备。

30、根据本技术第一方面前述任一实施方式，在非显示区内，至少一个第二绝缘层包括第三开口，第二信号线的至少部分在第三开口处与第三信号线接触。

31、根据本技术第一方面前述任一实施方式，阵列基板还包括第一有源层和第一栅极绝缘层，在显示区内，第一栅极绝缘层位于第一有源层和第一栅极层之间；

32、在非显示区内，第一栅极绝缘层位于第三信号线靠近衬底的一侧，至少一个第二绝缘层包括相连接的第一部分和第二部分，第一部分与第一栅极绝缘层接触，第二部分位于第三信号线背离衬底的一侧。

33、根据本技术第一方面前述任一实施方式，第三开口位于第二部分，第二部分位于第二信号线和第三信号线之间。

34、根据本技术第一方面前述任一实施方式，阵列基板还包括第二有源层和第二栅极层，至少一个第二绝缘层包括第二栅极绝缘层和第一层间介质层，第二栅极绝缘层位于第二有源层和第二栅极层之间，第一层间介质层位于第二源漏导电层和第二栅极绝缘层之间，第一层间介质层覆盖第二栅极层背离衬底的一侧。

35、根据本技术第一方面前述任一实施方式，阵列基板还包括第三栅极层，至少一个第二绝缘层包括栅极缓冲层和第二层间介质层，栅极缓冲层位于第二有源层和第三栅极层之间，第二层间介质层位于第一栅极绝缘层和栅极缓冲层3之间，第二层间介质层覆盖第一栅极层背离衬底的一侧。

36、根据本技术第一方面前述任一实施方式，阵列基板包括多个第一信号线，像素定义层位于相邻第一信号线之间。

37、根据本技术第一方面前述任一实施方式，非显示区包括绑定区，第一开口位于绑定区。

38、根据本技术第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括隔离结构，设置于像素定义层背离阵列基板的一侧，至少部分隔离结构位于显示区，至少部分隔离结构围成多个隔离开口，隔离开口与对应的像素开口连通，发光单元至少部分位于隔离开口内。

39、根据本技术第一方面前述任一实施方式，隔离结构包括层叠设置的第一隔离层和第二隔离层，第一隔离层设置于第二隔离层靠近阵列基板的一侧，第一隔离层在阵列基板上的正投影位于第二隔离层在阵列基板上的正投影内。

40、根据本技术第一方面前述任一实施方式，第二隔离层背离阵列基板的表面在阵列基板上的正投影面积小于第二隔离层靠近阵列基板的表面在阵列基板上的正投影面积。

41、根据本技术第一方面前述任一实施方式，第一隔离层背离阵列基板的表面在阵列基板上的正投影面积小于第二隔离层靠近阵列基板的表面在阵列基板上的正投影面积。

42、根据本技术第一方面前述任一实施方式，发光单元包括依次设置的第一电极、发光层和第二电极，第二电极的边沿与隔离结构电连接。

43、根据本技术第一方面前述任一实施方式，第一隔离层与第一信号线电连接。

44、根据本技术第一方面前述任一实施方式，显示面板包括第一封装层，第一封装层包括多个封装部，封装部的至少部分位于隔离开口，封装部在阵列基板上的正投影覆盖对应的发光单元在阵列基板上的正投影。

45、根据本技术第一方面前述任一实施方式，显示面板还包括第二封装层，第二封装层覆盖第一封装层背离阵列基板的一侧以及隔离结构背离阵列基板的一侧，至少一个第一绝缘层位于第二封装层背离阵列基板的一侧。

46、本技术第二方面的实施例还提供了一种显示面板，显示面板具有显示区和非显示区，非显示区绕显示区的至少部分设置，其中，非显示区包括至少一个焊盘；焊盘包括：

47、第一信号线；

48、像素定义层，设置于第一信号线的一侧，像素定义层包括位于非显示区的至少一个第一开口；

49、至少一个第一绝缘层，显示区中，至少一个第一绝缘层设置于发光功能层背离阵列基板的一侧；非显示区中，至少一个第一绝缘层层叠设置于像素定义层背离衬底的一侧，至少一个第一绝缘层具有与第一开口连通的第二开口，第一开口的第一壁面和第二开口的第二壁面的连接处齐平，相连通的第一开口和第二开口露出第一信号线的至少部分。

50、本技术第三方面的实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：

51、提供衬底，在衬底的一侧形成第一导电材料层，对第一导电材料层进行图案化处理，得到位于显示面板的非显示区的第一信号线；

52、在第一导电材料层上形成像素定义材料层，像素定义材料覆盖第一信号线背离衬底的一侧；

53、对像素定义材料进行刻蚀处理，并形成发光功能层，得到设置于像素定义材料中的像素开口，发光功能层包括多个位于显示区的发光单元，发光单元的至少部分设置于对应的像素开口内；

54、在发光功能层背离衬底的一侧形成至少一层第一绝缘层，至少一层第一绝缘层覆盖发光功能层和像素定义材料层；

55、对至少一层第一绝缘层和像素定义材料层进行刻蚀处理，得到设贯穿像素定义材料的第一开口、以及贯穿至少一层第一绝缘层的第二开口，第一信号线相连通的第一开口和第二开口中露出。

56、根据本技术第三方面前述任一实施方式，在发光功能层背离衬底的一侧形成至少一层第一绝缘层包括：

57、在发光功能层背离衬底的一侧形成触控缓冲层，触控缓冲层延伸至非显示区并覆盖像素定义材料层；

58、在触控缓冲层背离衬底的一侧形成第二触控层，第二触控层包括多个位于显示区的第二触控部；

59、在触控缓冲层背离衬底的一侧形成触控绝缘层，触控绝缘层覆盖第二触控部，触控绝缘层延伸至非显示区并覆盖触控缓冲层；

60、对至少一层第一绝缘层和像素定义材料层进行刻蚀处理，得到设贯穿像素定义材料的第一开口、以及贯穿至少一层第一绝缘层的第二开口，包括：

61、对依次叠设的像素定义材料层、触控缓冲层、触控绝缘层进行刻蚀处理，得到贯穿像素定义材料的第一开口、以及贯穿触控缓冲层和触控绝缘层的第二开口。

62、本技术第四方面的实施例还提供了一种显示装置，包括上述第一方面、第二方面任一实施例的显示面板、或第三方面任一实施例制备的显示面板。

63、本技术提供的显示面板中，通过设置像素定义层位于第一信号线背离衬底的一侧，使得未设置第一开口的像素定义层可以遮挡制备显示面板的过程中所采用的试剂，阻挡制备显示面板的过程中所采用的工艺步骤直接作用在第一信号线上，从而减小或避免第一信号线发生损伤，提高显示面板显示的稳定性；通过至少一个第一绝缘层具有与第一开口连通的第二开口，第一开口的第一壁面和第二开口的第二壁面平滑连接，使得位于第一开口、第二开口一侧的第一信号线可以连接其他导电结构；通过一并形成第一开口和第二开口，简化制程，获得第一开口的第一壁面和第二开口的第二壁面平滑连接。