芯片封装结构的制备方法、芯片封装结构及电子设备与流程

本申请涉及半导体封装，具体而言，涉及一种芯片封装结构的制备方法、芯片封装结构及电子设备。

背景技术：

1、目前，在半导体制造工艺中，通常会利用塑封通孔（through molding via，tmv）技术形成的垂直导电通孔，以实现芯片与玻璃基板的电气连接。然而，目前芯片封装结构中制备tmv的方式不佳，容易导致玻璃基板出现翘曲，影响芯片封装结构的可靠性和产品良率。

技术实现思路

1、为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种芯片封装结构的制备方法，所述方法包括：

2、提供一预先制作的封装板，其中，所述封装板包括导电柱、焊接凸点、桥接芯片、缓冲层及封装层，所述桥接芯片位于多个所述导电柱围合形成的容置空间内，所述封装层设置在所述导电柱和所述桥接芯片的周围，所述封装层包括相对的第一侧和第二侧，在所述第一侧，所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚相对于所述封装层的表面凸出，在所述第二侧，所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚与所述封装层的表面齐平，所述焊接凸点分别与相对于所述封装层的表面凸出的所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚连接，所述缓冲层位于所述封装层的第一侧，所述焊接凸点在所述封装层上的正投影位于所述缓冲层在所述封装层上的正投影之外；

3、提供一玻璃基板，其中，所述玻璃基板的一侧包括连接点；

4、将所述封装板设置有所述缓冲层的一侧与所述玻璃基板设置有所述连接点的一侧连接，其中，所述封装板通过所述焊接凸点与所述连接点的连接与所述玻璃基板键合；

5、在所述封装板远离所述玻璃基板的一侧设置走线层，其中，所述走线层与所述封装板中的导电柱电连接；

6、在所述走线层远离所述玻璃基板的一侧设置至少一个芯片，并制作围绕所述芯片的塑封层，得到所述芯片封装结构，其中，所述芯片与所述走线层中的走线电连接。

7、在一种可能的实现方式中，所述提供一预先制作的封装板的步骤，包括：

8、提供一承载基板；

9、在所述承载基板的一侧制作多个所述导电柱，其中，所述导电柱在所述承载基板上形成至少一个所述容置空间；

10、将桥接芯片设置在所述容置空间内；

11、在所述承载基板设置有所述导电柱和所述桥接芯片的一侧制作位于所述导电柱和所述桥接芯片周围的所述封装层，其中，在远离所述承载基板的一侧，所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚相对于所述封装层的表面凸出；

12、在相对于所述封装层凸出的所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚上制作所述焊接凸点；

13、在所述封装层远离所述承载基板的一侧制作缓冲层，其中，所述焊接凸点在所述承载基板的正投影位于所述缓冲层在所述承载基板的正投影之外；

14、去除所述承载基板，得到所述封装板。

15、在一种可能的实现方式中，所述提供一承载基板的步骤，包括：

16、提供一临时载板；

17、在所述临时载板的一侧制作释放层；

18、在所述释放层远离所述临时载板的一侧制作键合层，得到所述承载基板。

19、在一种可能的实现方式中，所述去除所述承载基板，得到所述封装板的步骤，包括：

20、去除所述承载基板的键合层，得到所述封装板。

21、在一种可能的实现方式中，所述在相对于所述封装层凸出的所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚上制作所述焊接凸点的步骤，包括：

22、通过电镀的方式在相对于所述封装层凸出的所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚上制作所述焊接凸点。

23、在一种可能的实现方式中，所述在所述封装层远离所述承载基板的一侧制作缓冲层的步骤，包括：

24、提供一缓冲材料层；

25、将所述缓冲材料层设置在所述封装层远离所述承载基板一侧，并通过真空压膜的方式以使所述缓冲材料层位于所述导电柱、所述芯片引脚以及所述焊接凸点周围，形成所述缓冲层。

26、本申请的另一目的在于提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括：

27、玻璃基板，其中，所述玻璃基板的一侧包括连接点；

28、封装板，所述封装板包括导电柱、焊接凸点、桥接芯片、缓冲层及封装层，所述桥接芯片位于多个所述导电柱围合形成的容置空间内，所述封装层设置在所述导电柱和所述桥接芯片的周围，所述封装层包括相对的第一侧和第二侧，在所述第一侧，所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚相对于所述封装层的表面凸出，在所述第二侧，所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚与所述封装层的表面齐平，所述焊接凸点分别与相对于所述封装层的表面凸出的所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚连接，所述缓冲层位于所述封装层的第一侧，所述焊接凸点在所述封装层上的正投影位于所述缓冲层在所述封装层上的正投影之外；

29、走线层，所述走线层位于所述封装板远离所述玻璃基板的一侧，所述走线层与所述封装板的所述导电柱和所述桥接芯片电连接；

30、芯片层，所述芯片层位于所述走线层远离所述玻璃基板的一侧，所述芯片层包括至少一个芯片以及围绕所述芯片的塑封层，所述芯片与所述走线层中的走线电连接。

31、在一种可能的实现方式中，所述封装板的焊接凸点与所述连接点对应设置，所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚与所述连接点也对应设置。

32、在一种可能的实现方式中，在所述玻璃基板所在平面的方向上，所述容置空间的宽度大于相邻所述导电柱之间的距离；

33、在所述玻璃基板所在平面的方向上，所述导电柱在所述桥接芯片的两侧等间距分布；

34、所述缓冲层包括非导电胶膜。

35、本申请的另一目的在于提供一种电子设备，所述电子设备包括前述多个本申请提供的芯片封装结构。

36、基于上述任意一个方面，本申请实施例提供的一种芯片封装结构的制备方法、芯片封装结构及电子设备，首先，提供一预先制作的封装板，封装板的焊接凸点分别与相对于封装层的表面凸出的导电柱和桥接芯片的芯片引脚连接，缓冲层位于封装层的第一侧，焊接凸点在封装层上的正投影位于缓冲层在封装层上的正投影之外。接着，提供一玻璃基板。再接着，将封装板设置有缓冲层的一侧与玻璃基板设置有连接点的一侧连接。然后，在封装板远离玻璃基板的一侧设置走线层。最后，在走线层远离玻璃基板的一侧设置至少一个芯片，并制作围绕芯片的塑封层，得到芯片封装结构。如此，上述方案先独立制作封装板，再将其与玻璃基板键合，避免了直接在玻璃基板上制作封装板所产生的应力累积，有效降低了玻璃基板出现翘曲变形的风险。同时，在焊接凸点周围设置的缓冲层在键合时能够有效吸收因热膨胀系数差异产生的热失配应力，进一步抑制玻璃基板出现翘曲变形，进而保证芯片封装结构的产品良率。

1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述提供一预先制作的封装板的步骤，包括：

3.如权利要求2所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述提供一承载基板的步骤，包括：

4.如权利要求3所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述去除所述承载基板，得到所述封装板的步骤，包括：

5.如权利要求2所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述在相对于所述封装层凸出的所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚上制作所述焊接凸点的步骤，包括：

6.如权利要求2所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述在所述封装层远离所述承载基板的一侧制作缓冲层的步骤，包括：

7.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：

8.如权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封装板的焊接凸点与所述连接点对应设置，所述导电柱和所述桥接芯片的芯片引脚与所述连接点也对应设置。

9.如权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，在所述玻璃基板所在平面的方向上，所述容置空间的宽度大于相邻所述导电柱之间的距离；

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求7-9中任意一项所述的芯片封装结构。