太阳能电池及其制备方法、光伏组件与流程

本发明涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

背景技术：

1、太阳能电池的背面通常通过抛光处理制备平整的塔基来获得较好的钝化条件，以及利用背面平整的表面来反射入射光，进而增加对太阳光的吸收能力。现有技术中的抛光处理包括碱刻蚀和酸刻蚀两种湿法刻蚀工艺，其中，酸刻蚀利用hf与hno3进行刻蚀，存在刻蚀面不平坦、废液处理成本较高的问题；碱刻蚀利用naoh对背面进行抛光，相较于酸刻蚀能够使背面更加平坦。然而，常规碱刻蚀形成塔基结构后，塔基交界区域仍可能存在高度差，使较陡的侧面暴露，所述暴露界面较难获得良好的钝化效果。因此，如何进一步减小塔基交界区域的高度差，提高硅基底背表面的平整度和后续钝化效果，并兼顾硅基底背表面的反射性能，成为有待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本发明的目的是解决上述问题，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件；所述太阳能电池制备方法能够减小塔基交界区域的高度差，提高硅基底表面的平整度和后续钝化效果，并兼顾硅基底表面的反射性能。

2、为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案，如下所述：

3、第一方面，本发明提供一种太阳能电池的制备方法，其包括步骤：

4、制绒：提供硅基底，对所述硅基底进行制绒，以在所述硅基底的表面形成金字塔结构；

5、第一次抛光：于第一温度下，采用第一碱性抛光液对制绒后的硅基底的一侧表面进行第一次抛光，对所述硅基底的一侧面进行初步整平，形成初级塔基结构；

6、第二次抛光：于第二温度下，采用第二碱性抛光液对经过第一次抛光的一侧面进行第二次抛光，对所述一侧面进行二次整平，并使得所述初级塔基结构形成二次塔基结构。

7、可选的，所述二次塔基结构的宽度为6～25μm；所述二次塔基结构朝向所述硅基底的另一侧面凹陷设置，所述二次塔基结构包括靠近所述另一侧面设置的基底，所述基底与所述一侧面的表面之间的高度差为0.3~0.5μm；所述二次塔基结构还包括设于基底与所述一侧面的表面之间的侧壁，所述侧壁倾斜设置。

8、可选的，经所述第二次抛光后，所述一侧面的粗糙度ra为0.05~0.13μm。

9、可选的，所述第一碱性抛光液包括第一碱液、第一添加剂以及去离子水，第一碱液、第一添加剂以及去离子水的添加量的体积比为5~10：5~10：400~550；以质量百分数计，所述第一添加剂包括1.0%～2.0%的山梨酸钾、1.0%～5.0%的分散剂、1.0%～5.0%的乳化剂以及2.0%～10.0%的表面活性剂。

10、可选的，所述第二碱性抛光液包括第二碱液、第二添加剂以及去离子水，所述第二碱液、所述第二添加剂以及去离子水的添加量的体积比为10~15：0.5~5：400~550；所述第二添加剂包括苯甲酸钠、界面活性剂、催化剂以及去离子水。

11、可选的，所述第一温度为80~90℃，所述第二温度为60~65℃。

12、可选的，还包括钝化层及隧穿氧化层制备步骤，在经第二次抛光的一侧面上依次制备钝化层和隧穿氧化层。

13、第二方面，本发明提供一种太阳能电池，所述太阳能电池采用如上所述的太阳能电池的制备方法制备得到；

14、所述太阳能电池包括硅基底，所述硅基底的一侧设有抛光面，所述抛光面设有二次塔基结构，所述二次塔基结构的宽度为6～25μm；所述二次塔基结构朝向所述硅基底的另一侧面凹陷设置，所述二次塔基结构包括靠近所述另一侧面设置的基底，所述基底与所述一侧面的表面之间的高度差为0.3~0.5μm；所述二次塔基结构还包括设于基底与所述一侧面的表面之间的侧壁，所述侧壁倾斜设置。

15、可选的，所述抛光面的粗糙度ra为0.05~0.13μm。

16、第三方面，本发明提供一种光伏组件，其包括：

17、电池串，由多个如上所述的太阳能电池连接而成；

18、封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；

19、盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。

20、本发明产生的有益效果至少包括：

21、本发明提供了一种太阳能电池的制备方法，所述制备方法中包括第一次抛光和第二次抛光步骤，首先采用所述第一次抛光处理对所述硅基底的一侧面进行初步处理，形成与制绒形成的金字塔结构共存的初级塔基结构，然后采用所述第二次抛光在第一次抛光基础上对硅基底一侧面进行再次抛光处理，抛平金字塔结构并对塔基结构进行优化处理，提高硅基底表面的平整度，有利于改善后续钝化效果，并保持较好的反射性能。

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述二次塔基结构的宽度为6～25μm，所述二次塔基结构朝向所述硅基底的另一侧面凹陷设置，所述二次塔基结构包括靠近所述另一侧面设置的基底，所述基底与所述一侧面的表面之间的高度差为0.3~0.5μm；所述二次塔基结构还包括设于基底与所述一侧面的表面之间的侧壁，所述侧壁倾斜设置。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，经所述第二次抛光后，所述一侧面的粗糙度ra为0.05~0.13μm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一碱性抛光液包括第一碱液、第一添加剂以及去离子水，第一碱液、第一添加剂以及去离子水的添加量的体积比为5~10：5~10：400~550；以质量百分数计，所述第一添加剂包括1.0%～2.0%的山梨酸钾、1.0%～5.0%的分散剂、1.0%～5.0%的乳化剂以及2.0%～10.0%的表面活性剂。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二碱性抛光液包括第二碱液、第二添加剂以及去离子水，所述第二碱液、所述第二添加剂以及去离子水的添加量的体积比为10~15：0.5~5：400~550；所述第二添加剂包括苯甲酸钠、界面活性剂、催化剂以及去离子水。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一温度为80~90℃，所述第二温度为60~65℃。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括钝化层及隧穿氧化层制备步骤：在经第二次抛光的一侧面上依次制备钝化层和隧穿氧化层。

8.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池采用权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池的制备方法制备得到；

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述抛光面的粗糙度ra为0.05~0.13μm。

10.一种光伏组件，其特征在于，包括：