晶圆刻蚀方法与流程

本申请属于半导体，具体涉及一种晶圆刻蚀方法。

背景技术：

1、在半导体晶圆刻蚀加工制程中，受工艺精度、刻蚀均匀性等因素影响，常需进行补刻工序，以保障刻蚀深度、图形精度等满足产品设计要求。esc（electrostatic chuck，静电吸盘）作为补刻工序中晶圆固定与热传导的核心部件，依靠高压静电产生吸附力固定晶圆。但目前的补刻工序中，静电吸盘对晶圆的吸附力不足，使得晶圆补刻工序的稳定性较差。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本申请提供一种晶圆刻蚀方法，能够有效提高静电吸盘对待补刻晶圆的吸附力，改善待补刻晶圆刻蚀过程的稳定性。

2、实现本申请目的所采用的技术方案为：

3、本申请实施例提供一种晶圆刻蚀方法，包括：

4、将预处理工件放置于刻蚀腔体的静电吸盘上，并对所述预处理工件进行刻蚀，在所述静电吸盘朝向所述预处理工件的一侧形成电子富集区；

5、将所述预处理工件从所述刻蚀腔体内取出；

6、将待补刻晶圆放置于所述静电吸盘上，并对所述待补刻晶圆进行刻蚀，以获得目标晶圆。

7、在一些实施方式中，所述对所述预处理工件进行刻蚀，还包括：

8、对所述预处理工件进行刻蚀，在所述刻蚀腔体内形成稳态等离子体。

9、在一些实施方式中，在对所述预处理工件进行刻蚀时，刻蚀时间范围为10min~20min。

10、在一些实施方式中，所述预处理工件包括硅片；所述待补刻晶圆包括层叠设置的基底层和硅层。

11、在一些实施方式中，所述将所述待补刻晶圆放置于所述静电吸盘上，并对所述待补刻晶圆进行刻蚀，包括：

12、将所述待补刻晶圆放置于所述静电吸盘上；

13、向所述静电吸盘施加第一预设电压；

14、对所述待补刻晶圆进行刻蚀。

15、在一些实施方式中，所述第一预设电压的范围为4500v~5000v。

16、在一些实施方式中，在所述将预处理工件放置于刻蚀腔体的静电吸盘上之前，还包括：

17、将初始晶圆放置于所述静电吸盘上；

18、向所述静电吸盘施加第二预设电压；所述第二预设电压小于所述第一预设电压；

19、对所述初始晶圆进行刻蚀，以获得所述待补刻晶圆；

20、将所述待补刻晶圆从所述刻蚀腔体内取出。

21、在一些实施方式中，所述对所述初始晶圆进行刻蚀，包括：

22、在所述初始晶圆与所述静电吸盘之间通入第一预设压强的氦气，并对所述初始晶圆进行刻蚀。

23、在一些实施方式中，所述对所述待补刻晶圆进行刻蚀，包括：

24、在所述待补刻晶圆与所述静电吸盘之间通入第二预设压强的氦气，并对所述待补刻晶圆进行刻蚀；所述第二预设压强小于所述第一预设压强。

25、在一些实施方式中，所述第二预设压强的范围为3torr~6torr。

26、由上述技术方案可知，本申请通过在对待补刻晶圆进行刻蚀前，先将预处理工件放置于刻蚀腔体的静电吸盘上，并对预处理工件进行刻蚀，在静电吸盘朝向预处理工件的一侧形成电子富集区，使得在对待补刻晶圆进行刻蚀时，静电吸盘上电子富集区的电子可以增强电场耦合效率，使得待补刻晶圆在增强电场下，可以感应出足够的镜像电荷，从而增强静电吸盘对待补刻晶圆的吸附力，改善待补刻晶圆刻蚀过程的稳定性。

1.一种晶圆刻蚀方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述对所述预处理工件进行刻蚀，还包括：

3.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，在对所述预处理工件进行刻蚀时，刻蚀时间范围为10min~20min。

4.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述预处理工件包括硅片；所述待补刻晶圆包括层叠设置的基底层和硅层。

5.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述将所述待补刻晶圆放置于所述静电吸盘上，并对所述待补刻晶圆进行刻蚀，包括：

6.根据权利要求5所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述第一预设电压的范围为4500v~5000v。

7.根据权利要求5所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，在所述将预处理工件放置于刻蚀腔体的静电吸盘上之前，还包括：

8.根据权利要求7所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述对所述初始晶圆进行刻蚀，包括：

9.根据权利要求8所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述对所述待补刻晶圆进行刻蚀，包括：

10.根据权利要求9所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述第二预设压强的范围为3torr~6torr。