一种HVLP铜箔表面亚微米微粗化处理方法

本发明属于电子铜箔制造，具体涉及一种带有前处理与抗氧化完整工艺（s1-s4）的高延展性低轮廓（hvlp）铜箔表面亚微米微粗化处理方法。

背景技术：

1、在10 ghz以上高频高速电路中，“趋肤效应”导致电信号仅在铜箔表层传输。传统粗化工艺微瘤粒径大（>1 μm），粗糙度高（rz > 3.0 μm），引发严重的传输损耗。现有的低粗糙度直流电镀方法容易造成粗化不均、树枝状枝晶（烧焦）以及热压“掉粉”现象。因此，需要一套包含前处理活化、脉冲微粗化与抗氧化保护的连贯工艺，在控制粗糙度rz ≤ 1.2 μm的同时保障剥离强度。

技术实现思路

1、本发明提供一种hvlp铜箔表面亚微米微粗化处理的完整工艺路线（s1-s4）：

2、s1、铜箔前处理：通过5 wt% na2s2o8 + 5 wt% h2so4微蚀30 s彻底清除生箔表层氧化物及杂质，再经10 wt% h2so4酸洗30 s活化铜基体晶界，为后续亚微米结晶提供高活性位点；

3、s2、亚微米脉冲微粗化电沉积：采用低铜高酸体系配合高频不对称正负脉冲。正向脉冲高电流密度（20~40 asd）产生极高过电位，形成100~300 nm的高密度晶核，反向脉冲消除粗大尖端，关断时间消除浓差极化；

4、s3、固化封层处理：在高铜低酸镀液中进行快速封层，包覆亚微米微瘤，防止剥落掉粉；

5、s4、抗氧化与烘干处理：采用0.1 wt % bta溶液浸泡30 s，在亚微米微瘤表层形成致密络合保护膜，防止铜箔在储存及压合过程中氧化退化。

1.一种hvlp铜箔表面亚微米微粗化处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤s2中所述微粗化电解液的配方为：cuso4·5h2o 20~40 g/l（相当于cu2+ 5~10 g/l），h2so4 80~120 g/l，聚乙二醇(peg-2000)5~15 mg/l，cl⁻ 15~30 mg/l，添加剂ti(so4)2 10~40mg/l。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤s2中所述不对称高频正负脉冲电流的参数为：正向脉冲电流密度j₊为20~40 asd，正向导通时间t₊为0.1~1.0ms；反向脉冲电流密度j₋为正向电流密度的5~15%，反向导通时间t₋为0.01~0.05ms；关断时间toff为0.5~2.0ms；电镀反应温度控制为25 ℃，电镀时间为0.5 min。

4.一种利用权利要求1~3任一项所述方法制得的hvlp铜箔，其特征在于：所述铜箔粗化面沉积有粒径为100~300 nm的亚微米微瘤；铜箔十点平均粗糙度rz ≤ 1.2 μm，压合后剥离强度 ≥ 0.65 n/mm。