一种陶瓷介质双工器的制作方法

本技术涉及介质滤波器，具体而言，涉及一种陶瓷介质双工器。

背景技术：

1、介质滤波器是通过介质谐振器之间的耦合构成，介质谐振器滤波器的q值高、插入损耗低。通信滤波器的类型很多，不同的类型的滤波器在应用上的频率范围及场合不同。陶瓷介质双工器主要应用在微波通信系统中，通过合并和分离发送和接收的信号，实现双向通信。

2、近年来，随着微波通信系统的快速发展，通信厂商对滤波器厂商提出尺寸要求，在基本保持高性能的条件下，滤波器的尺寸越小越好。在保持低插损的性能(1.0db以内)跟上下行隔离度大于30db以上的技术需求下，现有双工器厚度方向的尺寸一般在5mm以上，长度方向的尺寸一般在15mm以上，现有双工器尺寸都相对比较大，同时成本较高。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种陶瓷介质双工器，以解决上述问题。

2、本实用新型采用了如下方案：

3、本申请提供了一种陶瓷介质双工器,包括陶瓷介质主体,所述陶瓷介质主体包括相对设置的开放面和短路面，以及设置在所述开放面和所述短路面周部的侧面；所述陶瓷介质主体设置有四个并排且中心轴互相平行的通孔；所述通孔的内周壁上和所述侧面形成有金属覆盖层；所述开放面置于每个所述通孔外周围设有第一金属加载层；所述侧面中部设置有公共端口电极，置于所述公共端口电极的两侧分别设置有低端端口电极和高端端口电极；所述公共端口电极连接有置于中部的第二金属加载层，其与相邻的两个所述通孔周边的所述第一金属加载层形成容性耦合电极；所述低端端口电极连接有第三金属加载层与其相邻的一个所述通孔形成容性耦合电极；所述高端端口电极连接有第四金属加载层与其相邻的一个所述通孔形成容性耦合电极。

4、进一步地，所述第二金属加载层呈十字状，其中间支臂置于中部的两个所述第一金属加载层之间，左侧支臂置于左相邻的所述第一金属加载层的凹槽中；右侧支臂置于右相邻的所述第一金属加载层下方。

5、进一步地，所述第三金属加载层具有上凸支臂设置于第一个所述第一金属加载层的凹槽中。

6、进一步地，所述第四金属加载层的左支臂置于第四个所述第一金属加载层下方，上支臂置于第四个所述第一金属加载层右方。

7、进一步地，第一个所述通孔和第二个所述通孔之间设置有电感线，以使其第一金属加载层之间形成电感耦合。

8、进一步地，第三个所述通孔和第二个所述通孔之间设置有电容槽，以使其第一金属加载层之间形成电容耦合。

9、进一步地，所述金属覆盖层为通过浸银金属化工艺在所述陶瓷介质主体上覆盖的银层。

10、进一步地，所述金属加载层为通过激光雕刻覆盖在所述陶瓷介质主体上的银层而制成。

11、通过采用上述技术方案，本实用新型可以取得以下技术效果：

12、本申请的陶瓷介质双工器的低端频段滤波器部分和高端频段滤波器部分都采用两个个通孔设计，在保证功能的同时尺寸也较小，特定形状的金属加载层的设置使其插损也较小。

1.一种陶瓷介质双工器,包括陶瓷介质主体(1),其特征在于，所述陶瓷介质主体(1)包括相对设置的开放面(6)和短路面(2)，以及设置在所述开放面(6)和所述短路面(2)周部的侧面；所述陶瓷介质主体(1)设置有四个并排且中心轴互相平行的通孔(7)；所述通孔(7)的内周壁上和所述侧面形成有金属覆盖层(8)；所述开放面(6)置于每个所述通孔(7)外周围设有第一金属加载层(9)；所述侧面中部设置有公共端口电极(3)，置于所述公共端口电极(3)的两侧分别设置有低端端口电极(4)和高端端口电极(5)；所述公共端口电极(3)连接有置于中部的第二金属加载层(12)，其与相邻的两个所述通孔(7)周边的所述第一金属加载层(9)形成容性耦合电极；所述低端端口电极(4)连接有第三金属加载层(13)与其相邻的一个所述通孔(7)形成容性耦合电极；所述高端端口电极(5)连接有第四金属加载层(14)与其相邻的一个所述通孔(7)形成容性耦合电极。

2.根据权利要求1所述的陶瓷介质双工器，其特征在于，所述第二金属加载层(12)呈十字状，其中间支臂置于中部的两个所述第一金属加载层(9)之间，左侧支臂置于左相邻的所述第一金属加载层(9)的凹槽中；右侧支臂置于右相邻的所述第一金属加载层(9)下方。

3.根据权利要求2所述的陶瓷介质双工器，其特征在于，所述第三金属加载层(13)具有上凸支臂设置于第一个所述第一金属加载层(9)的凹槽中。

4.根据权利要求3所述的陶瓷介质双工器，其特征在于，所述第四金属加载层(14)的左支臂置于第四个所述第一金属加载层(9)下方，上支臂置于第四个所述第一金属加载层(9)右方。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的陶瓷介质双工器，其特征在于，第一个所述通孔(7)和第二个所述通孔(7)之间设置有电感线，以使其第一金属加载层(9)之间形成电感耦合。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的陶瓷介质双工器，其特征在于，第三个所述通孔(7)和第二个所述通孔(7)之间设置有电容槽(11)，以使其第一金属加载层(9)之间形成电容耦合。

7.根据权利要求1所述的陶瓷介质双工器，其特征在于，所述金属覆盖层(8)为通过浸银金属化工艺在所述陶瓷介质主体(1)上覆盖的银层。

8.根据权利要求7所述的陶瓷介质双工器，其特征在于，所述金属加载层为通过激光雕刻覆盖在所述陶瓷介质主体(1)上的银层而制成。