一种高频陶瓷介质滤波器的制作方法

本技术涉及陶瓷介质滤波器，具体而言，涉及一种高频陶瓷介质滤波器。

背景技术：

1、monoblock陶瓷介质滤波器通常指整块陶瓷一次烧成、无需拼装的滤波器/谐振器结构。通过介质谐振器之间的耦合构成，介质谐振器滤波器的q值高、插入损耗低。目前实际中monoblock陶瓷介质滤波器一般是应用于600-8000mhz中心频率的通信领域，此类滤波器中心频率很少突破8000mhz以上，主要是受限于材料。同时，理论上中心频率高于8000mhz，其产品的尺寸，特别是谐振器高度方向的尺寸很小，制作成本跟调试技术要求较高，很难进行量产。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种高频陶瓷介质滤波器，以解决上述问题。

2、本实用新型采用了如下方案：

3、本申请提供了一种高频陶瓷介质滤波器,包括有陶瓷介质主体，所述陶瓷介质主体采用超低相对介电常数的微波粉体制作而成；陶瓷介质主体包括相对设置的开放面和短路面，以及设置在所述开放面和所述短路面周部的侧面；所述侧面设置有金属覆盖层；所述陶瓷介质主体设置有至少两个并排且中心轴互相平行的通孔；所述通孔的内周壁设置有第一金属加载层；所述开放面上置于所述通孔的外周围设有第二金属加载层；所述侧面的两个角落分别设置有输入电极和输出电极；所述输入电极和所述输出电极与相邻的所述通孔进行电容耦合；相邻的所述通孔之间通过容性槽进行电容耦合；所述开放面上置于远离所述输入电极和所述输出电极的一侧设置有交叉耦合线；所述微波粉体的相对介电常数在5±0.5；所述陶瓷介质主体靠近所述交叉耦合线的一侧面焊接有金属屏蔽罩。

4、进一步地，所述金属覆盖层为通过浸银金属化工艺覆盖在所述陶瓷介质主体上的银层。

5、进一步地，所述银层厚度为10um。

6、进一步地，金属加载层为通过激光雕刻覆盖在所述陶瓷介质主体上的银层制成。

7、进一步地，所述金属屏蔽罩采用铜合金材质冲压成型。

8、进一步地，所述开放面上设置有分别连接所述输入电极和所述输出电极的第三金属加载层，其至少围设相邻所述第一金属加载层的部分外周。

9、进一步地，所述陶瓷介质主体1的长度尺寸为9.6mm，宽度为3.8mm，高度为2.4mm。

10、通过采用上述技术方案，本实用新型可以取得以下技术效果：

11、本申请陶瓷介质主体采用相对介电常数在5±0.5的超低相对介电常数微波粉体制作而成，以及陶瓷介质主体上并排且中心轴互相平行的通孔，以及开放面特定金属加载层、容性槽、交叉耦合线和外部金属屏蔽罩的结构设置，使该滤波器的中心频率可达到9000mhz以上，且尺寸适中，利于批量生产。

1.一种高频陶瓷介质滤波器,包括有陶瓷介质主体(1)，其特征在于，所述陶瓷介质主体(1)采用超低相对介电常数的微波粉体制作而成；陶瓷介质主体(1)包括相对设置的开放面(2)和短路面(3)，以及设置在所述开放面(2)和所述短路面(3)周部的侧面；所述侧面设置有金属覆盖层(4)；所述陶瓷介质主体(1)设置有至少两个并排且中心轴互相平行的通孔(6)；所述通孔(6)的内周壁设置有第一金属加载层；所述开放面(2)上置于所述通孔(6)的外周围设有第二金属加载层(11)；所述侧面的两个角落分别设置有输入电极(71)和输出电极(72)；所述输入电极(71)和所述输出电极(72)与相邻的所述通孔(6)进行电容耦合；相邻的所述通孔(6)之间通过容性槽(9)进行电容耦合；所述开放面(2)上置于远离所述输入电极(71)和所述输出电极(72)的一侧设置有交叉耦合线(10)；所述微波粉体的相对介电常数在5±0.5；所述陶瓷介质主体(1)靠近所述交叉耦合线(10)的一侧面焊接有金属屏蔽罩(5)。

2.根据权利要求1所述的高频陶瓷介质滤波器，其特征在于，所述金属覆盖层(4)为通过浸银金属化工艺覆盖在所述陶瓷介质主体(1)上的银层。

3.根据权利要求2所述的高频陶瓷介质滤波器，其特征在于，所述银层厚度为10um。

4.根据权利要求2所述的高频陶瓷介质滤波器，其特征在于，金属加载层为通过激光雕刻覆盖在所述陶瓷介质主体(1)上的银层制成。

5.根据权利要求1所述的高频陶瓷介质滤波器，其特征在于，所述金属屏蔽罩(5)采用铜合金材质冲压成型。

6.根据权利要求1所述的高频陶瓷介质滤波器，其特征在于，所述开放面(2)上设置有分别连接所述输入电极(71)和所述输出电极(72)的第三金属加载层(12)，其至少围设相邻所述第一金属加载层的部分外周。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的高频陶瓷介质滤波器，其特征在于，所述陶瓷介质主体(1)1的长度尺寸为9.6mm，宽度为3.8mm，高度为2.4mm。