层叠素子和电容器的制作方法

本申请涉及电容领域，具体涉及一种层叠素子和电容器。

背景技术：

1、随着智能化产业的发展，对于电容器有了新的要求。例如对于ai服务器，需要在有限的空间内布置尽可能多的处理器，如果布置得过于松散，则会给处理器之间的信息传递造成困难。为此，需要处理器周边的器件也要具有极高的紧凑性，否则侵占了设置空间，就会令处理器不得不设置得较远。现有的电容器难以满足此类需要高空间利用率的应用场景。为此，需要提高电容器的比容量，以使电容器适应高空间利用率的应用场景。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提高电容器的比容量。

2、为了解决上述问题，第一方面，本申请提供一种层叠素子，包括交替层叠设置的间隔膜和基板；每片所述基板的侧边上均连接有极耳；所述极耳包括根部和延伸部；所述根部与所述基板为一体成型件；所述根部呈板状，且边缘与所述基板的边缘连接，并与所述基板平行设置；所述延伸部呈条状，所述延伸部的一端与所述根部的一侧连接，另一端至少部分向相邻的所述基板的所述极耳所在方向分布，以与相邻的所述基板的所述极耳电连接；所述根部上设置有承接槽，所述延伸部进入所述承接槽以与所述根部连接；所述承接槽的槽底暴露所述根部的芯材。

3、可选的，所述延伸部弯折设置，且弯折方向向相邻的所述基板的所述极耳所在方向，以与相邻的所述基板的所述极耳搭接。

4、可选的，所述延伸部还呈板状；所述延伸部绕与自身长度方向平行的轴线扭转设置，以向相邻的所述基板的所述极耳所在方向分布。

5、可选的，所述极耳还包括凸块，所述凸块与所述延伸部远离所述根部的一端连接，并自所述延伸部向相邻的所述基板的所述极耳所在方向凸出。

6、可选的，至少部分所述基板的所述凸块背向所述极耳的一侧相互齐平，且齐平方向沿所述延伸部的长度方向；相互齐平的所述凸块相互粘接和/或焊接连接，以形成承接面。

7、可选的，所述层叠素子还包括引出箔条，所述引出箔条一端与所述承接面连接，所述引出箔条的另一端用于与电容器的引出端子连接。

8、可选的，所述凸块与所述根部抵接。

9、可选的，所述根部自所述基板的边缘凸出于所述基板的高度大于或等于2mm，且小于或等于20mm。

10、可选的，所述间隔膜向所述根部的正投影至少部分在所述根部内。

11、第二方面，本申请还提供一种电容器，包括上述的层叠素子。

12、为将每片基板电连接，需要将极耳电连接，但是基板之间有间隔膜，间隔膜令相邻基板之间有一定的距离，若沿层叠方向直接将极耳压合在一起再令极耳相互连接，就需要让极耳自基板的侧边，沿基板的表面切线方向的延伸长度较大；若上述长度较小，则压合的过程中极耳需要向相邻极耳大角度倾斜才能接触到对方以进行电连接，这会过度压迫间隔膜，让间隔膜厚度被压薄或直接裂开，这会引起电容器被击穿而损坏。但长极耳又会侵占很多空间，让电容器的比容量较小。本申请的技术方案中，令极耳向相邻的极耳分布，这样即便极耳的上述长度较短，也可以在向相邻的极耳倾斜更少的程度的情况下，与相邻极耳接触，这样就可以完成电连接，不会因为极耳过长而侵占空间，以提高电容器的比容量。

1.一种层叠素子，其特征在于，包括交替层叠设置的间隔膜和基板；

2.根据权利要求1所述的层叠素子，其特征在于，所述延伸部弯折设置，且弯折方向向相邻的所述基板的所述极耳所在方向，以与相邻的所述基板的所述极耳搭接。

3.根据权利要求1所述的层叠素子，其特征在于，所述延伸部还呈板状；所述延伸部绕与自身长度方向平行的轴线扭转设置，以向相邻的所述基板的所述极耳所在方向分布。

4.根据权利要求1所述的层叠素子，其特征在于，所述极耳还包括凸块，所述凸块与所述延伸部远离所述根部的一端连接，并自所述延伸部向相邻的所述基板的所述极耳所在方向凸出。

5.根据权利要求4所述的层叠素子，其特征在于，至少部分所述基板的所述凸块背向所述极耳的一侧相互齐平，且齐平方向沿所述延伸部的长度方向；相互齐平的所述凸块相互粘接和/或焊接连接，以形成承接面。

6.根据权利要求5所述的层叠素子，其特征在于，所述层叠素子还包括引出箔条，所述引出箔条一端与所述承接面连接，所述引出箔条的另一端用于与电容器的引出端子连接。

7.根据权利要求4所述的层叠素子，其特征在于，所述凸块与所述根部抵接。

8.根据权利要求1所述的层叠素子，其特征在于，所述根部自所述基板的边缘凸出于所述基板的高度大于或等于2mm，且小于或等于20mm。

9.根据权利要求1所述的层叠素子，其特征在于，所述间隔膜向所述根部的正投影至少部分在所述根部内。

10.一种电容器，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的层叠素子。