半导体设备的电极冷却装置的制作方法

本公开涉及半导体设备，尤其涉及一种半导体设备的电极冷却装置。

背景技术：

1、半导体设备例如毫秒退火设备通常包括多个弧光灯作为半导体基底的强毫秒长曝光（即“ 闪光”的光源），以对半导体基底进行加热，例如使用多个连续模式弧光灯将半导体基底加热至中间温度(例如，约450℃至约900℃)。然而，在加热过程中，弧光灯的电极长期经受高热负荷。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种半导体设备的电极冷却装置。

2、作为本公开实施例的一个方面，本公开实施例提供一种半导体设备的电极冷却装置，包括：电极本体，呈柱状；外壳，与所述电极本体的一端连接；射流件，所述射流件的至少部分位于所述外壳中；所述射流件与电极本体之间具有第一距离；其中，所述射流件内设置有射流通道，所述射流件朝向所述电极本体的一端设置有多个射流孔，所述射流孔与所述射流通道连通，所述射流孔用于将冷却介质喷射至所述电极本体，以使所述冷却介质与所述电极本体换热；所述射流件与所述外壳之间形成有回流通道，所述回流通道用于引导与所述电极本体换热后的介质排出。

3、在一种实施方式中，所述射流件朝向所述电极本体的端面具有第一区域及位于所述第一区域外围的第二区域；沿朝向所述电极本体的方向，至少一个位于所述第二区域的射流孔的轴向逐渐沿远离所述电极本体的中轴线的方向倾斜。

4、在一种实施方式中，位于所述第二区域的射流孔的轴向与所述电极本体的轴向之间具有第一夹角，所述第一夹角大于或等于10°，所述第一夹角小于或等于30°。

5、在一种实施方式中，所述第一夹角为15°。

6、在一种实施方式中，位于所述第一区域的射流孔的轴向与所述电极本体的轴向平行。

7、在一种实施方式中，位于所述第一区域的射流孔沿至少一个圆周均匀分布；位于第一区域、沿靠近所述第二区域的圆周分布且相邻的两个射流孔之间具有第一圆心角；位于所述第二区域的射流孔沿至少一个圆周均匀分布；位于第二区域、沿靠近所述第一区域的圆周分布且相邻的两个射流孔之间具有第二圆心角；所述第二圆心角小于或等于第一圆心角。

8、在一种实施方式中，位于第二区域、沿靠近所述第一区域的圆周分布的射流孔，与位于第一区域、沿靠近所述第二区域的圆周分布的射流孔错开设置。

9、在一种实施方式中，位于所述第一区域的射流孔沿至少两个圆周均匀分布；其中，位于第一区域、沿远离所述第二区域的圆周分布且相邻的两个射流孔之间具有第三圆心角；所述第三圆心角大于或等于所述第一圆心角。

10、在一种实施方式中，所述第一距离大于或等于所述射流孔的孔径的1.5倍，且小于或等于所述射流孔的孔径的3倍。

11、在一种实施方式中，所述射流通道包括第一子通道和第二子通道，所述第二子通道连接在所述第一子通道与所述射流孔之间；所述第二子通道的内径大于所述第一子通道的内径。

12、在一种实施方式中，所述电极本体包括：钨端以及铜端，所述铜端位于所述钨端朝向所述射流件的一端；其中，所述钨端以及铜端一体化连接。

13、本公开实施例能实现对电极本体的高效散热，降低电极因高温导致的性能衰减甚至融化，提高电极的使用寿命。

14、上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

1.一种半导体设备的电极冷却装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体设备的电极冷却装置，其特征在于，所述射流件朝向所述电极本体的端面具有第一区域及位于所述第一区域外围的第二区域；

3.根据权利要求2所述的半导体设备的电极冷却装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体设备的电极冷却装置，其特征在于，所述第一夹角为15°。

5.根据权利要求2所述的半导体设备的电极冷却装置，其特征在于，位于所述第一区域的射流孔的轴向与所述电极本体的轴向平行。

6.根据权利要求2所述的半导体设备的电极冷却装置，其特征在于，位于所述第一区域的射流孔沿至少一个圆周均匀分布；位于第一区域、沿靠近所述第二区域的圆周分布且相邻的两个射流孔之间具有第一圆心角；

7.根据权利要求6所述的半导体设备的电极冷却装置，其特征在于，位于第二区域、沿靠近所述第一区域的圆周分布的射流孔，与位于第一区域、沿靠近所述第二区域的圆周分布的射流孔错开设置。

8.根据权利要求6所述的半导体设备的电极冷却装置，其特征在于，位于所述第一区域的射流孔沿至少两个圆周均匀分布；

9.根据权利要求1所述的半导体设备的电极冷却装置，其特征在于，所述第一距离大于或等于所述射流孔的孔径的1.5倍，且小于或等于所述射流孔的孔径的3倍。

10.根据权利要求1所述的半导体设备的电极冷却装置，其特征在于，所述射流通道包括第一子通道和第二子通道，所述第二子通道连接在所述第一子通道与所述射流孔之间；

11.根据权利要求1所述的半导体设备的电极冷却装置，其特征在于，所述电极本体包括：钨端以及铜端，所述铜端位于所述钨端朝向所述射流件的一端；其中，所述钨端以及铜端一体化连接。