等离子体处理装置和处理方法与流程

本公开涉及等离子体处理装置和处理方法。

背景技术：

1、专利文献1公开了一种基片处理装置，其具备载置台，该载置台具有载置基片的载置面，且设置有用于向基片与载置面之间的间隙供给传热气体的气体供给管。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-120081号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本公开的技术用于在等离子体处理时高效地调整工件的温度。

3、解决问题的技术手段

4、本公开的一个方案是一种等离子体处理装置，具备：处理容器，其构成为能够减压；支承部，其设置于所述处理容器内，用于支承工件；传热层形成部，其在载置所述工件的所述支承部的载置面上形成针对所述工件的传热层，所述传热层由液体的层和固体的层中的至少任一者构成且能够自由变形；排气线路，其从所述处理容器内的处理空间进行排气；和旁通线路，其绕过所述排气线路，所述旁通线路上设置有捕集器，所述捕集器回收来自所述处理空间的排气中所含的气体状的所述传热层。

5、发明效果

6、根据本公开，能够在等离子体处理时高效地调整工件的温度。

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

5.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

9.根据权利要求2～6中任一项所述的等离子体处理装置，其还具备：

10.根据权利要求2～6中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，

12.根据权利要求2～6中任一项所述的等离子体处理装置，其中，还具备：

13.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其中，

15.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其中，

16.一种对基片进行等离子体处理的处理方法，其特征在于，包括：

17.根据权利要求16所述的处理方法，其中，

18.根据权利要求17所述的处理方法，其中，

19.根据权利要求16所述的处理方法，其中，