采用电容性存储电路的内存中计算(cim)单元电路和cim位单元阵列电路相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年10月9日提交的题为“compute-in-memory(cim)cell circuits employing capacitive storage circuits for reduced area and cim bit cell array circuits”的美国专利申请序列号17/067,205的优先权,该申请通过引用整体并入本文。技术领域3.本公开的领域总体上涉及用于高速并行数据