技术特征：
1.一种半导体设备的操作方法，其特征在于，包括:在该半导体设备的腔室中以射频功率与压力沉积半导体层在加热器上的晶圆；减小该腔室中的该射频功率与该压力以执行第一等离子体净化程序；沉积氧化物层在该半导体层上；下降该加热器的位置；以及对该腔室抽除气体。2.根据权利要求1所述的方法，其中减小该腔室中的该射频功率与该压力使该腔室的等离子体工作区域缩小而远离该晶圆。3.根据权利要求1所述的方法，其中执行该第一等离子体净化程序后与沉积该氧化物层前无抽除该腔室的气体。4.根据权利要求1所述的方法，其中从执行该第一等离子体净化程序至沉积该氧化物层期间该腔室维持正压。5.根据权利要求1所述的方法，其中下降该加热器的位置时该腔室维持正压。6.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括：沉积该氧化物层在该半导体层上后，执行第二等离子体净化程序。7.根据权利要求6所述的方法，其中执行该第二等离子体净化程序的射频功率与执行该第一等离子体净化程序被减小后的该射频功率相同。8.根据权利要求6所述的方法，其中执行该第二等离子体净化程序的压力与执行该第一等离子体净化程序被减小后的该压力相同。9.根据权利要求1所述的方法，其中沉积该半导体层后与沉积该氧化物层在该半导体层上前，保持该加热器的位置。10.根据权利要求1所述的方法，其中沉积该氧化物层在该半导体层上前，于该腔室注入一氧化二氮，且该一氧化二氮的流量逐渐增加。
技术总结
一种半导体设备的操作方法包括在半导体设备的腔室中以射频功率与压力沉积半导体层在加热器上的晶圆；减小腔室中的射频功率与压力以执行第一等离子体净化程序；沉积氧化物层在半导体层上；下降加热器的位置；以及对腔室抽除气体。减小射频功率与压力使腔室中的等离子体工作区域缩小，借此降低半导体层表面出现缺陷的机率。缺陷的机率。缺陷的机率。
技术研发人员：林昱利 赖璿午
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2022.04.19
技术公布日：2023/10/25
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