一种上电复位检测电路、集成电路以及芯片的制作方法

技术特征：
1.一种上电复位检测电路，其特征在于，所述上电复位检测电路包括：镜像电流模块、第一nmos器件、第二nmos器件、第三nmos器件、第四nmos器件以及反相模块；所述镜像电流模块与供电端连接，用于根据供电端提供的电源生成多路镜像电流；所述第四nmos器件的漏极连接所述镜像电流模块的第一电流输出端，所述第三nmos器件的漏极和所述第三nmos器件的栅极共接于所述镜像电流模块的第二电流输入端，所述第一nmos器件的漏极、所述第一nmos器件的栅极、所述第二nmos器件的栅极以及所述第三nmos器件的源极共接，所述第二nmos器件的漏极与所述镜像电流模块的第三电流输出端共接于所述反相模块的输入端，所述第四nmos器件的栅极、所述第四nmos器件的源极、所述第一nmos器件的源极以及所述第二nmos器件的源极共接于地；所述反相模块用于对输入的电压进行反相处理后输出上电复位检测信号。2.如权利要求1所述的上电复位检测电路，其特征在于，所述镜像电流模块包括：第一pmos器件、第二pmos器件、第三pmos器件；所述第一pmos器件的源极、所述第二pmos器件的源极、所述第三pmos器件的源极共接于所述供电端，所述第一pmos器件的栅极、所述第二pmos器件的栅极、所述第三pmos器件的栅极以及所述第三pmos器件的漏极共接作为所述镜像电流模块的第一电流输出端，所述第一pmos器件的漏极作为所述镜像电流模块的第二电流输出端，所述第二pmos器件的漏极作为所述镜像电流模块的第三电流输出端。3.如权利要求2所述的上电复位检测电路，其特征在于，所述第一pmos器件、所述第二pmos器件、所述第三pmos器件的宽长比相同。4.如权利要求2所述的上电复位检测电路，其特征在于，所述第一pmos器件、所述第二pmos器件的宽长比相同。5.如权利要求1-4任一项所述的上电复位检测电路，其特征在于，所述第四nmos器件为零阈值电压mos管。6.如权利要求1-4任一项所述的上电复位检测电路，其特征在于，所述第四nmos器件的阈值电压的电压范围为-1v~0.2v。7.如权利要求1-4任一项所述的上电复位检测电路，其特征在于，所述第二nmos器件的宽长比是所述第一nmos器件的宽长比的2倍。8.如权利要求1-4任一项所述的上电复位检测电路，其特征在于，所述反相模块为施密特反相器。9.一种集成电路，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的上电复位检测电路。10.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的上电复位检测电路。

技术总结
本申请属于上电复位技术领域，提供了一种上电复位检测电路、集成电路以及芯片，由镜像电流模块根据供电端提供的电源生成多路镜像电流，第四NMOS器件的漏极接收第一路镜像电流，第三NMOS器件的漏极和第三NMOS器件的栅极共接接收第二路镜像电流，第一NMOS器件的漏极、第一NMOS器件的栅极、第二NMOS器件的栅极以及第三NMOS器件的源极共接，第二NMOS器件的漏极、反相模块的输入端共接并接入第三路镜像电流，第四NMOS器件的栅极、第四NMOS器件、第一NMOS器件以及第二NMOS器件的源极共接于地，反相模块对输入电压进行反相处理后输出上电复位检测信号，从而无需分压电路即可实现芯片的上电复位检测。上电复位检测。上电复位检测。


技术研发人员：杜微 聂丹 冷悦 杨磊
受保护的技术使用者：深圳市微源半导体股份有限公司
技术研发日：2023.09.06
技术公布日：2023/10/19