技术特征：
1.一种掩模坯料，其在基板上具备图案形成用薄膜，其特征在于，所述图案形成用薄膜是含有铬与氮的单层膜、或者包含含有铬与氮的氮化铬系层的多层膜，对于所述图案形成用薄膜的表面，设定以所述基板的中心为基准的一边为1μm的四边形的内侧区域即中央区域，在所述中央区域测定算术平均粗糙度sa与最大高度sz时，sa为1.0nm以下，并且sz/sa为14以下。2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其特征在于，对于所述图案形成用薄膜的表面，以与所述中央区域的外周相接并且包围所有的所述外周的方式，设定8处一边为1μm的四边形的内侧区域并且是相互不重叠的邻接区域，在所有的所述邻接区域分别测定算术平均粗糙度sa与最大高度sz时，所有的sa为1.0nm以下，并且所有的sz/sa为14以下。3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，所述中央区域的最大高度sz为10nm以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的掩模坯料，其特征在于，所述中央区域的均方根粗糙度sq为1.0nm以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模坯料，其特征在于，对于所述图案形成用薄膜的表面，通过使用了波长193nm的检查光的缺陷检查装置进行缺陷检查，取得一边为132mm的四边形的内侧区域即图案形成区域的凸状缺陷的分布时，在所述图案形成区域内存在高度为10nm以下的凸状缺陷即微小缺陷，存在于所述图案形成区域内的所述微小缺陷的存在数量为100个以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的掩模坯料，其特征在于，所述单层膜的除去与所述基板相反的一侧的表层的部分的氮的含量为8原子％以上，或者所述多层膜的所述氮化铬系层的氮的含量为8原子％以上。7.根据权利要求1至6中任一项所述的掩模坯料，其特征在于，所述单层膜的除去与所述基板相反的一侧的表层的部分的铬的含量为60原子％以上，或者所述多层膜的所述氮化铬系层的铬的含量为60原子％以上。8.根据权利要求1至7中任一项所述的掩模坯料，其特征在于，所述多层膜在所述氮化铬系层之上具备含有硅以及氧的硬掩模层。9.根据权利要求1至7中任一项所述的掩模坯料，其特征在于，所述多层膜在所述氮化铬系层之上具备含有铬、氧以及氮的上层。10.根据权利要求9所述的掩模坯料，其特征在于，所述多层膜在所述上层之上具备含有硅以及氧的硬掩模层。11.根据权利要求1至10中任一项所述的掩模坯料，其特征在于，在所述基板与所述图案形成用薄膜之间具备相移膜。12.根据权利要求11所述的掩模坯料，其特征在于，所述相移膜具有使arf准分子激光的曝光用光以8％以上的透过率透过的功能、及使得在与相对于透过了所述相移膜的所述曝光用光以与所述相移膜的厚度相同的距离通过空气中的所述曝光用光之间产生150度以上210度以下的相位差的功能，所述arf准分子激光的波长为193nm。
13.根据权利要求11或12所述的掩模坯料，其特征在于，所述相移膜与所述图案形成用薄膜的层叠结构中的对于arf准分子激光的曝光用光的光学浓度为3.3以上，所述arf准分子激光的波长为193nm。14.一种转印用掩模的制造方法，使用权利要求1至10中任一项所述的掩模坯料，其特征在于，具有如下工序：通过将具有转印图案的抗蚀剂膜作为掩模的干式蚀刻，在所述图案形成用薄膜上形成转印图案。15.一种转印用掩模的制造方法，使用权利要求11至13中任一项所述的掩模坯料，其特征在于，具有如下工序：通过将具有转印图案的抗蚀剂膜作为掩模的干式蚀刻，在所述图案形成用薄膜上形成转印图案；以及通过将具有所述转印图案的图案形成用薄膜作为掩模的干式蚀刻，在所述相移膜上形成转印图案。16.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备如下工序：使用通过权利要求14或15所述的转印用掩模的制造方法获得的转印用掩模，将转印图案曝光转印到半导体基板上的抗蚀剂膜上。
技术总结
提供图案形成用薄膜表面的微小缺陷较少的掩模坯料。掩模坯料在基板上具备图案形成用薄膜。图案形成用薄膜是含有铬与氮的单层膜、或者包含含有铬与氮的氮化铬系层的多层膜。对于图案形成用薄膜的表面，设定以基板的中心为基准的一边为1μm的四边形的内侧区域即中央区域，在该中央区域测定算术平均粗糙度Sa与最大高度Sz时，Sa为1.0nm以下，并且Sz/Sa为14以下。下。下。
技术研发人员：宍户博明 野泽顺
受保护的技术使用者：豪雅株式会社
技术研发日：2022.01.18
技术公布日：2023/9/21
再多了解一些
本文用于创业者技术爱好者查询，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
