放大器及其共模电压的控制方法与流程

技术特征：
1.一种放大器，包含：正端p型晶体管；负端p型晶体管；正端n型晶体管，其中该正端p型晶体管和该正端n型晶体管叠接于第一参考电压和第二参考电压之间，该正端n型晶体管的汲极耦接该正端p型晶体管的汲极并输出正端输出信号；负端n型晶体管，其中该负端p型晶体管和该负端n型晶体管叠接于该第一参考电压和该第二参考电压之间，该负端n型晶体管的汲极耦接该负端p型晶体管的汲极并输出负端输出信号；第一正端电容，耦接于该正端p型晶体管的闸极和该正端n型晶体管的闸极之间；第一负端电容，耦接于该负端p型晶体管的闸极和该负端n型晶体管的闸极之间；及第一控制电路，用来依据该正端输出信号、该负端输出信号及该目标共模电压产生第一控制信号至该第一正端电容的第一端及该第一负端电容的第一端；其中该放大器的正端输入信号由该第一正端电容的第二端输入，及该放大器的负端输入信号由该第一负端电容的第二端输入。2.根据权利要求1所述的放大器，其中该放大器是连续时间放大器，且该放大器另包含正端电阻及负端电阻，其中该第一控制信号通过该正端电阻到达该第一正端电容之该第一端，及该第一控制信号通过该负端电阻到达该第一负端电容之该第一端。3.根据权利要求1所述的放大器，其中该放大器是离散时间放大器，且该放大器另包含第一开关及第二开关，其中该第一控制信号通过该第一开关到达该第一正端电容之该第一端，及该第一控制信号通过该第二开关到达该第一负端电容之该第一端。4.根据权利要求1所述的放大器，另包含：第二正端电容，和该第一正端电容串接于该正端p型晶体管的闸极和该正端n型晶体管的闸极之间，其中该第二正端电容的第二端耦接该第一正端电容之该第二端；及第二负端电容，和该第一负端电容串接于该负端p型晶体管的闸极和该负端n型晶体管的闸极之间，其中该第二负端电容的第二端耦接该第一负端电容之该第二端。5.根据权利要求4的放大器，其中该第一控制信号还被产生至该第二正端电容的第一端及该第二负端电容的第一端。6.根据权利要求4所述的放大器，还包含第二控制电路，用来依据该正端输出信号、该负端输出信号及该目标共模电压产生第二控制信号至该第二正端电容的第一端及该第二负端电容的第一端。7.根据权利要求1所述的放大器，其中该第一控制电路比较该正端输出信号及该负端输出信号的共模电压和该目标共模电压，以产生该第一控制信号。8.根据权利要求1所述的放大器，其中该第一控制电路对该正端输出信号及该负端输出信号的共模电压和该目标共模电压的差进行积分，以产生该第一控制信号。9.根据权利要求1所述的放大器，另包含：第三控制电路，用来依据该正端输出信号、该负端输出信号及该目标共模电压产生第三控制信号；及电流源，依据该第三控制信号调整输出的电流大小。
10.根据权利要求1所述的放大器，另包含电流源，其中该电流源输出固定的电流。

技术总结
本公开涉及放大器及其共模电压的控制方法。本申请揭露一种放大器及其共模电压的控制方法。该控制方法包含：依据正端输出信号、负端输出信号及目标共模电压产生控制信号；及将该控制信号耦合至正端电容的第一端及负端电容的第一端，以调整正端P型晶体管及负端P型晶体管的导通程度，或调整正端N型晶体管及负端N型晶体管的导通程度，进而改变共模电压。进而改变共模电压。进而改变共模电压。


技术研发人员：黄诗雄 洪玮谦
受保护的技术使用者：瑞昱半导体股份有限公司
技术研发日：2022.02.11
技术公布日：2023/8/24