一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET及制备方法与流程

技术特征：
1.一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的mosfet，其特征在于，包括：场板、p 掺杂区，所述场板包括：设置在p-base层上方的第一段场板，由所述第一段场板延伸至沟槽终端中的第二段场板，所述第二段场板改变电场线在介电层的分布；所述p 掺杂区位于所述沟槽终端第二端的n epi层和n sub层和介电层三部分的邻接处。2.根据权利要求1所述的一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的mosfet，其特征在于，还包括：所述n epi层设置于所述n sub层的上方；所述p-base层设置于所述n epi层的上方；所述n epi蚀刻所述沟槽终端；所述介电层填充所述沟槽终端，所述介电层包覆所述第二段场板。3.根据权利要求1所述的一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的mosfet，其特征在于，所述p 掺杂区的宽度小于沟槽终端宽度的4.根据权利要求1所述的一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的mosfet，其特征在于，所述场板为u型或者v型。5.一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的mosfet的制备方法，其特征在于，包括：设置场板；所述场板包括：设置在p-base层上方的第一段场板，由所述第一段场板延伸至沟槽终端中的第二段场板，所述第二段场板改变电场线在介电层的分布；设置p 掺杂区，在沟槽终端第二端的n epi层和n sub层和介电层三部分的邻接处掺杂。6.根据权利要求5所述的一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的mosfet的制备方法，其特征在于，所述设置场板的具体方式包括：外延n epi层后在n epi层上方掺杂p-base层，蚀刻沟槽终端；在沟槽终端中填充介电层；在介电层开设凹陷；将所述场板的第二段沉积在凹陷中，所述场板的第一段沉积在p-base层上方；将介电层回填至场板上方。7.根据权利要求5所述的一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的mosfet的制备方法，其特征在于，将所述场板的形状设置为u型或者v型。8.根据权利要求5所述的一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的mosfet的制备方法，其特征在于，根据沟槽终端的宽度和深度调整所述p 掺杂区的掺杂范围和掺杂浓度。9.根据权利要求8所述的一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的mosfet的制备方法，其特征在于，所述根据沟槽终端的宽度和深度调整所述p 掺杂区的掺杂范围和掺杂浓度，具体包括：将所述p 掺杂区的宽度设置为小于沟槽终端宽度的10.根据权利要求5所述的一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的mosfet的制备方法，其特征在于，所述在沟槽终端第二端的n epi层和n sub层和介电层三部分的邻接处掺
杂具体包括：采用三价元素作为掺杂物，对本征碳化硅掺入受主杂质，使空穴作为多数载子；掺杂的方法包括：离子注入、分子束外延、化学气相沉积。

技术总结
本发明提供一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET及制备方法，该MOSFET包括：场板、P 掺杂区，所述场板包括：设置在P-base层上方的第一段场板，由所述第一段场板延伸至沟槽终端中的第二段场板，所述第二段场板改变电场线在介电层的分布；所述P 掺杂区位于所述沟槽终端第二端的N epi层和N sub层和介电层三部分的邻接处。本发明能够克服沟槽终端微沟槽缺陷引起BV降低的缺点，通过改变电场线的分布提高反向耐压能力。提高反向耐压能力。提高反向耐压能力。


技术研发人员：黄汇钦
受保护的技术使用者：天狼芯半导体（成都）有限公司
技术研发日：2023.05.19
技术公布日：2023/8/24