半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，包括：存储元件，嵌入在绝缘层中；上部电极，连接所述存储元件和第一触点；下部电极，跨过所述存储元件位于与所述上部电极相对的一侧上，所述下部电极连接所述存储元件和第二触点；保护膜，覆盖包括所述存储元件、所述上部电极和所述下部电极的层压体的外围表面，所述外围表面不包括与所述第一触点的连接表面和与所述第二触点的连接表面；以及氢气调节区域，吸收氢气，所述氢气调节区域嵌入在所述绝缘层中，所述绝缘层中的绝缘膜介于所述氢气调节区域与所述层压体之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢气调节区域设置在与在所述绝缘层中设置有所述第一触点的层相同的层中。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢气调节区域设置在与在所述绝缘层中设置有所述层压体的层相同的层中。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢气调节区域设置在与在所述绝缘层中设置有所述第二触点的层相同的层中。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述保护膜在嵌入有所述第一触点和所述层压体的绝缘层与嵌入有所述第二触点的绝缘层之间延伸，并且所述氢气调节区域穿透所述绝缘层之间的所述保护膜的一部分。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢气调节区域设置在彼此相邻的多个所述存储元件之间。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢气调节区域设置为在与从所述第一触点到所述第二触点的方向正交的平面中围绕所述存储元件的整个外围。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢气调节区域的体积在设置有多个所述存储元件的第一区域与设置有多个所述存储元件的第二区域之间不同。

技术总结
根据本公开的一个实施方式的半导体装置(1)包括存储元件(31)、上部电极(32)、下部电极(33)、保护膜(6)和氢气调节区域(7)。存储元件(31)嵌入在绝缘层(21)中。上部电极(32)将存储元件(31)和第一触点(4)彼此连接。下部电极(33)位于与上部电极(32)相对的位置，存储元件(31)介于下部电极(33)与上部电极(32)之间，并且下部电极(33)将存储元件(31)与第二触点(5)彼此连接。保护膜(6)覆盖除了与第一触点(4)连接的连接表面和与第二触点(5)连接的连接表面之外的包括存储元件(31)、上部电极(32)和下部电极(33)的层压体(3)的外围表面。氢气调节区域(7)嵌入在绝缘层(21)中使得绝缘层(21)内的绝缘膜(23)介于层压体(3)与氢气调节区域(7)之间；并且氢气调节区域(7)吸收氢气。并且氢气调节区域(7)吸收氢气。并且氢气调节区域(7)吸收氢气。


技术研发人员：难波佑司
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2021.12.09
技术公布日：2023/8/13