半导体装置及电子设备的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；铁电电容器；以及第一电容，其中，所述第一晶体管的第一栅极与所述铁电电容器的第一端子电连接，所述第一晶体管的第一端子与所述第一晶体管的第二栅极及所述第二晶体管的第一端子电连接，并且，所述第二晶体管的第二端子与所述铁电电容器的第二端子及所述第一电容的第一端子电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述铁电电容器包含介电质，并且所述介电质包含含有铪和锆中的一方或双方的氧化物。3.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；第一铁电电容器；以及第二铁电电容器，其中，所述第一晶体管的第一栅极与所述第一铁电电容器的第一端子电连接，所述第一晶体管的第一端子与所述第一晶体管的第二栅极及所述第二晶体管的第一端子电连接，并且，所述第二晶体管的第二端子与所述第一铁电电容器的第二端子及所述第二铁电电容器的第一端子电连接。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一铁电电容器及所述第二铁电电容器各自包含介电质，并且所述介电质包含含有铪和锆中的一方或双方的氧化物。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，包括第二电容，其中所述第二电容的第一端子与所述第一晶体管的第一端子及所述第二晶体管的第一端子电连接。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中所述第二晶体管的第二栅极与所述第二晶体管的第一栅极电连接。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，包括具有第三晶体管的存储单元，其中所述第三晶体管的第一栅极和第二栅极中的一个与所述第一晶体管的第一端子电连接。8.一种电子设备，包括：权利要求1至7中任一项所述的半导体装置；以及外壳。

技术总结
提供一种数据的保持时间很长的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、铁电电容器、第一电容及存储单元。另外，存储单元包括第三晶体管。第一晶体管的第一栅极与铁电电容器的第一端子电连接，第一晶体管的第一端子与第一晶体管的第二栅极及第二晶体管的第一端子电连接。此外，第二晶体管的第二端子与铁电电容器的第二端子及第一电容的第一端子电连接。第三晶体管的背栅极与第一晶体管的第一端子电连接。在上述结构中，通过向第一晶体管的第一端子供应负电位，可以提高第三晶体管的阈值电压。的阈值电压。的阈值电压。


技术研发人员：松崎隆德 大贯达也 山崎舜平
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2021.08.23
技术公布日：2023/4/25