半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，包括：存储器单元阵列，其中多个存储器单元以矩阵形式排列，其中所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括：触发器电路，包括两个反相器电路，在每个反相器电路中负载场效应晶体管和驱动场效应晶体管串联连接，所述两个反相器电路的输入部分和输出部分彼此交叉连结，两个传输场效应晶体管，每个传输场效应晶体管具有连接到字线的栅电极、以及一对第一和第二主电极区，所述第一主电极区分别连接到所述两个反相器电路的输出部分，以及两个电阻元件，其一个端侧分别连接到所述两个传输场效应晶体管的第二主电极区，并且其另一个端侧分别连接到位线和位线拔。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电阻元件的电阻值大于所述传输场效应晶体管的沟道电阻值。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电阻元件的电阻值为1mω以上。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中当执行积和计算时，所述字线用作轴突，所述位线用作树突，并且所述位线拔用作树突拔。5.一种半导体装置，包括：存储器单元阵列，其中多个存储器单元以矩阵形式排列，其中所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括：触发器电路，包括两个反相器电路，在每个反相器电路中负载场效应晶体管和第一驱动场效应晶体管串联连接，所述两个反相器电路的输入部分和输出部分彼此交叉连结，两个第一传输场效应晶体管，每个第一传输场效应晶体管具有连接到字线的栅电极、以及一对第一和第二主电极区，所述第一主电极区分别连接到所述两个反相器电路的输出部分，并且所述第二主电极区分别连接到位线和位线拔，两个第二驱动场效应晶体管，每个第二驱动场效应晶体管具有栅电极、以及一对第一和第二主电极区，所述栅电极分别连接到所述两个反相器电路的输入部分，所述第一主电极区彼此连接，两个第二传输场效应晶体管，每个第二传输场效应晶体管具有连接到所述字线的栅电极，以及一对第一和第二主电极区，所述第一主电极区分别连接到所述两个第二驱动场效应晶体管的第二主电极区，以及两个电阻元件，其一个端侧分别连接到所述两个第二传输场效应晶体管的第二主电极区，并且其另一个端侧分别连接到树突线和树突线拔。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述电阻元件的电阻值大于所述传输场效应晶体管的沟道电阻值。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述电阻元件的电阻值为1mω以上。8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中当执行积和计算时，所述字线用作轴突。9.一种半导体装置，包括：存储器单元阵列，其中多个存储器单元以矩阵形式排列，其中所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括：触发器电路，包括两个反相器电路，在每个反相器电路中负载场效应晶体管和第一驱
动场效应晶体管串联连接，所述两个反相器电路的输入部分和输出部分彼此交叉连结，第一传输场效应晶体管，具有连接到字线的栅电极、以及一对第一和第二主电极区，所述第一主电极区连接到所述两个反相器电路中的另一个反相器电路的输出部分，并且所述第二主电极区连接到位线拔，两个第二驱动场效应晶体管，每个第二驱动场效应晶体管具有栅电极、以及一对第一和第二主电极区，所述栅电极分别连接到所述两个反相器电路的输入部分，所述第一主电极区彼此连接，两个第二传输场效应晶体管，每个第二传输场效应晶体管具有连接到轴突线的栅电极，以及一对第一和第二主电极区，所述第一主电极区分别连接到所述两个第二驱动场效应晶体管的第二主电极区，以及两个电阻元件，其一个端侧分别连接到所述两个第二传输场效应晶体管的第二主电极区，并且其另一个端侧分别连接到树突线和树突线拔。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述电阻元件的电阻值大于所述传输场效应晶体管的沟道电阻值。11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述电阻元件的电阻值为1mω以上。12.一种半导体装置，包括：存储器单元阵列，其中多个存储器单元以矩阵形式排列，其中所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括：触发器电路，包括两个反相器电路，在所述两个反相器电路中负载场效应晶体管和第一驱动场效应晶体管串联连接，所述两个反相器电路的输入部分和输出部分彼此交叉连结，两个第一传输场效应晶体管，每个第一传输场效应晶体管具有连接到字线的栅电极、以及一对第一和第二主电极区，所述第一主电极区分别连接到所述两个反相器电路的输出部分，并且所述第二主电极区分别连接到位线和位线拔，两个第二驱动隧道场效应晶体管，每个第二驱动隧道场效应晶体管具有栅电极、以及一对n型第一主电极区和p型第二主电极区，所述栅电极分别连接到所述两个反相器电路的输入部分，所述n型第一主电极区连接到轴突线，以及两个第二传输隧道场效应晶体管，每个第二传输隧道场效应晶体管具有连接到所述字线的栅电极、以及一对n型第一主电极区和p型第二主电极区，所述p型第二主电极区分别连接到所述两个第二驱动隧道场效应晶体管的p型第二主电极区，并且所述n型第一主电极区分别连接到树突线和树突线拔。

技术总结
本发明在保持存储器单元的小面积的同时执行具有高功率效率的积和计算。该半导体装置包括其中多个存储器单元以矩阵排列的存储器单元阵列。接着，多个存储器单元中的每个存储器单元包括：触发器电路，该触发器电路包括两个反相器电路，在每个反相器电路中负载场效应晶体管和驱动场效应晶体管串联连接，两个反相器电路的输入部分和输出部分彼此交叉连结；两个传输场效应晶体管，每个传输场效应晶体管具有连接到字线的栅电极，一对第一主电极区和第二主电极区中的第一主电极区分别连接到所述两个反相器电路的输出部分；以及两个电阻元件，其一个端侧分别连接到所述两个传输场效应晶体管的第二主电极区，并且其另一个端侧分别连接到位线和位线拔。连接到位线和位线拔。连接到位线和位线拔。


技术研发人员：塚本雅则
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2021.02.25
技术公布日：2022/11/25