用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组合物、有机光电装置及显示装置的制作方法

用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组合物、有机光电装置及显示装置
1.相关申请的引证
2.本技术要求于2021年7月6日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2021-0088621号、2021年5月18日提交给韩国知识产权局的专利申请第10-2021-0064311号、2022年5月16日提交给韩国知识产权局的专利申请第10-2022-0059688号、以及2022年5月16日提交给韩国知识产权局的专利申请第10-2022-0059689号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.公开了用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组合物、有机光电装置和显示装置。


背景技术：

4.有机光电装置(有机光电二极管)是能够将电能和光能彼此转换的装置。
5.有机光电装置根据其驱动原理可以分类如下。一种是光电装置，其通过将由光能形成的激子分离成电子和空穴，并将电子和空穴分别转移到不同的电极来产生电能，另一种是发光装置，其通过向电极供应电压或电流而从电能产生光能。
6.有机光电装置的实例包括有机光电元件、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机感光鼓。
7.其中，由于对平板显示器的需求增加，有机发光二极管(oled)近来引起关注。有机发光二极管是将电能转化为光的装置，并且其性能受到电极之间有机材料的极大影响。


技术实现要素：

8.一个实施方式提供了用于有机光电装置的化合物，其能够实现具有高效率和长寿命的有机光电装置。
9.另一个实施方式提供了用于有机光电装置的组合物，其包含用于有机光电装置的化合物。
10.另一个实施方式提供了包含用于有机光电装置的化合物或用于有机光电装置的组合物的有机光电装置。
11.另一个实施方式提供了包括有机光电装置的显示装置。
12.根据一个实施方式，提供了由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物。
13.[化学式1]
[0014][0015]
在化学式1中，
[0016]
ra和r1至r
18
各自独立地是氢、氘、卤素、取代或未取代的c1至c30烷基、或取代或未取代的c6至c30芳基，
[0017]
n1是1至3的整数中的一个，
[0018]
ar1和ar2各自独立地是取代或未取代的c1至c30烷基、取代或未取代的c6至c30芳基、或取代或未取代的c2至c30杂环基，
[0019]
l1和l2各自独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基、或取代或未取代的c2至c30杂环基，并且
[0020]
ra和r1至r
18
中的至少一个是氘；
[0021]
ra和r1至r
18
中的至少一个是用至少一个氘取代的c1至c30烷基、或用至少一个氘取代的c6至c30芳基；或者
[0022]
ar1和ar2中的至少一个是用至少一个氘取代的c1至c30烷基、用至少一个氘取代的c6至c30芳基、或用至少一个氘取代的c2至c30杂环基。
[0023]
根据另一个实施方式，用于有机光电装置的组合物包含第一化合物和第二化合物，其中，第一化合物是上述用于有机光电装置的化合物，并且第二化合物是由化学式2表示的用于有机光电装置的化合物。
[0024]
[化学式2]
[0025][0026]
在化学式ⅰ中，
[0027]
z1是n或c-l
3-r
19
，
[0028]
z2是n或c-l
4-r
20
，
[0029]
z3是n或c-l
5-r
21
，
[0030]
z4是n或c-l
6-r
22
，
[0031]
z5是n或c-l
7-r
23
，
[0032]
z6是n或c-l
8-r
24
，
[0033]
z1至z6中的至少两个是n，
[0034]
l3至l8各自独立地是单键、取代或未取代的c6至c20亚芳基、取代或未取代的c2至c20杂环基或其组合，
[0035]r19
至r
24
各自独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c30烷基、取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c2至c30杂环基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、卤素、氰基或其组合，
[0036]r19
至r
24
各自独立地是存在的或其相邻的基团彼此连接以提供取代或未取代的脂肪族单环、取代或未取代的脂肪族多环、取代或未取代的芳香族单环、取代或未取代的形成芳香族多环、取代或未取代的杂芳香族单环、或取代或未取代的杂芳香族多环，并且
[0037]
当r
19
至r
24
各自独立地存在时，r
19
至r
24
中的至少一个是取代或未取代的c10至c30芳基、或取代或未取代的c2至c30杂环基。
[0038]
根据另一个实施方式，有机光电装置包括彼此面对的阳极和阴极，以及在阳极和阴极之间的至少一个有机层，其中，有机层包含用于有机光电装置的化合物。
[0039]
根据另一个实施方式，提供了包括有机光电装置的显示装置。
[0040]
可以实现具有低驱动和长寿命的有机光电装置。
附图说明
[0041]
图1是示出根据一个实施方式的有机发光二极管的截面图。
具体实施方式
[0042]
在下文中，详细地描述本发明的实施方式。然而，这些实施方式是示例性的，本发明不限于此，并且本发明由权利要求的范围限定。
[0043]
在本公开的一个实例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、卤素、羟基、氨基、取代或未取代的c1至c30胺基、硝基、取代或未取代的c1至c40甲硅烷基、c1至c30烷基、c1至c10烷基甲硅烷基，c6至c30芳基甲硅烷基、c3至c30环烷基、c3至c30杂环烷基、c6至c30芳基、c2至c30杂芳基、c1至c20烷氧基、c1至c10三氟烷基、氰基或其组合取代。
[0044]
在本公开的具体实施例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、c1至c30烷基、c1至c10烷基甲硅烷基、c6至c30芳基甲硅烷基、c3至c30环烷基、c3至c30杂环烷基、c6至c30芳基、c2至c30杂芳基或氰基取代。在本公开的具体实施例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、c1至c20烷基、c6至c30芳基基团或氰基取代。在本公开的具体实施例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、c1至c5烷基、c6至c18芳基基团或氰基取代。在本公开的具体实施例中，“取代的”是指取代基或化合物中的至少一个氢被氘、氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基取代。
[0045]
如本文使用的，“未取代的”是指氢原子未被另一个取代基取代，并且剩余氢原子。
[0046]
如本文使用的，“氢取代(-h)”可以包括氘取代(-d)或“氚取代(-t)。
[0047]
如本文使用的，当没有另外提供定义时，“杂”是指在一个官能团中包含一至三个选自n、o、s、p和si的杂原子并且剩余碳。
[0048]
如本文使用的，“芳基”是指包含至少一个烃芳香族部分的基团，并且烃芳香族部分的所有元素具有形成共轭的p轨道，例如苯基、萘基等，两个或更多个烃芳香族部分可以通过σ键连接并且可以是例如联苯基、三联苯基、四联苯基等，并且两个或更多个烃芳香族部分直接或间接稠合以提供非芳香族稠环，例如芴基。
[0049]
芳基可以包括单环、多环或稠环多环(即，共享相邻碳原子对的环)官能团。
[0050]
如本文使用的，“杂环基”是杂芳基的通用概念，并且在环状化合物诸如芳基、环烷基、其稠环或其组合中可以包含选自n、o、s、p和si的至少一个杂原子代替碳(c)。当杂环基为稠环时，杂环基的整个环或每个环可以包含一个或多个杂原子。
[0051]
例如，“杂芳基”可以指包含选自n、o、s、p和si的至少一个杂原子的芳基。两个或更多个杂芳基基团通过σ键直接连接，或当杂芳基包含两个或更多个环时，两个或更多个环可以是稠合的。当杂芳基是稠环时，每个环可以包含1至3个杂原子。
[0052]
更具体地，取代或未取代的c6至c30芳基可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基，取代或未取代的菲基、取代或未取代的并四苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的对三联苯基，取代或未取代的间三联苯基、取代或未取代的邻三联苯基、取代或未取代的屈基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的苝基，取代或未取代的芴基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的呋喃基或其组合，但不限于此。
[0053]
更具体地，取代或未取代的c2至c30杂环基可以是取代或未取代的苯硫基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基，取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噁唑基、取代或未取代的噻唑基、取代或未取代的噁二唑基，取代或未取代的噻二唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基，取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并苯硫基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的喹啉基，取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的苯并噁嗪基，取代或未取代的苯并噻嗪基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩噁嗪基，取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或取代或未取代的二苯并噻吩基或其组合，但不限于此。
[0054]
在本说明书中，空穴特性是指当施加电场时贡献电子以形成空穴的能力，并且由于根据最高占据分子轨道(homo)能级的导电性特性，在阳极中形成的空穴可以容易地注入发光层并在发光层中传输。
[0055]
此外，电子特性是指当施加电场时接受电子的能力，并且由于根据最低未占分子轨道(lumo)能级的导电特性，在阴极中形成的电子可以容易地注入到发光层并且在发光层中传输。
[0056]
在下文中，描述了根据一个实施方式的用于有机光电装置的化合物。
[0057]
根据一个实施方式的用于有机光电装置的化合物由化学式1表示。
[0058]
[化学式1]
[0059][0060]
在化学式1中，
[0061]
ra和r1至r
18
各自独立地是氢、氘、卤素、取代或未取代的c1至c30烷基、或取代或未取代的c6至c30芳基，
[0062]
n1是1至3的整数中的一个，
[0063]
ar1和ar2各自独立地是取代或未取代的c1至c30烷基、取代或未取代的c6至c30芳基、或取代或未取代的c2至c30杂环基，
[0064]
l1和l2各自独立地是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基、或取代或未取代的c2至c30杂环基，并且满足以下的化学式1的条件中的一项或多项：
[0065]
ra和r1至r
18
中的至少一个是氘；
[0066]
ra和r1至r
18
中的至少一个是用至少一个氘取代的c1至c30烷基、或用至少一个氘取代的c6至c30芳基；或者
[0067]
ar1和ar2中的至少一个是用至少一个氘取代的c1至c30烷基、用至少一个氘取代的c6至c30芳基、或用至少一个氘取代的c2至c30杂环基。
[0068]
已知取代氘的化合物与取代氢的化合物相比，由于更低的零点能量和更低的振动能量以及减少的分子间相互作用而具有更低的基态能量，并且因此使薄膜成为非晶态，进一步改善耐热性，并有效改善通过应用其制备的有机发光二极管的寿命。因此，通过氘取代极大提高寿命以及通过咔唑在双咔唑的氮方向上直接键合的结构改善空穴注入和传输特性，可以有效地降低有机发光二极管的驱动电压。
[0069]
例如，化学式1可以由化学式1
‑ⅰ
至化学式1
‑ⅳ
中的任一个表示。
[0070][0071][0072]
在化学式1
‑ⅰ
至化学式1
‑ⅳ
中，
[0073]
r1至r
18
、ar1、ar2、l1和l2与上述相同，并且r
a1
至r
a4
各自独立地与ra的定义相同。
[0074]
作为一个具体实施例，化学式1可以由化学式1
‑ⅱ
或化学式1
‑ⅲ
表示。
[0075]
在一个实施方式中，化学式1可以由化学式1a表示。
[0076]
[化学式1a]
[0077][0078]
在化学式1a中，
[0079]
ra、r1至r7、和r
15
至r
18
各自独立地是氢、氘、卤素、取代或未取代的c1至c30烷基、或取代或未取代的c6至c30芳基，
[0080]
n1是1至3的整数中的一个，
[0081]
ar1和ar2各自独立地是取代或未取代的c1至c30烷基、或取代或未取代的c6至c30芳基，并且
[0082]
l1和l2各自独立地是单键、或取代或未取代的c6至c30亚芳基。
[0083]
在一个具体的实施方式中，化学式1可以由化学式1b表示。
[0084]
[化学式1b]
[0085][0086]
在化学式1b中，
[0087]
ra、r1至r4、和r
15
至r
18
各自独立地是氢、氘、卤素、取代或未取代的c1至c30烷基、或取代或未取代的c6至c30芳基，
[0088]
n1是1至3的整数中的一个，
[0089]
ar1和ar2各自独立地是取代或未取代的c1至c30烷基、或取代或未取代的c6至c30芳基，并且
[0090]
l1和l2各自独立地是单键、或取代或未取代的c6至c30亚芳基。
[0091]
在一个更具体的实施方式中，化学式1可以由化学式1c表示。
[0092]
[化学式1c]
[0093][0094]
在化学式1c中，
[0095]
ra和r
15
至r
18
各自独立地是氢、氘、卤素、取代或未取代的c1至c30烷基、或取代或未取代的c6至c30芳基，
[0096]
n1是1至3的整数中的一个，
[0097]
ar1和ar2各自独立地是取代或未取代的c1至c30烷基、或取代或未取代的c6至c30芳基，并且
[0098]
l1和l2各自独立地是单键、或取代或未取代的c6至c30亚芳基。
[0099]
例如，ra和r1至r
18
中的至少一个可以是氘；ra和r1至r
18
中的至少一个可以是被至少一个氘取代的c1至c10烷基，或被至少一个氘取代的c6至c20芳基；或者ar1和ar2中的至少一个可以是被至少一个氘取代的c1至c10烷基，或被至少一个氘取代的c6至c20芳基。
[0100]
例如，被至少一个氘取代的c1至c10烷基可以包括被至少一个氘取代的甲基、被至少一个氘取代的乙基、被至少一个氘取代的正丙基、被至少一个氘取代的异丙基、被至少一个氘取代的正丁基、被至少一个氘取代的异丁基、被至少一个氘取代的新丁基、被至少一个氘取代的戊基、被至少一个氘取代的庚基，被至少一个氘取代的辛基、被至少一个氘取代的壬基、被至少一个氘取代的癸基等，但不限于此。
[0101]
例如，被至少一个氘取代的c6至c20芳基可以包括被至少一个氘取代的苯基、被至少一个氘取代的联苯基、被至少一个氘取代的三联苯基、被至少一个氘取代的萘基、被至少一个氘取代的菲基、被至少一个氘取代的蒽基、被至少一个氘取代的三亚苯基、被至少一个氘取代的芴基等。
[0102]
根据一个更具体的实施方式，被至少一个氘取代的c6至c20芳基可以是被至少一个氘取代的苯基、或被至少一个氘取代的联苯基，并且
[0103]
例如，其可以选自第ⅰ组的取代基。
[0104]
[第ⅰ组]
[0105][0106]
在第ⅰ组中，*是连接点。
[0107]
由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物的最具体实例可以包括第1组的化合物，但不限于此。
[0108]
[第1组]
[0109]
[0110]
[0111]
[0112]
[0113]
[0114]
[0115][0116]
根据另一个实施方式的用于有机光电装置的组合物包含第一化合物和第二化合物，其中，第一化合物是用于有机光电装置的上述化合物，并且第二化合物是有机化合物可以是由化学式2表示的用于光电装置的化合物。
[0117]
[化学式2]
[0118][0119]
在化学式2中，
[0120]
z1是n或c-l
3-r
19
，
[0121]
z2是n或c-l
4-r
20
，
[0122]
z3是n或c-l
5-r
21
，
[0123]
z4是n或c-l
6-r
22
，
[0124]
z5是n或c-l
7-r
23
，
[0125]
z6是n或c-l
8-r
24
，
[0126]
z1至z6中的至少两个是n，
[0127]
l3至l8各自独立地是单键、取代或未取代的c6至c20亚芳基、取代或未取代的c2至c20杂环基或其组合，
[0128]r19
至r
24
各自独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c30烷基、取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c2至c30杂环基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、卤素、氰基或其组合，
[0129]r19
至r
24
各自独立地是存在的或其相邻的基团彼此连接以提供取代或未取代的脂肪族单环、取代或未取代的脂肪族多环、取代或未取代的芳香族单环、取代或未取代的形成芳香族多环、取代或未取代的杂芳香族单环、或取代或未取代的杂芳香族多环，并且
[0130]
当r
19
至r
24
各自独立地存在时，r
19
至r
24
中的至少一个是取代或未取代的c10至c30芳基、或取代或未取代的c2至c30杂环基。
[0131]
取决于r
19
至r
24
的相邻基团是否进一步稠合，化学式2可以例如由化学式2
‑ⅰ
至化学式2
‑ⅳ
中的任一个表示。
[0132]
例如，当r
19
至r
24
各自独立地存在时，其可以由化学式2-i表示。在这种情况下，r20、r22和r24中的至少一个是取代或未取代的c10至c30芳基、或取代或未取代的c2至c30杂环基。
[0133]
在另一个实施例中，可以连接r
20
和r
21
以形成取代或未取代的芳香族单环或者取代或未取代的芳香族多环，并且可以由化学式2
‑ⅱ
或化学式2
‑ⅲ
表示。
[0134]
在另一个实例中，r
20
和r
21
可以连接以形成取代或未取代的杂芳香族多环，其可以由化学式2
‑ⅳ
表示。
[0135][0136][0137]
[化学式2
‑ⅳ
]
[0138][0139]
在化学式2-i至化学式2
‑ⅳ
中，z1、z3至z6、l4、l6、l8、r
20
、r
22
以及r
24
与上述相同，
[0140]
x1是o或s，
[0141]
化学式2-i的z1、z3和z5中的至少两个是n，
[0142]
化学式2
‑ⅱ
的z1、z4和z5中的至少两个是n，
[0143]
化学式2
‑ⅲ
和化学式2
‑ⅳ
的z1、z4至z6中的至少两个是n，
[0144]
rb至re各自独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c30烷基、取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c2至c30杂环基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺
基、卤素、氰基或其组合，
[0145]
n2、n4和n5各自独立地是1至4的整数中的一个，并且
[0146]
n3是1或2的整数。
[0147]
在一个实施方式中，第二化合物可以由化学式2
‑ⅰ
表示。
[0148]
具体地，在化学式2-i中，z1、z3和z5可以各自独立地是n或ch，并且z1、z3和z5中的至少两个可以是n。
[0149]
例如，z1、z3和z5可以各自是n。
[0150]
例如，z1和z3可以是n，并且z5可以是ch。
[0151]
在化学式2-i中，l4、l6和l8可以各自独立地是单键、亚苯基、亚联苯基、亚咔唑基、亚二苯并呋喃、亚二苯并噻吩或亚吡啶基。
[0152]
例如，l4、l6和l8可以各自独立地是单键、间亚苯基或对亚苯基。
[0153]
在化学式2-i中，r
20
、r
22
和r
24
可以各自独立地是取代或未取代的c6至c30芳基或取代或未取代的c2至c30杂环基，r
20
、r
22
和r
24
中的至少一个可以是取代或未取代的c10至c30芳基、或取代或未取代的c2至c30杂环基。
[0154]
具体地，r
20
、r
22
和r
24
可以各自独立地是取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吲哚并咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的稠合咔唑基、取代或未取代的稠合二苯并呋喃基、取代或未取代的稠合二苯并噻吩基、取代或未取代的稠合吲哚并咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的喹唑啉基、或取代或未取代的苯并喹唑啉基，并且
[0155]r20
、r
22
和r
24
中的至少一个可以是取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吲哚并咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基，取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的稠合咔唑基、取代或未取代的稠合二苯并呋喃基、取代或未取代的稠合二苯并噻吩基、取代或未取代的稠合吲哚并咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的喹唑啉基、或取代或未取代的苯并喹唑啉基。
[0156]
例如，r
20
、r
22
和r
24
可以各自独立地是取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吲哚并咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基或其组合，
[0157]r20
、r
22
、和r
24
中的至少一个可以是取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吲哚并咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或取代或未取代的二苯并噻吩基。
[0158]
例如，化学式2
‑ⅰ
可由化学式2
‑ⅰ
a至化学式2
‑ⅰ
d中的任一个表示。
[0159]
[0160][0161]
[化学式2
‑ⅰ
d]
[0162][0163]
在化学式2
‑ⅰ
a至化学式2
‑ⅰ
d中，
[0164]
z1、z3、z5、l4、l6、l8、r
22
以及r
24
与以上描述的相同，
[0165]
x2是o、s或nri，
[0166]
z7是n或c-l
9-r
34
，
[0167]
z8是n或c-l
10-r
35
，
[0168]
z9是n或c-l
11-r
36
，
[0169]z10
是n或c-l
12-r
37
，
[0170]z11
是n或c-l
13-r
38
，
[0171]
z7至z
11
中的至少一个是n，
[0172]
l9至l
13
各自独立地是单键、取代或未取代的c6至c20亚芳基、取代或未取代的c2至c20杂环基或其组合，
[0173]ri
是取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c2至c30杂环基或其组合，
[0174]r25
至r
38
和r
42
至r
44
各自独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c30烷基、取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c2至c30杂环基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、卤素、氰基或其组合，
[0175]r25
至r
38
各自独立地是存在的或其相邻的基团彼此连接以提供取代或未取代的脂
肪族单环、取代或未取代的脂肪族多环、取代或未取代的芳香族单环、取代或未取代的形成芳香族多环、取代或未取代的杂芳香族单环、或取代或未取代的杂芳香族多环，
[0176]
m是0至3的整数，
[0177]
n6至n8各自独立地是1至4的整数中的一个，
[0178]
n7是1至3的整数中的一个，并且
[0179]
环a由化学式a-1至a-6中的任一个表示，
[0180][0181]
x3各自独立地是o或s，
[0182]r45
至r
49
各自独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c30烷基、取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c2至c30杂环基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、卤素、氰基或其组合，
[0183]
n10、n12和n14各自独立地是1至4的整数中的一个，
[0184]
n11和n13是1或2的整数，并且
[0185]
*是每个融合点。
[0186]
在一个具体的实施方式中，l9至l
13
可以各自独立地是单键、亚苯基或亚联苯基，
[0187]ri
可以是c6至c12芳基，并且
[0188]
m可以是0至2的整数中的一个。
[0189]
例如，第二化合物可以由化学式2
‑ⅰ
b表示，并且
[0190]
例如，相邻的r
25
至r
28
基团可以连接以形成由化学式2
‑ⅰ
b-1至化学
[0191]
式2
‑ⅰ
b-6中任一个表示的取代或未取代的杂芳香族多环。
[0192][0193][0194]
在化学式2
‑ⅰ
b-1至化学式2
‑ⅰ
b-6 中，
[0195]
x4是o、s cr
jrk
或n-l
14-ar3，
[0196]
l4、l6、l8和l
14
各自独立地是单键、取代或未取代的c6至c20亚芳基、取代或未取代的c2至c20杂环基或其组合，
[0197]rj
和rk各自独立地是取代或未取代的c1至c20烷基、取代或未取代的c6至c30芳基或其组合，
[0198]
ar3、r
22
和r
24
各自独立地是取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c2至c30杂环基或其组合，
[0199]r25
至r
32
和r
50
各自独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c30烷基、取代或未取代的
c6至c30芳基、取代或未取代的c2至c30杂环基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的胺基、卤素、氰基或其组合，并且
[0200]
n15是1至4的整数中的一个。
[0201]
在一个更具体的实施方式中，rj和rk可以各自独立地是取代或未取代的c1至c10烷基、取代或未取代的c6至c12芳基。
[0202]
在一个更具体的实施方式中，ar3可以是取代或未取代的c6至c18芳基、或取代或未取代的c2至c20杂环基。
[0203]
在一个更具体的实施方式中，r
22
和r
24
可以各自独立地是取代或未取代的c6至c12芳基。
[0204]
在一个更具体的实施方式中，r
25
至r
32
和r
50
可以各自独立地表示氢、氘、氰基、c1至c10烷基或c6至c12芳基。
[0205]
例如，rj和rk可以各自独立地是取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基或其组合。
[0206]
例如，ar3可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或取代或未取代的二苯并噻吩基。
[0207]
例如，r
22
和r
24
可以各自独立地是取代或未取代的苯基、或取代或未取代的联苯基。
[0208]
例如，r
25
至r
32
和r
50
可以各自独立地是氢或氘，或其至少一个可以是苯基，但不限于此。
[0209]
例如，r
42
至r
44
可以各自独立地是氢或氘，或其至少一个可以是苯基，但不限于此。
[0210]
在一个最具体的实施方式中，第二化合物可以用上述化学式2
‑ⅰ
b-2表示，其中x4可以是n-l
14-ar3，其中n15可以是1至4的整数，其中l4、l6、l8和l
14
可以各自独立地是单键、或取代或未取代的亚苯基，ar3可以是取代或未取代的c6至c12芳基，r
22
和r
24
可以各自独立地是取代或未取代的苯基，或取代或未取代的联苯基，并且r
25
至r
32
和r
50
可以各自独立地是氢或氘，或其至少一个可以是苯基。
[0211]
由化学式2表示的用于有机光电装置的化合物的最具体的实例可以包括但不限于第2组的化合物。
[0212]
[第2组]
[0213]
[0214]
[0215]
[0216]
[0217]
[0218][0219]
例如，可以以约1:99至约99:1的重量比包含第一化合物和第二化合物。在以上范围内，可以使用第一化合物的电子传输能力和第二化合物的空穴传输能力调节适当的重量比以实现双极特性并且改善效率和寿命。在以上范围内，例如，可以以约10:90至约90:10、约20:80至约80:20，例如约20:80至约70:30、约20:80至约60:40以及约30:70至约60:40的重量比包含它们。作为一个具体实施例，可以以约40:60、约50:50或约60:40的重量比包含它们。
[0220]
除了上述用于有机光电装置的化合物之外，还可以包含一种或多种化合物。
[0221]
例如，组合物可以进一步包含掺杂剂。
[0222]
掺杂剂可以是例如磷光掺杂剂，例如红色、绿色或蓝色磷光掺杂剂，例如红色或绿色磷光掺杂剂。
[0223]
掺杂剂是通过少量与用于有机光电装置的化合物或组合物混合而发光的材料。通常，掺杂剂可以是诸如金属络合物的材料，其通过多重激发成三重态或更多来发光。掺杂剂可以是例如无机、有机或有机-无机化合物，并且可以包含一种或两种以上。
[0224]
掺杂剂的实例可以是磷光掺杂剂，并且磷光掺杂剂的实例可以包括有机金属化合物，其包括ir、pt、os、ti、zr、hf、eu、tb、tm、fe、co、ni、ru、rh、pd或其组合。磷光掺杂剂可以使用例如由化学式z表示的化合物，但不限于此。
[0225]
[化学式z]
[0226]
l
15
mx5[0227]
在化学式z中，m是金属，并且l
15
和x5彼此相同或不同并且是与m形成络合物的配体。
[0228]
m可以是例如ir、pt、os、ti、zr、hf、eu、tb、tm、fe、co、ni、ru、rh、pd或其组合，并且l
15
和x5可以是例如二齿配体。
[0229]
由l
15
和x5表示的配体的实例可以选自第a组的化学式，但不限于此。
[0230]
[第a组]
[0231][0232]
在第a组中，
[0233]r300
至r
302
各自独立地是氢、氘、被卤素取代或未取代的c1至c30烷基、被c1至c30烷基取代或未取代的c6至c30芳基、或卤素，并且
[0234]r303
至r
324
各自独立地是氢、氘、卤素、取代或未取代的c1至c30烷基、取代或未取代的c1至c30烷氧基、取代或未取代的c3至c30环烷基，取代或未取代的c2至c30烯基、取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c1至c30杂芳基、取代或未取代的c1至c30氨基、取代或未取代的c6至c30芳基氨基、sf5、具有取代或未取代的c1至c30烷基的三烷基甲硅烷基、具有取代或未取代的c1至c30烷基和c6至c30芳基的二烷基芳基甲硅烷基、或具有取代或未取代的c6至c30芳基的三芳基甲硅烷基。
[0235]
作为一个实施例，可以包含由化学式
ⅴ
表示的掺杂剂。
[0236]
[化学式
ⅴ
]
[0237][0238]
在化学式
ⅴ
中，
[0239]r101
至r
116
各自独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基、取代或未取代的c6至c20芳基或-sir
132r133r134
，
[0240]r132
至r
134
各自独立地是c1至c6烷基，
[0241]r101
至r
116
中的至少一个是由化学式
ⅴ‑
1表示的官能团，
[0242]
l
100
是一价阴离子的二齿配体，并且是通过孤对碳或杂原子与铱配位的配体，并且
[0243]
m15和m16各自独立地是0至3的整数中的任一个，并且m15 m16是1至3的整数中的任一个。
[0244]
[化学式
ⅴ‑
1]
[0245][0246]
在化学式
ⅴ‑
1中，
[0247]r135
至r
139
各自独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基、取代或未取代的c6至c20芳基或-sir
132r133r134
，
[0248]r132
至r
134
各自独立地是c1至c6烷基，并且
[0249]
*表示连接至碳原子的部分。
[0250]
作为一个实施例，可以包含由化学式z-1表示的掺杂剂。
[0251]
[化学式z-1]
[0252][0253]
在化学式z-1中，环a、b、c和d各自独立地表示5元或6元碳环或杂环；
[0254]
ra、rb、rc以及rd各自独立地表示单-、二-、三-、或四-取代或未取代的；
[0255]
lb、lc、和ld各自独立地选自直接键、br、nr、pr、o、s、se、c＝o、s＝o、so2、crr'、sirr'、gerr'、以及其组合；
[0256]
当na是1时，le选自直接键、br、nr、pr、o、s、se、c＝o、s＝o、so2、crr'、sirr'、gerr'以及其组合；当na是0时，le不存在；并且
[0257]
ra、rb、rc、rd、r和r'各自独立地选自氢、氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、异腈基、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基以及其组合；任何相邻的ra、rb、rc、rd、r和r'可选地彼此连接以提供环；xb、xc、xd和xe各自独立地选自碳和氮；并且q1、q2、q3和q4各自表示氧或直接键。
[0258]
根据实施方式的掺杂剂可以是铂络合物，并且可以例如由化学式ⅵ表示。
[0259]
[化学式ⅵ]
[0260][0261]
在化学式ⅵ中，
[0262]
x
100
选自o、s和nr
131
，
[0263]r117
至r
131
各自独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基、取代或未取代的c6至c20芳基或-sir
132r133r134
，
[0264]r132
至r
134
各自独立地是c1至c6烷基，并且
[0265]r117
至r
131
中的至少一个-sir
132r133r134
或叔丁基。
[0266]
在下文中，描述了包含上述用于有机光电装置的化合物或用于有机光电装置的组合物的有机光电装置。
[0267]
有机光电装置可以是任何将电能转换成光能的装置，反之亦然，而没有特别限制，并且可以是例如有机光电装置、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机感光鼓。
[0268]
在本文中，参照附图描述了作为有机光电装置的一个实例的有机发光二极管。
[0269]
图1是示出根据一个实施方式的有机发光二极管的截面图。
[0270]
参照图1，根据一个实施方式的有机发光二极管100包括面向彼此的阳极120和阴极110以及设置在阳极120和阴极110之间的有机层105。
[0271]
阳极120可以由具有大功函数的导体制成以帮助空穴注入，并且可以是例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阳极120可以是例如诸如镍、铂、钒、铬、铜、锌、金等金属或其合金；诸如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等金属氧化物；金属和氧化物诸如zno和al或sno2和sb的组合；导电聚合物诸如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(乙烯-1,2-二氧基)噻吩)(pedot)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。
[0272]
阴极110可以由具有小功函数的导体制成以帮助电子注入，并且可以是例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阴极110可以是例如诸如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝银、锡、铅、铯、钡等金属或其合金；诸如lif/al、lio2/al、lif/ca和baf2/ca的多层结构材料，但不限于此。
[0273]
有机层105可以包含上述用于有机光电装置的化合物或用于有机光电装置的组合物。
[0274]
有机层105可以包括例如发光层130，并且发光层130可以包括例如上述用于有机光电装置的化合物或用于有机光电装置的组合物。
[0275]
例如，进一步包含掺杂剂的用于有机光电装置的组合物可以是绿色发光组合物。
[0276]
发光层130可以包含例如作为磷光主体的上述用于有机光电装置的组合物。
[0277]
除了发光层之外，有机层还可以包括电荷传输区。
[0278]
电荷传输区可以是例如空穴传输区140。
[0279]
空穴传输区140可以进一步增加阳极120与发光层130之间的空穴注入和/或空穴迁移率，并且阻挡电子。具体地，空穴传输区140可包括在阳极120与发光层130之间的空穴传输层、以及在发光层130与空穴传输层之间的空穴传输辅助层，并且
[0280]
上述用于有机光电装置的化合物或用于有机光电装置的组合物可以包含在空穴传输层和空穴传输辅助层的至少一层中。
[0281]
例如，其可以包含在空穴传输辅助层中。
[0282]
作为另一个实施例，第b组的化合物中的至少一个可以包含在空穴传输层和空穴传输辅助层的至少一个中。
[0283]
[第b组]
[0284]
[0285]
[0286]
[0287][0288]
在空穴传输区140中，除了这些化合物之外，可以使用在us5061569a、jp1993-009471a、wo1995-009147a1、jp1995-126615a、jp1998-095973a等中公开的已知化合物以及与其类似的化合物。
[0289]
而且，电荷传输区可以是例如电子传输区150。
[0290]
电子传输区150可以进一步增加阴极110和发光层130之间的电子注入和/或电子迁移率，并且阻挡空穴。
[0291]
具体地，电子传输区150可以包括在阴极110和发光层130之间的电子传输层，以及在发光层130和电子传输层之间的电子传输辅助层，并且第c组的化合物的至少一个可以包含在电子传输层和电子传输辅助层的至少一种中。
[0292]
[第c组]
[0293]
[0294]
[0295]
[0296][0297]
一个实施方式可以提供包括发光层作为有机层的有机发光二极管。
[0298]
发光层可以包含上述用于有机光电装置的组合物。
[0299]
另一个实施方式可以提供有机发光二极管，其包括发光层和空穴传输区作为有机层。
[0300]
空穴传输区可以包含上述用于有机光电装置的化合物。
[0301]
例如，空穴传输辅助层可以包含上述用于有机光电装置的化合物。
[0302]
另一个实施方式可以提供有机发光二极管，其包括发光层和电子传输区作为有机层。
[0303]
除了发光层130作为有机层105之外，根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管可以包括空穴传输区140和电子传输区150，如图1中所示。
[0304]
另一方面，除了发光层作为上述有机层之外，有机发光二极管可以进一步包括电子注入层(未示出)、空穴注入层(未示出)等。
[0305]
有机发光二极管100可以通过在基板上形成阳极或阴极、使用诸如真空沉积法(蒸发)、溅射、等离子体电镀和离子电镀的干膜形成方法形成有机层、以及在其上形成阴极或阳极来制造。
[0306]
有机发光二极管可以应用于有机发光显示装置。
[0307]
在下文中，参考实施例更详细地说明实施方式。然而，这些实施例是示例性的，并且本范围不限于此。
[0308]
在下文中，在实施例和合成例中使用的起始材料和反应物购自sigma-aldrich co.ltd.、tci inc.、或tokyo chemical industry，只要没有具体的评论或通过已知的方法合成。
[0309]
(用于有机光电装置的化合物的制备)
[0310]
合成例1：化合物1-32的合成
[0311]
[反应方案1]
[0312][0313]
第一步：中间体int-1的合成
[0314]
在氮气条件下，将9-苯基-3,3
’‑
二-9h-咔唑(20g，49.0mmol)、2-溴-9-苯基咔唑(15.8g，49.0mmol)、naotbu(7.1g，73.5mmol)、pd2(dba)3(2.2g，2.5mmol)、以及p(t-bu)3(1.5g，7.4mmol)放入圆底烧瓶中，并且溶解在二甲苯(245ml)中，然后在120℃在回流下搅拌12小时。当反应完成时，将过量的蒸馏水倒入其中，然后，搅拌1小时。将其中的固体过滤并在高温下溶解在甲苯中。在用mgso4去除水分并用硅胶垫过滤有机溶剂之后，搅拌来自其的滤液。当形成固体时，将固体过滤并真空干燥以得到21.6g(68％)的中间体int-1。
[0315]
第二步：化合物1-32的合成
[0316]
在氮气条件下，将中间体int-1(21.6g，33.27mmol)、三氟甲磺酸(24.96g，166.35mmol)和苯-d6(174.97g，2079.32mmol)放入圆底烧瓶中，然后在50℃在回流下搅拌20小时。当反应完成时，慢慢地将d2o(124.82ml)倒入其中以用于骤冷，然后充分搅拌。滴定k3po4(aq)饱和溶液以中和所得物。在完成反应并用分液漏斗除去水层以后，在减压下从其中除去有机溶剂以获得固体。将获得的固体在高温下溶解在甲苯中。在用mgso4去除水分并用硅胶垫过滤有机溶剂之后，搅拌来自其的滤液。当形成固体时，将固体过滤并真空干燥以得到16.73g(75％)的化合物1-32。
[0317]
合成例2：化合物1-62的合成
[0318]
[反应方案2]
[0319][0320]
第一步：中间体int-2的合成
[0321]
以与合成例1的第一步相同的方式得到中间体int-2(22.6g，71％)，不同之处在于反应物从2-溴-9-苯基咔唑变为3-溴-9-苯基咔唑。
[0322]
第二步：化合物1-62的合成
[0323]
以与合成实施例1的第二步骤相同的方式得到化合物1-62(16.6g，71％)，不同之处在于使用中间体int-2代替中间体int-1。
[0324]
合成例3：化合物1-76的合成[反应方案3]
[0325][0326]
第一步：中间体int-3的合成
[0327]
在氮气条件下，将3,3’双咔唑(20g，60.2mmol)、3-溴联苯(7g，30.1mmol)、naotbu(8.7g，90.3mmol)、pd2(dba)3(2.8g，3.0mmol)以及p(t-bu)3(1.8g，9.0mmol)放入圆底烧瓶中并溶解在300ml二甲苯中，然后在120℃在回流下搅拌12小时。当反应完成时，在其中倒入过量的蒸馏水，然后搅拌混合物1小时之后，从其除去水层。随后通过使用柱色谱法(己烷：dcm(20％))得到11.1g(38％)的中间体int-3。
[0328]
第二步：中间体int-4的合成
[0329]
以与合成例1的第一步相同的方式获得中间体int-4(6.5g，59％)，不同之处在于
反应物从9-苯基-3,3
’‑
二-9h-咔唑变为中间体int-3并且从2-溴-9-苯基咔唑变为3-溴-9-苯基咔唑。
[0330]
第三步：化合物1-76的合成
[0331]
以与合成实施例1的第二步骤中相同的方式得到化合物1-76(3.5g，52％)，不同之处在于使用中间体int-4代替中间体int-1。
[0332]
合成例4：化合物1-33的合成
[0333]
[反应方案4]
[0334][0335][0336]
第一步：中间体int-5的合成
[0337]
在氮气条件下，将9-苯基-3,3
’‑
二-9h-咔唑(25g，61.2mmol)、三氟甲磺酸(45.9g，306.01mmol)和苯-d6(321.88g，3825.06mmol)放入圆底烧瓶中，并且在50℃在回流下搅拌20小时。当反应完成时，慢慢地将d2o(229.61ml)倒入其中以用于骤冷，然后充分搅拌。滴定k3po4(aq)饱和溶液以中和所得物。在完成反应并用分液漏斗去除水层以后，通过柱层析法
(己烷：dcm(20％))处理有机溶剂，得到15.5g(60％)中间体int-5
[0338]
第二步：中间体int-6的合成
[0339]
在氮气条件下，将碘苯-d5(15g，71.8mmol)、2-溴-9h-咔唑(17.7g，71.8mmol)、naotbu(10.3g，107.6mmol)、pd2(dba)3(3.3g，3.6mmol)、和p(t-bu)3(2.2g，10.8mmol)放入圆底烧瓶中并溶解在360ml二甲苯中，然后在120℃在回流下搅拌12小时。当反应完成时，在其中倒入过量的蒸馏水，然后搅拌混合物1小时之后，从其除去水层。随后通过柱色谱法(己烷：dcm(20％))得到16.4g(70％)的中间体int-6。
[0340]
第三步：化合物1-33的合成
[0341]
以与合成实施例1的第一步相同的方式得到化合物1-33(17.4g，71％)，不同之处在于使用中间体int-5代替9-苯基-3,3
’‑
二-9h-咔唑和中间体int-6代替2-溴-9h-咔唑。
[0342]
合成例5：化合物2-69的合成
[0343]
[反应方案5]
[0344][0345]
在氮气条件下，将2-([1,1
’‑
联苯基]-4-基)-4-氯-6-苯基-1,3,5-三嗪(15g，43.6mmol)、11,12-二氢-11-苯基吲哚并[2,3-a]咔唑(11.6g，34.9mmol)、以及nah(1.6g，65.4mmol)放入圆底烧瓶中并溶解在220ml的dmf中，并且然后在室温下搅拌12小时。当反应完成时，将过量的蒸馏水倒入其中，然后搅拌1小时。将其中的固体过滤并在高温下溶解于mcb中。在用mgso4去除水分并用硅胶垫过滤有机溶剂之后，搅拌来自其的滤液。当形成固体时，将固体过滤并真空干燥，得到20.4g(73％)的化合物2-69。
[0346]
合成例6：化合物3的合成
[0347]
[反应方案6]
[0348][0349]
以与合成例1的第一步相同的方式合成7.6g(42％)的化合物3，不同之处在于使用
4-溴-1,1
’‑
联苯代替2-溴-9h-咔唑之外，然后通过柱色谱法(己烷：dcm(20％))纯化。
[0350]
比较合成例1：化合物c-1的合成
[0351]
[反应方案7]
[0352][0353]
第一步：中间体int-7的合成
[0354]
在氮气条件下，将9-苯基-3,6-双(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-9h-咔唑(20g，40.4mmol)、3-溴-9-苯基咔唑(32.5g，101mmol)、k2co3(16.7g，121.2mmol)、以及pd(pph3)4(2.3g，2mmol)放入圆底烧瓶中并溶解在135ml的thf和70ml蒸馏水中，然后在60℃在回流下搅拌12小时。当反应完成时，在去除水层之后，在减压下从其中去除有机溶剂m，得到固体。将该固体在高温下溶解在mcb中。
[0355]
在用mgso4去除水分并用硅胶垫过滤有机溶剂之后，搅拌来自其的滤液。当形成固体时，将固体过滤并真空干燥，得到18.2g(62％)的中间体int-7。
[0356]
第二步：合成化合物c-1
[0357]
以与合成例1的第二步相同的方式得到化合物c-1(13.3g，71％)，不同之处在于使用中间体int-7代替中间体int-1。
[0358]
比较合成例2：化合物c-2的合成
[0359]
[反应方案8]
[0360][0361]
第一步：中间体int-8的合成
[0362]
以与比较合成例1的第一步相同的方式获得中间体int-8(11.6g，54％)，除了使用9-苯基-3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)咔唑代替9-苯基-3,6-二(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-9h-咔唑和1-溴-4-碘苯代替3-溴-9-苯基咔唑。
[0363]
第二步：中间体int-9的合成
[0364]
以与合成例1的第一步相同的方式得到中间体int-9(26.6g，73％)，不同之处在于使用中间体int-8代替2-溴-9h-咔唑。
[0365]
第三步：化合物c-2的合成
[0366]
以与合成例1的第二步相同的方式得到化合物c-2(20g，73％)，不同之处在于使用中间体int-9代替中间体int-1。
[0367]
(有机发光二极管的制造)
[0368]
实施例1
[0369]
用蒸馏水超声波清洗涂覆有ito(氧化铟锡)的玻璃基板。在用蒸馏水清洗之后，用溶剂诸如异丙醇、丙酮、甲醇等超声清洗玻璃基板并干燥，然后移到等离子体清洁器，通过使用氧等离子体清洁10分钟，并移到真空沉积器。将制备的ito透明电极用作阳极，在ito基板上真空沉积掺杂有1％ndp-9的化合物a(novaled gmbh)以形成厚的空穴注入层，并且在空穴注入层上沉积化合物a至的厚度以形成空穴传输层。合成例1的化合物1-32在空穴传输层上沉积的厚度以形成空穴传输辅助层。在空穴传输辅助层上，以3:7的重量比使用在合成例5中得到的化合物2-69和在合成例6中得到的化合物3的混合物作为主体，并用作为掺杂剂的10wt％的phgd掺杂以通过真空沉积形成厚的发光层。随后，在发光层上沉积化合物c以形成厚的电子传输辅助层，并且同时以1:1的重量比真空沉积化合物d和liq以形成厚的电子传输层。在电子传输层上，将liq和al依次真空沉积至厚和厚，从而制造有机发光二极管。
[0370]
结构是ito/化合物a(1％ndp-9掺杂，)/化合物a/化合物1-32/eml[90wt％的主体(化合物2-69：化合物3＝3：7 w/w)：10wt％的phgd]/化合物c/化合物d:liq/liq/al
[0371]
化合物a：n-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-n-(4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基)-9h-芴-2-胺
[0372]
化合物b：n,n-双(9,9-二甲基-9h-芴-4-基)-9,9-螺二(芴)-2-胺
[0373]
化合物c：2-(3-(3-(9,9-二甲基-9h-芴-2-基)苯基)苯基)-4,6-联苯基-1,3,5-三嗪
[0374]
化合物d：2-(联苯基-4-基)-4-(9,9-联苯基-9h-芴-4-基)-6-苯基-1,3,5-三嗪
[0375]
[phgd]
[0376][0377]
实施例2
[0378]
以与实施例1相同的方式制造有机发光二极管，不同之处在于使用合成实施例2的化合物1-62代替化合物1-32。
[0379]
比较例1
[0380]
以与实施例1相同的方式制造有机发光二极管，不同之处在于使用比较合成例1的化合物c-1代替化合物1-32。
[0381]
实施例3
[0382]
用蒸馏水超声波清洗涂覆有ito(氧化铟锡)的玻璃基板。在用蒸馏水清洗之后，用溶剂诸如异丙醇、丙酮、甲醇等超声清洗玻璃基板并干燥，然后移到等离子体清洁器，通过使用氧等离子体清洁10分钟，并移到真空沉积器。将制备的ito透明电极用作阳极，在ito基
板上真空沉积掺杂有1％ndp-9的化合物a(novaled gmbh)以形成厚的空穴注入层，并且在空穴注入层上沉积化合物a至的厚度以形成空穴传输层。在空穴传输层上沉积厚度为的化合物b以形成空穴传输辅助层。在空穴传输辅助层上，以7:3的重量比使用在合成例1中得到的化合物1-32和在合成例5中得到的化合物2-69的混合物作为主体，并用作为掺杂剂的10wt％的phgd掺杂以通过真空沉积形成厚的发光层。随后，沉积化合物c以在发光层上形成厚的电子传输辅助层，并且同时以1:1的重量比真空沉积化合物d和liq以形成厚的电子传输层。在电子传输层上，将liq和al依次真空沉积至厚和厚，从而制造有机发光二极管。
[0383]
该结构是ito/化合物a(1％ndp-9掺杂，)/化合物a/化合物b/eml[90wt％的主体(化合物1-32:化合物2-69＝7:3w/w):10wt％的phgd]/化合物c/化合物d:liq/liq/al
[0384]
实施例4
[0385]
以与实施例3相同的方式制造有机发光二极管，不同之处在于使用合成例2的化合物1-62代替化合物1-32。
[0386]
比较例2
[0387]
以与实施例3相同的方式制造有机发光二极管，不同之处在于使用比较合成例1的化合物c-1代替化合物1-32。
[0388]
比较例3
[0389]
以与实施例3相同的方式制造有机发光二极管，不同之处在于使用比较合成例2的化合物c-2代替化合物1-32。
[0390]
比较例4
[0391]
以与实施例3相同的方式制造有机发光二极管，不同之处在于使用合成例1的化合物int-1代替化合物1-32。
[0392]
比较例5
[0393]
以与实施例3相同的方式制造有机发光二极管，不同之处在于使用合成例2的化合物int-2代替化合物1-32。
[0394]
评价
[0395]
评价了根据实施例1至4和比较例1至5的有机发光二极管的驱动电压和寿命特性。
[0396]
具体测量方法如下，结果示于表1和表2中。
[0397]
(1)根据电压变化的电流密度变化的测量
[0398]
在使用电流-电压计(keithley 2400)将电压从0v增加至10v的同时，测量获得的有机发光二极管关于在单元装置中流动的电流值，并且将测量的电流值除以面积以提供结果。
[0399]
(2)根据电压变化的亮度变化的测量
[0400]
在有机发光二极管的电压从0v增加至10v的同时，通过使用亮度计(minolta cs-1000a)来测量亮度。
[0401]
(3)电流效率的测量
[0402]
通过使用来自项目(1)和(2)的亮度和电流密度和电压计算在相同电流密度(10ma/cm2)下的电流效率(cd/a)。
[0403]
(4)驱动电压
[0404]
通过使用电流-电压计(keithley 2400)在15ma/cm2下测量每个二极管的驱动电压。
[0405]
(5)功率效率
[0406]
功率效率值由等式1计算，并且基于比较例1的功率效率的相对值计算并且示于表1中。
[0407]
[等式1]
[0408]
功率效率(lm/w)＝[电流效率(cd/a)/驱动电压(v)]*π
[0409]
(π表示周长的比率)
[0410]
(6)寿命的测量
[0411]
将亮度(cd/m2)保持在24000cd/m2，并测量电流效率(cd/a)降低到97％的时间以获得结果。
[0412]
通过将实施例4的t97的寿命换算为100％而获得的相对值示于表2中。
[0413]
(表1)
[0414]
编号空穴传输辅助层功率效率比(％)实施例11-32114％实施例21-62110％比较例1c-1100％
[0415]
参照表1，通过使用由上述化学式1表示的化合物作为空穴传输辅助层材料制造的有机发光二极管特别实现了高效率特性。
[0416]
(表2)
[0417]
编号第一主体第二主体t97寿命比(％)实施例31-322-69117％实施例41-622-69100％比较例2c-12-6913％比较例3c-22-6971％比较例4int-12-6990％比较例5int-22-6976％
[0418]
参照表2，通过使用由上述化学式1表示的化合物作为发光层的主体材料制造的有机发光二极管尤其实现了长寿命特性。特别地，与应用具有与化学式1的骨架相同或相似的骨架但是咔唑和氘取代的键合位置或者不同的不同化合物的二极管相比，应用由以上化学式1表示的化合物的有机发光二极管表现出寿命的显著增加。
[0419]
尽管已经结合目前被视为实际示例性实施方式的实施方式描述了本发明，然而，应当理解的是，本发明并不局限于所公开的实施方式，而是相反，本发明旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种变形和等同布置。
[0420]
《标号的描述》
[0421]
100：有机发光二极管
[0422]
105：有机层
[0423]
110：阴极
[0424]
120：阳极
[0425]
130：发光层
[0426]
140：空穴传输区
[0427]
150：电子传输区。