半导体装置的制作方法

半导体装置
1.本技术以日本专利申请2021-092088(申请日2021年6月1日)为基础，享受该申请的优先权。本技术通过参照该申请，而包括该申请的全部内容。
技术领域
2.本发明的实施方式涉及一种半导体装置。


背景技术：

3.例如，就晶体管等半导体装置而言，期望稳定的特性。


技术实现要素：

4.本发明的实施方式提供一种能够使特性稳定化的半导体装置。
5.用于解决问题的方案
6.根据本发明的实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第4电极、第5电极、半导体构件、第1绝缘构件、第1连接构件以及第2连接构件。从所述第1电极朝向所述第2电极的方向沿着第1方向。所述第3电极包括第1电极部分。所述第1电极部分的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间。所述第5电极包括第1电极区域。所述半导体构件包括第1半导体区域和第2半导体区域。所述第1半导体区域含有al
x1
ga
1-x1
n(0≤x1《1)。所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域、第6部分区域以及第7部分区域。从所述第1部分区域朝向所述第1电极的方向、从所述第2部分区域朝向所述第2电极的方向以及从所述第3部分区域朝向所述第1电极部分的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向。所述第4部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第1部分区域的所述第1方向上的位置与所述第3部分区域的所述第1方向上的位置之间。所述第5部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第3部分区域的所述第1方向上的所述位置与所述第2部分区域的所述第1方向上的位置之间。从所述第2部分区域朝向所述第6部分区域的方向与所述第2方向交叉。从所述第6部分区域朝向所述第4电极的方向沿着所述第2方向。从所述第6部分区域朝向所述第7部分区域的方向沿着与所述第2方向交叉的第1交叉方向。所述第2半导体区域含有al
x2
ga
1-x2
n(0《x2《1，x1《x2)。所述第2半导体区域包括第1半导体部分、第2半导体部分以及第3半导体部分。从所述第4部分区域朝向所述第1半导体部分的方向沿着所述第2方向。从所述第5部分区域朝向所述第2半导体部分的方向沿着所述第2方向。从所述第7部分区域朝向所述第3半导体部分的方向沿着所述第2方向。所述第3半导体部分与所述第1电极区域的至少一部分接触。所述第1绝缘构件包括第1绝缘区域。所述第1绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3部分区域与所述第1电极部分之间。所述第1绝缘区域的至少一部分在所述第1方向上处于所述第4部分区域与所述第5部分区域之间。所述第1连接构件将所述第5电极与所述第1电极电连接。所述第2连接构件将所述第4电极与所述第3电极电连接。
7.根据上述结构的构造体，能够提供一种能够使特性稳定化的半导体装置。
附图说明
8.图1是例示第1实施方式的半导体装置的示意性的剖视图。
9.图2是例示第1实施方式的半导体装置的电路图。
10.图3是例示第1实施方式的半导体装置的一部分特性的曲线图。
11.附图标记说明
12.10
…
第1半导体区域，10b
…
氮化物半导体层，10c
…
载流子区域，10m
…
半导体构件，10s
…
衬底，11～19
…
第1～第9部分区域，19a
…
第10部分区域，20
…
第2半导体区域，21～24
…
第1～第4半导体部分，41
…
第1绝缘构件，41a～41c
…
第1～第3绝缘区域，42
…
第2绝缘构件，42a、42b
…
第1、第2绝缘部分，43
…
氮化物构件，43a
…
第1氮化物区域，50d
…
二极管，50t
…
晶体管，51～56
…
第1～第6电极，51t、53t、54t、55t、56t
…
端子，53a
…
第1电极部分，55a～55c
…
第1～第3电极区域，55p、55q
…
部分，61～63
…
第1～第3连接构件，110
…
半导体装置，d1、d2
…
第1、第2方向，dx1
…
第1交叉方向，ja
…
电流密度，rg
…
电阻，va
…
电压。
具体实施方式
13.以下，参照附图说明本发明的各实施方式。
14.附图是示意性的或者概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实的相同。即使在表示相同的部分的情况下，也存在根据附图而相互的尺寸、比率不同地表示的情况。
15.在本技术说明书和各图中，关于已出现的图，对与前述的要素同样的要素标注相同的附图标记，适当省略详细的说明。
16.(第1实施方式)
17.图1是例示第1实施方式的半导体装置的示意性的剖视图。
18.如图1所示，实施方式的半导体装置110包括第1电极51、第2电极52、第3电极53、第4电极54、第5电极55、半导体构件10m以及第1绝缘构件41。
19.从第1电极51朝向第2电极52的方向沿着第1方向d1。将第1方向d1设为x轴方向。将与x轴方向垂直的1个方向设为z轴方向。将与x轴方向和z轴方向垂直的方向设为y轴方向。
20.第3电极53包括第1电极部分53a。第1电极部分53a的第1方向d1上的位置处于第1电极51的第1方向d1上的位置与第2电极52的第1方向d1上的位置之间。例如，在第1方向d1上，第3电极53的至少一部分也可以设于第1电极51与第2电极52之间。
21.第5电极55包括第1电极区域55a。
22.半导体构件10m包括第1半导体区域10和第2半导体区域20。在该例中，半导体装置110包括衬底10s和氮化物半导体层10b。在衬底10s之上设有氮化物半导体层10b。在氮化物半导体层10b之上设有第1半导体区域10。在第1半导体区域10之上设有第2半导体区域20。衬底10s例如可以是硅衬底或者sic衬底等。氮化物半导体层10b例如包括氮化物半导体。氮化物半导体层10b例如含有al、ga以及n等。氮化物半导体层10b例如是缓冲层。
23.第1半导体区域10含有al
x1
ga
1-x1
n(0≤x1《1)。组成比x1例如为0以上0.1以下。在1个例子中，第1半导体区域10是gan层。
24.第1半导体区域10包括第1部分区域11、第2部分区域12、第3部分区域13、第4部分区域14、第5部分区域15、第6部分区域16以及第7部分区域17。从第1部分区域11朝向第1电
极51的方向、从第2部分区域12朝向第2电极52的方向以及从第3部分区域13朝向第1电极部分53a(第3电极53的至少一部分)的方向沿着第2方向d2。第2方向d2与第1方向d1交叉。第2方向d2例如是z轴方向。
25.第4部分区域14的第1方向d1上的位置处于第1部分区域11的第1方向d1上的位置与第3部分区域13的第1方向d1上的位置之间。第5部分区域15的第1方向d1上的位置处于第3部分区域13的第1方向d1上的位置与第2部分区域12的第1方向d1上的位置之间。
26.从第2部分区域12朝向第6部分区域16的方向与第2方向d2交叉。从第2部分区域12朝向第6部分区域16的方向可以是沿着x-y平面的任意的方向。
27.从第6部分区域16朝向第4电极54的方向沿着第2方向d2。从第6部分区域16朝向第7部分区域17的方向沿着第1交叉方向dx1。第1交叉方向dx1与第2方向d2交叉。第1交叉方向dx1也可以沿着第1方向d1。在图1的例子中，第1交叉方向dx1沿着x1轴方向。x1轴方向与z轴方向垂直。y1轴方向与x1轴方向和z轴方向垂直。
28.在第1～第7部分区域11～17，相互的分界可以不明确。在第1半导体区域10之中，在第2方向d2上与第1电极51重叠的区域对应于第1部分区域11。在第1半导体区域10之中，在第2方向d2上与第2电极52重叠的区域对应于第2部分区域12。在第1半导体区域10之中，在第2方向d2上与第3电极53重叠的区域对应于第3部分区域13。在第1半导体区域10之中，在第2方向d2上与第4电极54重叠的区域对应于第6部分区域16。
29.第2半导体区域20含有al
x2
ga
1-x2
n(0《x2《1，x1《x2)。组成比x2为0.15以上0.3以下。第2半导体区域20例如是algan层。
30.第2半导体区域20包括第1半导体部分21、第2半导体部分22以及第3半导体部分23。从第4部分区域14朝向第1半导体部分21的方向沿着第2方向d2。从第5部分区域15朝向第2半导体部分22的方向沿着第2方向d2。从第7部分区域17朝向第3半导体部分23的方向沿着第2方向d2。第3半导体部分23与第1电极区域55a的至少一部分(部分55p)相接。
31.第1绝缘构件41包括第1绝缘区域41a。第1绝缘区域41a在第2方向d2上处于第3部分区域13与第1电极部分53a之间。第1绝缘区域41a的至少一部分在第1方向d1上处于第4部分区域14与第5部分区域15之间。
32.第5电极55与第1电极51电连接。或者，第5电极55能够与第1电极51电连接。
33.第4电极54与第3电极53电连接。或者，第4电极54能够与第3电极53电连接。
34.在该例中，半导体装置110包括第1连接构件61和第2连接构件62。第1连接构件61将第5电极55与第1电极51电连接。第2连接构件62将第4电极54与第3电极53电连接。第1连接构件61和第2连接构件62也可以包含于半导体装置110。第1连接构件61和第2连接构件62也可以相对于半导体装置110独立地设置。在该情况下，例如可以设置与第1电极51电连接的端子51t、与第3电极53电连接的端子53t、与第4电极54电连接的端子54t以及与第5电极55电连接的端子55t中的至少任一个。这些端子通过连接构件电连接。
35.在第1电极51与第2电极52之间流动的电流能够利用第3电极53的电位来控制。第3电极53的电位例如是以第1电极51的电位为基准的电位。第1电极51例如作为源电极发挥功能。第2电极52例如作为漏极电极发挥功能。第3电极53例如作为栅电极发挥功能。半导体装置110中的包含第1～第3电极51～53的部分作为晶体管发挥功能。
36.在第1半导体区域10的与第2半导体区域20相对置的部分形成载流子区域10c。载
流子区域10c例如是二维电子气体。包含第1～第3电极51～53的部分例如是hemt(high electron mobility transistor：高电子迁移率晶体管)。
37.例如，第1电极51与第3电极53之间的距离比第3电极53与第2电极52之间的距离短。第1电极51例如与第1半导体部分21电连接。第1电极51例如也可以与第1部分区域11电连接。第2电极52例如与第2半导体部分22电连接。第2电极52例如也可以与第2部分区域12电连接。
38.在实施方式中，包含第4电极54和第5电极55的部分例如作为2端子的非线性元件发挥功能。
39.图2是表示第1实施方式的半导体装置的电路图。
40.如图2所示，设有包含第1电极51、第2电极52以及第3电极53的晶体管50t。设有包含第4电极54和第5电极55的二极管50d。第4电极54作为二极管50d的阴极发挥功能。第5电极55作为二极管50d的阳极发挥功能。二极管50d的阴极与晶体管50t的栅极电连接。二极管50d的阳极与晶体管50t的源极电连接。例如，栅极经由电阻rg与外部的电路(控制电路等)电连接。
41.例如，在晶体管50t中，有时对栅电极施加负偏压。由此，有时阈值电压发生变动。例如，产生nbti(negative bias temperature instability：负偏压温度不稳定性)。
42.在实施方式中，晶体管50t的源极与二极管50d的阳极电连接。晶体管50t的栅极与二极管50d的阴极电连接。由此，抑制施加负偏压导致的阈值电压的变动。根据实施方式，能够提供一种能够使特性稳定化的半导体装置。
43.例如，考虑与晶体管相对独立地设置分立的二极管的参考例。在该参考例中，寄生电感变大。因此，在高速的切换中，难以得到所期望的动作。
44.在实施方式中，在1个半导体构件10m设有晶体管50t和二极管50d。能够抑制寄生电感。在高速的切换中也能够得到稳定的动作。
45.在实施方式中，例如第5电极55的材料与第1电极51的材料不同。第5电极55之中与半导体构件10m相接的部分的材料与第1电极51之中与半导体构件10m相接的部分的材料不同。
46.第4电极54、第5电极55以及半导体构件10m作为二极管50d发挥功能。二极管50d例如是肖特基二极管。
47.第5电极55含有从由ni、w以及tin构成的组中选择的至少1种。这些材料能够与氮化物半导体形成肖特基接触。例如，第5电极55与第3半导体部分23肖特基接触。例如，第5电极55包括含有从由ni、w以及tin构成的组中选择的至少1种的膜，该膜可以与氮化物半导体(例如第3半导体部分23)相接。
48.另一方面，第4电极54例如含有从由ti和al构成的组中选择的至少1种。这些材料能够与氮化物半导体形成欧姆接触。例如，第4电极54与第3半导体部分23(例如algan)欧姆接触。第4电极54也可以与第6部分区域16(例如gan)欧姆接触。例如，第4电极54例如包括含有从由ti和al构成的组中选择的至少1种的膜，该膜可以与氮化物半导体(例如第3半导体部分23)相接。
49.在实施方式中，第7部分区域17也可以在第1交叉方向dx1上，设于第6部分区域16与第1电极区域55a的另一部分(部分55q)之间。例如，第1电极区域55a的一部分也可以设于
在半导体构件10m设置的凹槽区域。第1电极区域55a的另一部分(部分55q)可以与第7部分区域17相接。例如，第5电极55与第7部分区域17肖特基接触。
50.如图1所示，第5电极55也可以包括第2电极区域55b。第2电极区域55b可以与第1电极区域55a连续。第1电极区域55a例如与设于半导体构件10m的凹槽的侧面相对应地设置。第2电极区域55b例如与凹槽的底部相对应地设置。
51.第1半导体区域10也可以包括第8部分区域18。第7部分区域17的第1交叉方向dx1上的位置处于第6部分区域16的第1交叉方向dx1上的位置与第8部分区域18的第1交叉方向dx1上的位置之间。第8部分区域18对应于第1半导体区域10之中在第2方向d2上与第5电极55重叠的区域。
52.第7部分区域17的一部分在第1交叉方向dx1上处于第6部分区域16与第2电极区域55b之间。例如，第7部分区域17的至少一部分与第2电极区域55b相接。第2电极区域55b可以与第7部分区域17和第8部分区域18肖特基接触。
53.如图1所示，在该例中，半导体装置110包括第6电极56。第6电极56与第4电极54电连接。半导体装置110可以还包括第3连接构件63。例如，第1半导体区域10也可以包括第9部分区域19和第10部分区域19a。第8部分区域18的第1交叉方向dx1上的位置处于第7部分区域17的第1交叉方向dx1上的位置与第9部分区域19的第1交叉方向dx1上的位置之间。第10部分区域19a的第1交叉方向dx1上的位置处于第8部分区域18的第1交叉方向dx1上的位置与第9部分区域19的第1交叉方向dx1上的位置之间。
54.从第9部分区域19朝向第6电极56的朝向沿着第2方向d2(z轴方向)。第9部分区域19对应于第1半导体区域10之中在第2方向d2上与第6电极56重叠的区域。第10部分区域19a是在第1交叉方向dx1上第8部分区域18与第9部分区域19之间的区域。在第8部分区域18、第10部分区域19a以及第9部分区域19，相互的分界可以不明确。
55.第2半导体区域20包括第4半导体部分24。从第10部分区域19a朝向第4半导体部分24的朝向沿着第2方向d2。第3连接构件63将第6电极56与第4电极54电连接。
56.例如，第6电极56可以在与图1所例示的截面不同的截面与第4电极54连续。例如，也可以利用其他连接构件(第3连接构件63)，使第6电极56与第4电极54电连接。
57.第6电极56例如含有从由ti和al构成的组中选择的至少1种。例如，第6电极56与第4半导体部分24欧姆接触。
58.如图1所示，第5电极55也可以包括第3电极区域55c。例如，第3电极区域55c与第2电极区域55b连接。例如，第2电极区域55b处于第1电极区域55a与第3电极区域55c之间。第3电极区域55c例如与第4半导体部分24以及第10部分区域19a的一部分相接。例如，第5电极55以与第4半导体部分24肖特基接触。
59.如图1所示，第3电极53的至少一部分在第1方向d1上处于第1半导体部分21与第2半导体部分22之间。第1绝缘构件41包括第2绝缘区域41b和第3绝缘区域41c。第2绝缘区域41b在第1方向d1上处于第1半导体部分21与第3电极53的至少一部分之间。第3绝缘区域41c在第1方向d1上处于第3电极53的至少一部分与第2半导体部分22之间。第3电极53例如是凹槽型的栅电极。例如，可获得高阈值。例如，能够进行增强模式的动作。
60.在该例中，半导体装置110包括第2绝缘构件42。第2绝缘构件42例如包括第1绝缘部分42a和第2绝缘部分42b。第1半导体部分21在第2方向d2上处于第4部分区域14与第1绝
缘部分42a之间。第2半导体部分22在第2方向d2上处于第5部分区域15与第2绝缘部分42b之间。
61.第1绝缘构件41含有从由硅和铝构成的组中选择的至少1种和氧。第1绝缘构件41例如含有从由氧化硅和氧化铝构成的组中选择的至少1种。在1个例子中，第1绝缘构件41是氧化硅层。
62.第2绝缘构件42含有硅和氮。第2绝缘构件42例如含有氮化硅。
63.第1绝缘构件41不含氮、或者第1绝缘构件41中的氮的浓度比第2绝缘构件42中的氮的浓度低。第2绝缘构件42不含氧。或者，第2绝缘构件42中的氧的浓度比第1绝缘构件41中的氧的浓度低。
64.通过设置这样的第2绝缘构件42，例如第2半导体区域20的特性更加稳定。
65.如图1所示，半导体装置110也可以包括氮化物构件43。氮化物构件43含有al
x3
ga
1-x3
n(0《x3≤1，x2《x3)。组成比x3例如为0.8以上1以下。氮化物构件43例如也可以是aln层。
66.氮化物构件43包括第1氮化物区域43a。第1氮化物区域43a在第2方向d2上设于第3部分区域13与第1绝缘区域41a之间。通过设置氮化物构件43，例如半导体构件10m的特性变得稳定。通过设置氮化物构件43，例如易于更加降低导通电阻。
67.氮化物构件43的一部分可以设于半导体构件10m与第2绝缘区域41b之间。氮化物构件43的一部分可以设于半导体构件10m与第3绝缘区域41c之间。氮化物构件43的一部分可以设于第1绝缘部分42a与第1绝缘构件41之间。氮化物构件43的一部分可以设于第2绝缘部分42b与第1绝缘构件41之间。
68.图3是例示第1实施方式的半导体装置的一部分特性的曲线图。
69.图3例示包括第4电极54、第5电极55以及半导体构件10m的二极管50d的特性的测定结果。图3的横轴是施加于第4电极54与第5电极55之间的电压va。纵轴是电流密度ja。如图3所示，在所施加的电压va约小于0.7v的情况下，电流实质上不流动。在电压va约为0.7以上时，随着电压va的上升，电流密度ja变高。
70.在实施方式中，第1半导体部分21的沿着第2方向d2的厚度比第4部分区域14的沿着第2方向d2的厚度薄。载流子区域10c被稳定地形成。第1半导体部分21的沿着第2方向d2的厚度例如为15nm以上40nm以下。第4部分区域14的沿着第2方向d2的厚度例如为100nm以上1000nm以下。
71.在实施方式中，氮化物构件43的厚度例如为1nm以上5nm以下。第2绝缘构件42的厚度例如为5nm以上20nm以下。与构件中的元素的浓度(也可以是组成比)相关的信息例如通过sims(secondary ion mass spectrometry：二次离子质谱法)等得到。
72.第3电极53例如含有从由tin、ni以及w构成的组中选择的至少1种。
73.实施方式可以包括以下的技术方案。
74.(技术方案1)
75.一种半导体装置，具备：
76.第1电极；
77.第2电极，从所述第1电极朝向所述第2电极的方向沿着第1方向；
78.第3电极，包括第1电极部分，所述第1电极部分的所述第1方向上的位置处于所述
第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间；
79.第4电极；
80.第5电极，包括第1电极区域；
81.半导体构件，包括第1半导体区域和第2半导体区域，
82.所述第1半导体区域含有al
x1
ga
1-x1
n(0≤x1《1)，所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域、第6部分区域以及第7部分区域，从所述第1部分区域朝向所述第1电极的方向、从所述第2部分区域朝向所述第2电极的方向以及从所述第3部分区域朝向所述第1电极部分的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向，所述第4部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第1部分区域的所述第1方向上的位置与所述第3部分区域的所述第1方向上的位置之间，所述第5部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第3部分区域的所述第1方向上的所述位置与所述第2部分区域的所述第1方向上的位置之间，从所述第2部分区域朝向所述第6部分区域的方向与所述第2方向交叉，从所述第6部分区域朝向所述第4电极的方向沿着所述第2方向，从所述第6部分区域朝向所述第7部分区域的方向沿着与所述第2方向交叉的第1交叉方向，
83.所述第2半导体区域含有al
x2
ga
1-x2
n(0《x2《1，x1《x2)，所述第2半导体区域包括第1半导体部分、第2半导体部分以及第3半导体部分，从所述第4部分区域朝向所述第1半导体部分的方向沿着所述第2方向，从所述第5部分区域朝向所述第2半导体部分的方向沿着所述第2方向，从所述第7部分区域朝向所述第3半导体部分的方向沿着所述第2方向，所述第3半导体部分与所述第1电极区域的至少一部分相接；
84.第1绝缘构件，包括第1绝缘区域，所述第1绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3部分区域与所述第1电极部分之间，所述第1绝缘区域的至少一部分在所述第1方向上处于所述第4部分区域与所述第5部分区域之间；
85.第1连接构件，将所述第5电极与所述第1电极电连接；以及
86.第2连接构件，将所述第4电极与所述第3电极电连接。
87.(技术方案2)
88.一种半导体装置，具备：
89.第1电极；
90.第2电极，从所述第1电极朝向所述第2电极的方向沿着第1方向；
91.第3电极，包括第1电极部分，所述第1电极部分的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间；
92.第4电极；
93.第5电极，包括第1电极区域；
94.半导体构件，包括第1半导体区域和第2半导体区域，
95.所述第1半导体区域含有al
x1
ga
1-x1
n(0≤x1《1)，所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域、第6部分区域以及第7部分区域，从所述第1部分区域朝向所述第1电极的方向、从所述第2部分区域朝向所述第2电极的方向以及从所述第3部分区域朝向所述第1电极部分的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向，所述第4部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第1部分区域的所述第1方向上的位置与所述第3部分区域的所述第1方向上的位置之间，所述第5部分区域的所述第1方向上
的位置处于所述第3部分区域的所述第1方向上的所述位置与所述第2部分区域的所述第1方向上的位置之间，从所述第2部分区域朝向所述第6部分区域的方向与所述第2方向交叉，从所述第6部分区域朝向所述第4电极的方向沿着所述第2方向，从所述第6部分区域朝向所述第7部分区域的方向沿着与所述第2方向交叉的第1交叉方向，
96.所述第2半导体区域含有al
x2
ga
1-x2
n(0《x2《1，x1《x2)，所述第2半导体区域包括第1半导体部分、第2半导体部分以及第3半导体部分，从所述第4部分区域朝向所述第1半导体部分的方向沿着所述第2方向，从所述第5部分区域朝向所述第2半导体部分的方向沿着所述第2方向，从所述第7部分区域朝向所述第3半导体部分的方向沿着所述第2方向，所述第3半导体部分与所述第1电极区域的至少一部分相接；以及
97.第1绝缘构件，包括第1绝缘区域，所述第1绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3部分区域与所述第1电极部分之间，所述第1绝缘区域的至少一部分在所述第1方向上处于所述第4部分区域与所述第5部分区域之间，
98.所述第5电极与所述第1电极电连接、或者所述第5电极能够与所述第1电极电连接，
99.所述第4电极与所述第3电极电连接、或者所述第4电极能够与所述第3电极电连接。
100.(技术方案3)
101.根据技术方案1或2所述的半导体装置，其中，
102.所述第5电极含有从由ni、w以及tin构成的组中选择的至少1种。
103.(技术方案4)
104.根据技术方案1～3中任一项所述的半导体装置，其中，
105.所述第5电极与所述第3半导体部分肖特基接触。
106.(技术方案5)
107.根据技术方案1～4中任一项所述的半导体装置，其中，
108.所述第7部分区域在所述第1交叉方向上处于所述第6部分区域与所述第1电极区域的另一部分之间。
109.(技术方案6)
110.根据技术方案5记载的半导体装置，其中，
111.所述第1电极区域的所述另一部分与所述第7部分区域相接。
112.(技术方案7)
113.根据技术方案1～6中任一项所述的半导体装置，其中，
114.所述第5电极与所述第7部分区域肖特基接触。
115.(技术方案8)
116.根据技术方案1～7中任一项所述的半导体装置，其中，
117.所述第4电极、所述第5电极以及半导体构件作为二极管发挥功能。
118.(技术方案9)
119.根据技术方案1～8中任一项所述的半导体装置，其中，
120.所述第4电极含有从由ti和al构成的组中选择的至少1种。
121.(技术方案10)
122.根据技术方案1～9中任一项所述的半导体装置，其中，
123.所述第4电极与所述第3半导体部分欧姆接触。
124.(技术方案11)
125.根据技术方案1～10中任一项所述的半导体装置，其中，
126.所述第1电极与所述第3电极之间的距离比所述第3电极与所述第2电极之间的距离短。
127.(技术方案12)
128.根据技术方案1～11中任一项所述的半导体装置，其中，
129.所述第5电极包括第2电极区域，
130.所述第1半导体区域包括第8部分区域，
131.所述第7部分区域的所述第1交叉方向上的位置处于所述第6部分区域的所述第1交叉方向上的位置与所述第8部分区域的所述第1交叉方向上的位置之间，
132.所述第7部分区域的一部分在所述第1交叉方向上处于所述第6部分区域与所述第2电极区域之间，
133.所述第7部分区域的至少一部分与所述第2电极区域相接。
134.(技术方案13)
135.根据技术方案12记载的半导体装置，其中，
136.该半导体装置还具备与所述第4电极电连接的第6电极，
137.所述第1半导体区域包括第9部分区域和第10部分区域，
138.所述第8部分区域的所述第1交叉方向上的位置处于所述第7部分区域的所述第1交叉方向上的位置与所述第9部分区域的所述第1交叉方向上的位置之间，
139.所述第10部分区域的所述第1交叉方向上的位置处于所述第8部分区域的所述第1交叉方向上的所述位置与所述第9部分区域的所述第1交叉方向上的所述位置之间，
140.从所述第9部分区域朝向所述第6电极的朝向沿着所述第2方向，
141.所述第2半导体区域包括第4半导体部分，
142.从所述第10部分区域朝向所述第4半导体部分的朝向沿着所述第2方向。
143.(技术方案14)
144.根据技术方案13记载的半导体装置，其中，
145.所述第5电极包括与所述第2电极区域连接的第3电极区域，
146.所述第3电极区域与所述第4半导体部分和所述第10部分区域的一部分相接。
147.(技术方案15)
148.根据技术方案14记载的半导体装置，其中，
149.所述第5电极与所述第4半导体部分肖特基接触。
150.(技术方案16)
151.根据技术方案1～15中任一项所述的半导体装置，其中，
152.所述第3电极的至少一部分在所述第1方向上处于所述第1半导体部分与所述第2半导体部分之间。
153.(技术方案17)
154.根据技术方案1～15中任一项所述的半导体装置，其中，
155.所述第1绝缘构件包括第2绝缘区域和第3绝缘区域，
156.所述第2绝缘区域在所述第1方向上处于所述第1半导体部分与所述第3电极的至少一部分之间，
157.所述第3绝缘区域在所述第1方向上处于所述第3电极的所述至少一部分与所述第2半导体部分之间。
158.(技术方案18)
159.根据技术方案1～17中任一项所述的半导体装置，还具备第2绝缘构件，
160.所述第2绝缘构件包括第1绝缘部分和第2绝缘部分，
161.所述第1半导体部分在所述第2方向上处于所述第4部分区域与所述第1绝缘部分之间，
162.所述第2半导体部分在所述第2方向上处于所述第5部分区域与所述第2绝缘部分之间，
163.所述第1绝缘构件含有从由硅和铝构成的组中选择的至少1种以及氧，
164.所述第2绝缘构件包括硅和氮，
165.所述第1绝缘构件不含氮、或者所述第1绝缘构件中的氮的浓度比所述第2绝缘构件中的氮的浓度低，
166.所述第2绝缘构件不含氧、或者所述第2绝缘构件中的氧的浓度比所述第1绝缘构件中的氧的浓度低。
167.(技术方案19)
168.根据技术方案1～18中任一项所述的半导体装置，其中，
169.还具备含有al
x3
ga
1-x3
n(0《x3≤1，x2《x3)的氮化物构件，
170.所述氮化物构件包括第1氮化物区域，
171.所述第1氮化物区域在所述第2方向上设于所述第3部分区域与所述第1绝缘区域之间。
172.(技术方案20)
173.根据技术方案1～19中任一项所述的半导体装置，其中，
174.所述第1半导体部分的沿着所述第2方向的厚度比所述第4部分区域的沿着所述第2方向的厚度薄。
175.根据实施方式，能够提供一种能够使特性稳定化的半导体装置。
176.在实施方式中“氮化物半导体”包括在b
x
inyalzga
1-x-y-z
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x y z≤1)的化学式中使组成比x、y以及z在各自的范围内变化的全部组成的半导体。在上述化学式中，还进一步含有除n(氮)之外的v族元素的氮化物半导体，进一步含有为了控制导电型等各种物理性质而添加的各种元素的氮化物半导体以及进一步含有无意中含有的各种元素的氮化物半导体也包含在“氮化物半导体”中。
177.以上，参照具体例子，对本发明的实施方式进行了说明。然而，本发明并不限定于这些具体例。例如，关于半导体装置所包含的电极、半导体构件、绝缘构件、连接构件以及氮化物构件等各要素的具体的结构，只要本领域技术人员能够通过从公知的范围中适当选择而同样地实施本发明并得到同样的效果，就包含在本发明的范围内。
178.另外，关于将各具体例子的任2个以上的要素在技术上可能的范围内组合而得到
的技术方案，只要包含本发明的要旨，就包含在本发明的范围内。
179.此外，本领域技术人员基于作为本发明的实施方式在以上叙述的半导体装置通过适当的设计变更而能够实施的所有半导体装置，只要包含本发明的要旨，就都属于本发明的范围。
180.此外，应理解在本发明的思想的范畴中，只要是本领域技术人员，就能够想到各种变更例和修改例，这些变更例和修改例也属于本发明的范围。
181.说明了本发明的一些实施方式，但这些实施方式是作为例子而提示的，并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式实施，能够在不脱离发明的要旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式、其变形包含在发明的范围、要旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。