半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，从所述第1电极朝向所述第2电极的方向沿着第1方向；第3电极，包括第1电极部分，所述第1电极部分的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间；第4电极；第5电极，包括第1电极区域；半导体构件，包括第1半导体区域和第2半导体区域，所述第1半导体区域含有al
x1
ga
1-x1
n，所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域、第6部分区域以及第7部分区域，从所述第1部分区域朝向所述第1电极的方向、从所述第2部分区域朝向所述第2电极的方向以及从所述第3部分区域朝向所述第1电极部分的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向，所述第4部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第1部分区域的所述第1方向上的位置与所述第3部分区域的所述第1方向上的位置之间，所述第5部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第3部分区域的所述第1方向上的所述位置与所述第2部分区域的所述第1方向上的位置之间，从所述第2部分区域朝向所述第6部分区域的方向与所述第2方向交叉，从所述第6部分区域朝向所述第4电极的方向沿着所述第2方向，从所述第6部分区域朝向所述第7部分区域的方向沿着与所述第2方向交叉的第1交叉方向，其中0≤x1<1，所述第2半导体区域含有al
x2
ga
1-x2
n，所述第2半导体区域包括第1半导体部分、第2半导体部分以及第3半导体部分，从所述第4部分区域朝向所述第1半导体部分的方向沿着所述第2方向，从所述第5部分区域朝向所述第2半导体部分的方向沿着所述第2方向，从所述第7部分区域朝向所述第3半导体部分的方向沿着所述第2方向，所述第3半导体部分与所述第1电极区域的至少一部分相接，其中0<x2<1，x1<x2；第1绝缘构件，包括第1绝缘区域，所述第1绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3部分区域与所述第1电极部分之间，所述第1绝缘区域的至少一部分在所述第1方向上处于所述第4部分区域与所述第5部分区域之间；第1连接构件，将所述第5电极与所述第1电极电连接；以及第2连接构件，将所述第4电极与所述第3电极电连接。2.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，从所述第1电极朝向所述第2电极的方向沿着第1方向；第3电极，包括第1电极部分，所述第1电极部分的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间；第4电极；第5电极，包括第1电极区域；半导体构件，包括第1半导体区域和第2半导体区域，所述第1半导体区域含有al
x1
ga
1-x1
n，所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域、第6部分区域以及第7部分区域，从所述第1部分区域朝向所述第1电极的方向、从所述第2部分区域朝向所述第2电极的方向以及从所述
第3部分区域朝向所述第1电极部分的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向，所述第4部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第1部分区域的所述第1方向上的位置与所述第3部分区域的所述第1方向上的位置之间，所述第5部分区域的所述第1方向上的位置处于所述第3部分区域的所述第1方向上的所述位置与所述第2部分区域的所述第1方向上的位置之间，从所述第2部分区域朝向所述第6部分区域的方向与所述第2方向交叉，从所述第6部分区域朝向所述第4电极的方向沿着所述第2方向，从所述第6部分区域朝向所述第7部分区域的方向沿着与所述第2方向交叉的第1交叉方向，其中0≤x1<1，所述第2半导体区域含有al
x2
ga
1-x2
n，所述第2半导体区域包括第1半导体部分、第2半导体部分以及第3半导体部分，从所述第4部分区域朝向所述第1半导体部分的方向沿着所述第2方向，从所述第5部分区域朝向所述第2半导体部分的方向沿着所述第2方向，从所述第7部分区域朝向所述第3半导体部分的方向沿着所述第2方向，所述第3半导体部分与所述第1电极区域的至少一部分相接，其中0<x2<1，x1<x2；以及第1绝缘构件，包括第1绝缘区域，所述第1绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3部分区域与所述第1电极部分之间，所述第1绝缘区域的至少一部分在所述第1方向上处于所述第4部分区域与所述第5部分区域之间，所述第5电极与所述第1电极电连接、或者所述第5电极能够与所述第1电极电连接，所述第4电极与所述第3电极电连接、或者所述第4电极能够与所述第3电极电连接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第5电极含有从由ni、w以及tin构成的组中选择的至少1种。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第5电极与所述第3半导体部分肖特基接触。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第7部分区域在所述第1交叉方向上处于所述第6部分区域与所述第1电极区域的另一部分之间。6.根据权利要求5记载的半导体装置，其中，所述第1电极区域的所述另一部分与所述第7部分区域相接。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第5电极与所述第7部分区域肖特基接触。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第4电极、所述第5电极以及半导体构件作为二极管发挥功能。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第5电极包括第2电极区域，所述第1半导体区域包括第8部分区域，所述第7部分区域的所述第1交叉方向上的位置处于所述第6部分区域的所述第1交叉方向上的位置与所述第8部分区域的所述第1交叉方向上的位置之间，所述第7部分区域的一部分在所述第1交叉方向上处于所述第6部分区域与所述第2电极区域之间，所述第7部分区域的至少一部分与所述第2电极区域相接。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，
该半导体装置还具备与所述第4电极电连接的第6电极，所述第1半导体区域包括第9部分区域和第10部分区域，所述第8部分区域的所述第1交叉方向上的位置处于所述第7部分区域的所述第1交叉方向上的位置与所述第9部分区域的所述第1交叉方向上的位置之间，所述第10部分区域的所述第1交叉方向上的位置处于所述第8部分区域的所述第1交叉方向上的所述位置与所述第9部分区域的所述第1交叉方向上的所述位置之间，从所述第9部分区域朝向所述第6电极的朝向沿着所述第2方向，所述第2半导体区域包括第4半导体部分，从所述第10部分区域朝向所述第4半导体部分的朝向沿着所述第2方向。

技术总结
本发明涉及半导体装置。提供一种能够使特性稳定化的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～第5电极、半导体构件、第1绝缘构件以及第1连接构件、第2连接构件。半导体构件包括第1半导体区域和第2半导体区域。第1半导体区域含有Al


技术研发人员：向井章
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：2022.01.14
技术公布日：2022/12/5