半导体结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括半导体基体和测试元件组，所述测试元件组包括：第一金属层，所述第一金属层位于所述半导体基体上，所述第一金属层形成有预留空间，所述预留空间贯通所述第一金属层；第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层的上方，且与所述第一金属层间隔设置；硅通孔，所述硅通孔位于所述半导体基体内，且穿过所述预留空间，所述硅通孔与所述第二金属层相连接；其中，所述硅通孔的截面积小于所述预留空间的截面积，以使得所述硅通孔与所述第一金属层相间隔。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述预留空间设置于所述第一金属层的边缘。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述预留空间为多个，所述硅通孔为多个；其中，多个所述预留空间中的至少一个位于所述第一金属层的拐角区域。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述预留空间为矩形，所述第一金属层的四个拐角区域均形成有所述预留空间。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述测试元件组还包括：第一连接柱，所述第一连接柱的两端分别连接所述第一金属层与所述第二金属层。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述测试元件组还包括：第二连接柱，所述第二连接柱的两端分别连接所述硅通孔与所述第二金属层。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接柱的横截面的面积小于所述第二连接柱的横截面的面积。8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述测试元件组还包括：第三金属层，所述第三金属层位于所述第二金属层的上方，且与所述第二金属层间隔设置；第三连接柱，所述第三连接柱的两端分别连接所述第二金属层与所述第三金属层。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接柱与所述第三连接柱沿垂直于所述半导体基体的方向上在同一个平面上的投影至少部分不重合。10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述测试元件组还包括：第四金属层，所述第四金属层位于所述第三金属层的上方，且与所述第三金属层间隔设置；第四连接柱，所述第四连接柱的两端分别连接所述第三金属层与所述第四金属层。11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第三连接柱与所述第四连接柱沿垂直于所述半导体基体的方向上在同一个平面上的投影至少部分不重合。12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述测试元件组还包括：第五金属层，所述第五金属层位于所述第四金属层的上方，且与所述第四金属层间隔设置；
第五连接柱，所述第五连接柱的两端分别连接所述第四金属层与所述第五金属层。13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第四连接柱与所述第五连接柱沿垂直于所述半导体基体的方向上在同一个平面上的投影至少部分不重合。14.根据权利要求12或13所述的半导体结构，其特征在于，所述第五金属层为重布线层。15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述第四连接柱的横截面的面积小于所述第五连接柱的横截面的面积。16.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述重布线层的线条宽度大于所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层以及所述第四金属层中任意之一的线条宽度。17.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层、所述第四金属层以及所述第五金属层中的至少之一为网格状结构。

技术总结
本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构，包括半导体基体和测试元件组，测试元件组包括：第一金属层，第一金属层位于半导体基体上，第一金属层形成有预留空间，预留空间贯通第一金属层；第二金属层，第二金属层位于第一金属层的上方，且与第一金属层间隔设置；硅通孔，硅通孔位于半导体基体内，且穿过预留空间，硅通孔与第二金属层相连接；其中，硅通孔的截面积小于预留空间的截面积，以使得硅通孔与第一金属层相间隔。通过在第一金属层上形成有预留空间，从而可以使得硅通孔穿过预留空间后与第二金属层相连接，并保证硅通孔和第一金属层不连接，从而可以通过测试设备与第二金属层相连接，以实现对硅通孔的测试。以实现对硅通孔的测试。以实现对硅通孔的测试。


技术研发人员：李宗翰 刘志拯
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.06.01
技术公布日：2022/12/1