半导体结构的形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括相邻接的第一器件区和第二器件区，所述基底上形成有沟道结构材料层，所述沟道结构材料层包括一个或多个沟道材料叠层，所述沟道材料叠层包括牺牲材料层和位于所述牺牲材料层上的沟道材料层，所述沟道结构材料层上还形成有掩膜层；在所述第一器件区和第二器件区交界处，形成贯穿所述掩膜层和沟道结构材料层的隔离墙，且所述隔离墙的顶部高于所述掩膜层的顶部；在所述掩膜层露出的所述隔离墙的侧壁形成侧墙层；以所述侧墙层和隔离墙为掩膜，去除所述侧墙层和隔离墙露出的所述掩膜层、沟道结构材料层以及部分厚度的基底，保留剩余所述沟道结构材料层作为沟道结构，所述沟道结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，所述沟道叠层包括第一牺牲层和位于所述第一牺牲层上的沟道层；在所述沟道结构侧部的剩余基底上形成隔离层，所述隔离层露出所述沟道结构的侧壁。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述掩膜层顶部还形成有第二牺牲层；形成所述隔离墙的步骤包括：在所述第一器件区和第二器件区的交界处，形成贯穿所述第二牺牲层、掩膜层和沟道结构材料层的隔离槽；在所述隔离槽中填充隔离墙材料层，所述隔离材料层还覆盖所述第二牺牲层顶部；以所述第二牺牲层顶部作为停止位置，去除高于所述第二牺牲层顶部的隔离墙材料层，保留所述隔离槽中的剩余隔离墙材料层作为隔离墙；形成所述隔离墙后，形成所述侧墙层之前，还包括：去除所述第二牺牲层。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙层的步骤包括：形成保形覆盖所述掩膜层顶部、所述隔离墙顶部和所述掩膜层露出的所述隔离墙侧壁的侧墙材料层；去除位于所述掩膜层顶部和所述隔离墙顶部的侧墙材料层，保留位于所述掩膜层露出的所述隔离墙侧壁的侧墙材料层作为侧墙层。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺，在所述隔离槽中填充隔离墙材料层。5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺，去除高于所述第二牺牲层顶部的隔离墙材料层。6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述第二牺牲层。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所所述侧墙层和隔离墙露出的所述掩膜层、沟道结构材料层以及部分厚度的基底。8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述侧墙材料层。9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除位于所述掩膜层顶部和所述隔离墙顶部的侧墙材料层。10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，
所述沟道材料层的材料包括硅、锗、锗化硅或
ⅲ‑ⅴ
族半导体材料，所述牺牲材料层的材料包括硅、锗或锗化硅，且所述沟道材料层和牺牲材料层的材料之间具有刻蚀选择比。11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离墙的步骤中，所述隔离墙的材料包括掺碳的氮化硅、掺硼的氮化硅或掺碳和硼的氮化硅。12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离墙的步骤中，所述隔离墙顶部至所述掩膜层顶部的距离为5nm至40nm。13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙层的步骤中，所述侧墙层的材料包括si3n4、sibcn或sicn。14.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二牺牲层的步骤中，所述第二牺牲层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜层的步骤中，所述掩膜层的材料包括si3n4、sibcn或sicn。16.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一器件区用于形成第一器件，所述第二器件区用于形成第二器件，所述第一器件和第二器件的沟道导电类型不同。

技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括相邻接的第一器件区和第二器件区，基底上形成有沟道结构材料层，包括一个或多个沟道材料叠层，包括牺牲材料层和位于牺牲材料层上的沟道材料层，沟道结构材料层上还形成有掩膜层；在第一器件区和第二器件区交界处，形成贯穿掩膜层和沟道结构材料层的隔离墙，且隔离墙的顶部高于掩膜层的顶部；在掩膜层露出的隔离墙的侧壁形成侧墙层；以侧墙层和隔离墙为掩膜，去除侧墙层和隔离墙露出的掩膜层、沟道结构材料层以及部分厚度的基底，保留剩余沟道结构材料层作为沟道结构；在沟道结构侧部的剩余基底上形成隔离层。有利于控制形成沟道结构的宽度，且形成尺寸均一性较高的沟道结构。且形成尺寸均一性较高的沟道结构。且形成尺寸均一性较高的沟道结构。


技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2021.05.21
技术公布日：2022/11/22