去耦集成电路的制作方法

技术特征：
1.一种去耦集成电路，包括：衬底，其包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区在第一方向上延伸，所述第二有源区在所述第一方向上延伸并且在第二方向上与所述第一有源区间隔开，所述第二方向与所述第一方向交叉；第一电力轨，其包括第一电力轨水平延伸部分和第一-1电力轨突起，并且被配置为接收第一电源，所述第一电力轨水平延伸部分在所述第二方向上与所述第一有源区间隔开并且在所述第一方向上延伸，所述第一-1电力轨突起在与所述第二方向相反的第三方向上从所述第一电力轨水平延伸部分突出；以及第二电力轨，其包括第二电力轨水平延伸部分和第二-1电力轨突起，并且被配置为接收与所述第一电源不同的第二电源，所述第二电力轨水平延伸部分在所述第二方向上与所述第二有源区间隔开并且在所述第一方向上延伸，所述第二-1电力轨突起在所述第二方向上从所述第二电力轨水平延伸部分突出，其中，所述第一-1电力轨突起与所述第一有源区重叠，并且所述第二-1电力轨突起与所述第二有源区的至少一部分重叠，以在所述第一-1电力轨突起与所述第二-1电力轨突起之间提供第一去耦电容器。2.根据权利要求1所述的去耦集成电路，其中，所述第一-1电力轨突起在所述第二方向上具有第一长度，并且所述第一电力轨还包括在所述第三方向上从所述第一电力轨水平延伸部分突出的第一-2电力轨突起，所述第一-2电力轨突起在所述第一方向上与所述第一-1电力轨突起间隔开，所述第一-2电力轨突起在所述第二方向上具有第二长度。3.根据权利要求2所述的去耦集成电路，其中，所述第一长度和所述第二长度彼此不同。4.根据权利要求2所述的去耦集成电路，其中，所述第一长度和所述第二长度相同。5.根据权利要求1所述的去耦集成电路，其中，所述第二-1电力轨突起在所述第二方向上具有第三长度，并且所述第二电力轨还包括在所述第二方向上从所述第二电力轨水平延伸部分突出的第二-2电力轨突起，所述第二-2电力轨突起在所述第一方向上与所述第二-1电力轨突起间隔开，所述第二-2电力轨突起在所述第二方向上具有第四长度。6.根据权利要求5所述的去耦集成电路，其中，所述第三长度与所述第四长度彼此不同。7.根据权利要求5所述的去耦集成电路，其中，所述第三长度与所述第四长度相同。8.根据权利要求5所述的去耦集成电路，其中，所述第一电力轨还包括在所述第三方向上从所述第一电力轨水平延伸部分突出的第一-2电力轨突起，所述第一-2电力轨突起在所述第一方向上与所述第一-1电力轨突起间隔开，所述第一-2电力轨突起在所述第二方向上与所述第二-2电力轨突起间隔开，并且所述去耦集成电路还包括第二去耦电容器，所述第二去耦电容器具有作为电极的所述第一-2电力轨突起和所述第二-2电力轨突起。9.根据权利要求1所述的去耦集成电路，其中，所述第一-1电力轨突起和所述第二-1电力轨突起在所述第一方向上彼此间隔开，并且
所述第一-1电力轨突起的至少一部分和所述第二-1电力轨突起的至少一部分彼此重叠，以提供第二去耦电容器。10.根据权利要求1所述的去耦集成电路，还包括：栅极结构，其在所述第一方向上与所述第一-1电力轨突起间隔开，在所述第二方向上延伸，并且与所述第一有源区和所述第二有源区重叠。11.一种去耦集成电路，包括：衬底，其包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区在第一方向上延伸，所述第二有源区在所述第一方向上延伸，并且在第二方向上与所述第一有源区间隔开，所述第二方向与所述第一方向交叉；第一电力轨，其包括第一电力轨水平延伸部分和第一-1电力轨突起，并且被配置为接收第一电源，所述第一电力轨水平延伸部分在所述第二方向上与所述第一有源区间隔开并且在所述第一方向上延伸，所述第一-1电力轨突起在与所述第二方向相反的第三方向上从所述第一电力轨水平延伸部分突出；以及第二电力轨，其包括第二电力轨水平延伸部分和第二-1电力轨突起，并且被配置为接收与所述第一电源不同的第二电源，所述第二电力轨水平延伸部分在所述第二方向上与所述第二有源区间隔开并且在所述第一方向上延伸，所述第二-1电力轨突起在所述第二方向上从所述第二电力轨水平延伸部分突出，其中，所述第一-1电力轨突起与所述第一有源区重叠，所述第二-1电力轨突起与所述第二有源区重叠，所述第一-1电力轨突起和所述第二-1电力轨突起在所述第二方向上间隔开，并且所述第一-1电力轨突起和所述第二-1电力轨突起彼此至少部分地重叠，以提供第一去耦电容器。12.根据权利要求11所述的去耦集成电路，其中，所述第一-1电力轨突起在所述第二方向上具有第一长度，所述第二-1电力轨突起在所述第二方向上具有第二长度，并且所述第一长度和所述第二长度相同。13.根据权利要求11所述的去耦集成电路，其中，所述第一-1电力轨突起在所述第二方向上具有第一长度，所述第二-1电力轨突起在所述第二方向上具有第二长度，并且所述第一长度和所述第二长度彼此不同。14.根据权利要求11所述的去耦集成电路，其中，所述第一电力轨还包括第一-2电力轨突起，所述第一-2电力轨突起在所述第三方向上从所述第一电力轨水平延伸部分突出并且在所述第一方向上与所述第一-1电力轨突起间隔开，并且所述第一-2电力轨突起在所述第二方向上与所述第二-1电力轨突起间隔开，以提供第二去耦电容器。15.根据权利要求14所述的去耦集成电路，其中，所述第二电力轨还包括第二-2电力轨突起，所述第二-2电力轨突起在所述第二方向上从所述第二电力轨水平延伸部分突出并且在所述第一方向上与所述第二-1电力轨突起间
隔开，并且所述第二-2电力轨突起在所述第二方向上与所述第一-1电力轨突起间隔开，以提供第三去耦电容器。16.根据权利要求15所述的去耦集成电路，其中，所述第一-1电力轨突起在所述第二方向上具有第一长度，所述第一-2电力轨突起在所述第二方向上具有第二长度，所述第二-1电力轨突起在所述第二方向上具有第三长度，所述第二-2电力轨突起在所述第二方向上具有第四长度，并且所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度和所述第四长度彼此不同。17.根据权利要求11所述的去耦集成电路，还包括：栅极结构，其位于所述第一-1电力轨突起与所述第二-1电力轨突起之间，在所述第二方向上延伸，并且与所述第一有源区和所述第二有源区重叠。18.一种去耦集成电路，包括：衬底，其包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区在第一方向上延伸，所述第二有源区在所述第一方向上延伸并且在第二方向上与所述第一有源区间隔开，所述第二方向与所述第一方向交叉；第一电力轨，其包括第一电力轨水平延伸部分和第一-1电力轨突起，并且被配置为接收第一电源，所述第一电力轨水平延伸部分在所述第二方向上与所述第一有源区间隔开并且在所述第一方向上延伸，所述第一-1电力轨突起在与所述第二方向相反的第三方向上从所述第一电力轨水平延伸部分突出；以及第二电力轨，其包括第二电力轨水平延伸部分、第二-1电力轨突起和第二-2电力轨突起，并且被配置为接收与所述第一电源不同的第二电源，所述第二电力轨水平延伸部分在所述第二方向上与所述第二有源区间隔开并且在所述第一方向上延伸，所述第二-1电力轨突起在所述第二方向上从所述第二电力轨水平延伸部分突出，所述第二-2电力轨突起在所述第二方向上从所述第二电力轨水平延伸部分突出并且在所述第一方向上与所述第二-1电力轨突起间隔开，其中，所述第一-1电力轨突起与所述第一有源区重叠，所述第二-1电力轨突起与所述第二有源区重叠，所述第二-1电力轨突起与所述第二有源区的至少一部分重叠，并且在所述第二方向上与所述第一-1电力轨突起间隔开，以在所述第一-1电力轨突起与所述第二-1电力轨突起之间提供第一去耦电容器，并且所述第二-2电力轨突起与所述第二有源区重叠，所述第一-1电力轨突起和所述第二-2电力轨突起在所述第一方向上间隔开，并且所述第一-1电力轨突起和所述第二-2电力轨突起彼此至少部分地重叠，以提供第二去耦电容器。19.根据权利要求18所述的去耦集成电路，还包括：栅极结构，其位于所述第一-1电力轨突起与所述第二-2电力轨突起之间，在所述第二方向上延伸，并且与所述第一有源区和所述第二有源区重叠。20.根据权利要求18所述的去耦集成电路，其中，所述第一电力轨还包括第一-2电力轨突起，所述第一-2电力轨突起在所述第三方向上从所述第一电力轨水平延伸部分突出并且在所述第一方向上与所述第一-1电力轨突起间
隔开，并且所述第一-2电力轨突起在所述第二方向上与所述第二-2电力轨突起间隔开，以提供第三去耦电容器。

技术总结
可提供一种去耦集成电路，包括：衬底，其包括在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区；第一电力轨，其被配置为接收第一电源，并且包括在第二方向上与第一有源区间隔开并且在第一方向上延伸的第一水平延伸部分和在与第二方向相反的第三方向上从第一水平延伸部分突出的第一-1突起；第二电力轨，其被配置为接收第二电源，并且包括在第二方向上与第二有源区间隔开并且在第一方向上延伸的第二水平延伸部分和在第二方向上从第二水平延伸部分突出的第二-1突起，第一-1突起和第二-1突起构成去耦电容器。成去耦电容器。成去耦电容器。


技术研发人员：金容范 曹英珍 林宪 郑三溶
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.08.19
技术公布日：2023/3/10