光电混合封装结构的制作方法和保护结构件与流程

技术特征：
1.一种光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一载板和一光芯片，所述光芯片一侧面设置有至少一光接口，将所述光芯片具有所述光接口的一侧面背离所述载板设置于所述载板上表面；提供至少一电芯片，将所述电芯片设置于所述光芯片上表面，并与所述光芯片实现电性连接；提供至少一保护结构件，所述保护结构件为盖状结构，所述盖状结构内部形成有一腔体，所述保护结构件的表面还形成有至少一通孔，所述通孔连通所述保护结构件内外表面，将所述保护结构件对应所述光接口贴装于所述光芯片上表面，使得所述光接口完全位于所述腔体内；提供具有流动性的胶体，于所述通孔处填充所述胶体，并对所述腔体外环境进行降压处理，当所述腔体外压降低，所述腔体内的气体沿未凝固的所述胶体和所述通孔之间的缝隙排出，直至所述腔体内的气压处于低压环境后，将所述胶体固化，使得所述胶体完全堵住所述通孔；提供塑封料，将所述塑封料覆盖所述保护结构件外侧面、所述电芯片表面以及所述光芯片未被遮蔽的上表面，形成塑封体。2.根据权利要求1所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述提供至少一保护结构件，所述保护结构件为盖状结构，所述盖状结构内部形成有一腔体，所述保护结构件的表面还形成有至少一通孔，所述通孔连通所述保护结构件内外表面，具体包括：所述保护结构件的顶壁上表面还形成有一凹槽，所述凹槽的形成深度为所述保护结构件的顶壁厚度的一半；所述通孔连通所述保护结构件的内表面和所述凹槽的底面。3.根据权利要求2所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述提供具有流动性的胶体，于所述通孔处填充所述胶体，具体包括：配合所述通孔的尺寸，控制所述胶体用量，以避免所述未凝固的胶体沿所述通孔流至所述腔体内；所述胶体为具有流动性的底部填充胶，在低压环境下，空气可从所述未凝固的胶体中穿过。4.根据权利要求3所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述对所述腔体外环境进行降压处理，在降压的过程中，所述腔体内的气体沿未凝固的所述胶体和所述通孔之间的缝隙排出，直至所述腔体内的气压处于低压环境后，将所述胶体固化，使得所述胶体完全堵住所述通孔，具体包括：提供一真空烘烤设备，将封装好的所述载板、光芯片、电芯片以及保护结构件放置于所述真空烘烤设备内；对所述腔体外环境进行降压处理，直至所述腔体内外压处于平衡状态，所述未凝固的胶体通过回填将所述通孔堵住；升温，将所述未凝固的胶体固化，使得固化后的所述胶体完全堵住所述通孔，并使得所述固化后的胶体完全位于所述凹槽内部。5.根据权利要求4所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述提供至少一电芯片，将所述电芯片设置于所述光芯片上表面，并与所述光芯片实现电性连接，具体包
括：所述光芯片内形成有多个硅通孔，将所述电芯片的功能面朝向所述光芯片上表面设置，通过所述硅通孔实现所述电芯片与光芯片之间的电性连接。6.根据权利要求5所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：将所述光芯片与所述载板解键合；于所述光芯片未贴装所述电芯片的一侧面形成重布线层，并通过所述硅通孔实现所述光芯片与所述重布线层之间的电性连接。7.根据权利要求6所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：减薄所述塑封体，直至暴露出所述结构保护件的顶壁；减薄所述结构保护件的顶壁，直至完全暴露出所述光接口。8.一种保护结构件，其特征在于，所述保护结构件用于如权利要求1～7中任意一项所述的光电混合封装结构的制作方法中，所述保护结构件为一盖状结构，所述盖状结构内部设置一腔体，所述保护结构件的表面还设置至少一通孔，所述通孔连通所述保护结构件内外表面；当所述保护结构件对应所述光接口贴装于所述光芯片上表面时，所述光接口完全位于所述腔体内。9.根据权利要求8所述的保护结构件，其特征在于，所述保护结构件的顶壁上表面还设置一凹槽，所述通孔连通所述凹槽底面和所述保护结构件内表面。10.根据权利要求9所述的保护结构件，其特征在于，所述凹槽设置为圆柱形结构，其深度设置为所述保护结构件的顶壁厚度的一半。

技术总结
本发明揭示了一种光电混合封装结构的制作方法和保护结构件，包括步骤：提供一载板和光芯片，光芯片一侧面设置有至少一光接口；提供至少一电芯片，设置于光芯片上表面；提供至少一保护结构件，其为盖状结构，内部形成有腔体，其表面还形成有至少一通孔，将保护结构件对应光接口贴于光芯片上表面，使得光接口完全位于腔体内；提供具有流动性的胶体，于通孔处填充胶体，并对腔体外环境进行降压处理，当腔体外压降低，腔体内的气体沿未凝固的胶体和通孔之间的缝隙排出，直至腔体内的气压处于低压环境后，将胶体固化，使得胶体完全堵住通孔；形成塑封体。将该腔体形成一密闭的低压空间，以满足注塑工艺及后续制程作业中的可靠性要求。满足注塑工艺及后续制程作业中的可靠性要求。满足注塑工艺及后续制程作业中的可靠性要求。


技术研发人员：徐晨 周莎莎 丁科
受保护的技术使用者：江苏长电科技股份有限公司
技术研发日：2022.11.16
技术公布日：2023/3/10