切割晶粒接合一体型膜、晶粒接合膜及半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种切割晶粒接合一体型膜，其具备：切割带，其具有基材和设置于所述基材上的压敏胶黏层；以及晶粒接合膜，其配置于所述切割带的所述压敏胶黏层上，所述晶粒接合膜含有表面具有氧化物层的含银粒子和助熔剂，以晶粒接合膜的总量为基准，所述含银粒子的含量为75质量％以上。2.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述助熔剂为芳香族羧酸。3.根据权利要求1或2所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述晶粒接合膜还含有热固性树脂、固化剂及弹性体。4.根据权利要求3所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述热固性树脂含有在25℃为液状的环氧树脂。5.一种半导体装置的制造方法，其包括：将权利要求1至4中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜的所述晶粒接合膜贴附到半导体晶圆的工序；将所述半导体晶圆及所述晶粒接合膜单片化的工序；从所述切割带拾取附着有晶粒接合膜片的半导体芯片的工序；以及隔着所述晶粒接合膜片，将所述半导体芯片黏合于支撑基板的工序。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其还包括：在将所述半导体晶圆及所述晶粒接合膜单片化的工序之后，对所述压敏胶黏层照射紫外线的工序。7.一种晶粒接合膜，其含有表面具有氧化物层的含银粒子和助熔剂。以晶粒接合膜的总量为基准，所述含银粒子的含量为75质量％以上。8.根据权利要求7所述的晶粒接合膜，其中，所述助熔剂为芳香族羧酸。9.根据权利要求7或8所述的晶粒接合膜，其还含有热固性树脂、固化剂及弹性体。10.根据权利要求9所述的晶粒接合膜，其中，所述热固性树脂含有在25℃为液状的环氧树脂。

技术总结
本发明公开了一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备：切割带，其具有基材和设置于基材上的压敏胶黏层；以及晶粒接合膜，其配置于切割带的压敏胶黏层上。晶粒接合膜含有表面具有氧化物层的含银粒子和助熔剂。以晶粒接合膜的总量为基准，含银粒子的含量为75质量％以上。量为75质量％以上。量为75质量％以上。


技术研发人员：板垣圭 谷口纮平 平本祐也
受保护的技术使用者：昭和电工材料株式会社
技术研发日：2021.06.02
技术公布日：2023/2/13