半导体结构及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板；一第一氮化物半导体层，设置于所述基板之上；一第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层之上，其中所述第二氮化物半导体层的带隙高于所述第一氮化物半导体层的带隙；一第三氮化物半导体层，设置于所述第二氮化物半导体层之上以及一源极电极以及一漏极电极之间，具有一第一p型掺杂；一第四氮化物半导体层，设置于所述第二氮化物半导体层之上且位于所述第三氮化物半导体层以及所述漏极电极之间，具有所述第一p型掺杂；以及一第五氮化物半导体层，设置于所述第三氮化物半导体层之上，具有一第二p型掺杂。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：一栅极电极，设置于所述第五氮化物半导体层之上，且与所述第五氮化物半导体层直接接触；以及一第二漏极电极，设置于所述第四氮化物半导体层之上，且与所述第四氮化物半导体层直接接触，其中所述第二漏极电极与所述漏极电极相邻且相互电连接，其中所述源极电极以及所述漏极电极与所述第二氮化物半导体层直接接触。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二p型掺杂的浓度不小于所述第一p型掺杂的浓度。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层具有一第一厚度，其中所述第五氮化物半导体层具有一第二厚度，其中所述第二厚度不小于所述第一厚度。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氮化物半导体层包括gan，其中所述第二氮化物半导体层包括alxga1-xn，且0<x<＝1。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三氮化物半导体层以及所述第四氮化物半导体层包括具有所述第一p型掺杂的alyga1-yn，且0≤y≤1，其中所述第五氮化物半导体层包括具有所述第二p型掺杂的alzga1-zn，且0≤z≤1。7.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板之上形成一第一氮化物半导体层；在所述第一氮化物半导体层之上形成一第二氮化物半导体层，其中所述第二氮化物半导体层的带隙高于所述第一氮化物半导体层的带隙；在所述第二氮化物半导体层之上形成一第一顶部氮化物半导体层，其中所述第一顶部氮化物半导体层具有一第一p型掺杂；在所述第一顶部氮化物半导体层之上形成一第二顶部氮化物半导体层，其中上述第二顶部氮化物半导体层具有一第二p型掺杂；在所述第二顶部氮化物半导体层之上形成一栅极电极；利用所述栅极电极作为一刻蚀光掩膜，刻蚀所述第二顶部氮化物半导体层而形成一第五氮化物半导体层，其中所述栅极电极与所述第五氮化物半导体层直接接触；以及刻蚀所述第一顶部氮化物半导体层而形成一第三氮化物半导体层以及一第四氮化物
半导体层，且露出所述第一顶部氮化物半导体层，其中所述第五氮化物半导体层堆叠于所述第三氮化物半导体层之上。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第二氮化物半导体层之上形成一源极电极以及一漏极电极，其中所述源极电极以及所述漏极电极位于所述第三氮化物半导体层以及上述第四氮化物半导体层的相异两侧；以及在上述第四氮化物半导体层之上形成一第二漏极电极，其中所述第二漏极电极与所述第四氮化物半导体层直接接触，且所述漏极电极以及所述第二漏极电极相邻且相互电连接。9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二p型掺杂的浓度不小于所述第一p型掺杂的浓度，且其中所述第一氮化物半导体层包括gan，所述第二氮化物半导体层包括alxga1-xn，0<x<＝1，所述第一顶部氮化物半导体层包括具有所述第一p型掺杂的alyga1-yn，且0≤y≤1，所述第二顶部氮化物半导体层包括具有所述第二p型掺杂的alzga1-zn，且0≤z≤1。10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二顶部氮化物半导体层的厚度不小于所述第一顶部氮化物半导体层的厚度。

技术总结
本发明实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层以及第五氮化物半导体层。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层堆叠于基板上。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层之上且位于源极电极以及漏极电极之间，并具有第一P型掺杂。第五氮化物半导体层设置于第三氮化物半导体层之上，具有第二P型掺杂。具有第二P型掺杂。具有第二P型掺杂。


技术研发人员：陈柏安
受保护的技术使用者：新唐科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2023/2/17