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存储器系统中的动态读取电平阈值的制作方法

2023-03-25 14:27:52 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种系统,其包括:存储器装置;以及处理装置,其可操作地与所述存储器装置耦合以执行包括以下各项的操作:确定所述存储器装置的单元的第一当前操作特性值;从第一操作特性阈值集中识别第一操作特性阈值,其中所述第一当前操作特性值满足基于所述第一操作特性阈值的第一操作特性阈值准则;从多个写入到读取w2r延迟时间阈值集中识别对应于所述第一操作特性阈值的w2r延迟时间阈值集,其中所述集中的所述w2r延迟时间阈值中的每一者与相应读取电压电平相关联;从所述w2r延迟时间阈值集中识别w2r延迟时间阈值,对于所述w2r延迟时间阈值,所述存储器装置的所述单元的当前w2r延迟时间满足相关联w2r延迟时间阈值准则;以及识别与所识别的w2r延迟时间阈值相关联的读取电压电平。2.根据权利要求1所述的系统,所述操作进一步包括:基于与所述所识别的w2r延迟时间阈值相关联的所述读取电压电平,在所述存储器装置的所述单元处执行读取操作。3.根据权利要求1所述的系统,所述操作进一步包括:基于对所述存储器装置的所述单元执行的读取操作与所述读取操作之前的写入操作之间的时间差,确定所述存储器装置的所述单元的所述当前w2r延迟时间。4.根据权利要求1所述的系统,其中所述操作特性阈值中的每一者对应于具有由对应操作特性阈值指定的第一端点的相应操作特性范围。5.根据权利要求1所述的系统,其中所述集中的所述w2r延迟时间阈值中的每一者表示相应w2r延迟时间范围的端点,并且与所述集中的所述w2r延迟时间阈值中的每一者相关联的对应读取电压电平用于对所述存储器装置的具有在对应w2r延迟时间范围内的w2r延迟时间的单元执行读取操作。6.根据权利要求1所述的系统,其中所述w2r延迟时间阈值集是使用将操作特性阈值映射到w2r延迟时间阈值集的第一映射表识别的,其中所述第一映射表将每个操作特性阈值映射到对应w2r延迟时间阈值集。7.根据权利要求6所述的系统,其中所述第一映射表包括多个记录,每个记录包括特定操作特性阈值和对应w2r延迟时间阈值集,并且其中从多个w2r延迟时间阈值集中识别对应于所述第一操作特性阈值的w2r延迟时间阈值集包括:在所述第一映射表中识别包括所述第一操作特性阈值的记录,其中所述记录进一步包括所识别的w2r延迟时间阈值集。8.根据权利要求6所述的系统,其中所述第一映射表进一步将每个w2r延迟时间阈值集中的每个w2r延迟时间阈值映射到对应读取电压电平,并且与所述所识别的w2r延迟时间阈值相关联的所述读取电压电平是使用所述第一映射表识别的。9.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一当前操作特性值包括以下一或多者:所述存储器装置的所述单元的写入计数、操作温度、所述存储器装置的所述单元的层标识符,或所述存储器装置的所述单元的电距离。10.根据权利要求1所述的系统,所述操作进一步包括:
确定所述存储器装置的所述单元的第二当前操作特性值;从第二操作特性阈值集中识别第二操作特性阈值,其中所述第二当前操作特性值满足基于所述第二操作特性阈值的第二操作特性阈值准则;从多个w2r延迟时间偏移集中识别对应于所述第二操作特性阈值的w2r延迟时间偏移集,其中所述集中的所述w2r延迟时间偏移中的每一者与对应读取电压电平相关联;以及基于所述w2r延迟时间偏移集更新所述w2r延迟时间阈值集。11.根据权利要求10所述的系统,其中基于所述w2r延迟时间偏移集更新所述w2r延迟时间阈值集包括:将所述w2r延迟时间偏移集中的每个w2r延迟时间偏移添加到所述w2r延迟时间阈值集中的对应w2r延迟时间阈值。12.根据权利要求10所述的系统,其中对应于所述第二操作特性阈值的所述w2r延迟时间偏移集是使用将操作特性阈值映射到w2r延迟时间偏移集的第二映射表识别的,其中所述第二映射表将每个操作特性阈值映射到对应w2r延迟时间偏移集。13.根据权利要求10所述的系统,其中所述第二当前操作特性值包括以下一或多者:操作温度、所述存储器装置的所述单元的层标识符、所述存储器装置的所述单元的电距离,或所述存储器装置的所述单元的写入计数。14.一种非暂时性计算机可读媒体,其包括指令,所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置执行包括以下各项的操作:识别与存储器装置的单元相关联的当前循环计数;从循环计数范围集中识别包含所述当前循环计数的循环计数范围;从多个写入到读取w2r延迟时间范围集中识别对应于所述循环计数范围的w2r延迟时间范围集,其中所述w2r延迟时间范围中的每一者表示多个w2r延迟时间,并且与用于对具有在所述w2r延迟时间范围内的w2r延迟时间的所述存储器装置的单元执行读取操作的对应读取电压电平相关联;识别所述存储器装置的所述单元的w2r延迟时间,其中所识别的w2r延迟时间是基于由所述存储器装置的所述单元执行的写入操作与读取操作之间的时间差;从所述延迟时间范围集中识别包含所述存储器装置的所述单元的所述w2r延迟时间的w2r延迟时间范围;识别对应于所识别的w2r延迟时间范围的所述读取电压电平;以及基于所识别的读取电压电平在所述存储器装置的所述单元处执行读取操作。15.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述w2r延迟时间范围集是使用将循环计数范围映射到w2r延迟时间范围集的第一映射表识别的,其中所述第一映射表将每个循环计数范围映射到对应w2r延迟时间范围集。16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述第一映射表包括多个记录,每个记录包括特定循环计数范围和对应w2r延迟时间范围集,并且其中从多个w2r延迟时间范围集中识别对应于所述循环计数范围的w2r延迟时间范围集包括:在所述第一映射表中识别包括包含所述当前循环计数的所述循环计数范围的记录,其中所述记录进一步包括所识别的w2r延迟时间范围集。17.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述第一映射表进一步将每个w2r延迟时间范围集中的每个w2r延迟时间范围映射到对应读取电压电平,并且与所述
所识别的w2r延迟时间范围相关联的所述读取电压电平是使用所述第一映射表识别的。18.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读媒体,所述操作进一步包括:测量与所述存储器装置相关联的当前温度;从温度范围集中识别包含与存储器子系统相关联的所述当前温度的温度范围;从多个w2r延迟时间偏移集中识别对应于与所述存储器子系统相关联的所述当前温度的w2r延迟时间偏移集,其中所述w2r延迟时间偏移集中的每个w2r延迟时间偏移与对应读取电压电平相关联;以及基于所识别的w2r延迟时间偏移集调整所述w2r延迟时间范围集。19.根据权利要求18所述的非暂时性计算机可读媒体,其中基于所述所识别的w2r延迟时间偏移集调整所述w2r延迟时间范围集包括:将所述所识别的w2r延迟时间偏移集中的每个w2r延迟时间偏移添加到所述所识别的w2r延迟时间范围集中的每个w2r延迟时间范围的每个端点。20.一种方法,其包括:确定存储器装置的单元的第一当前操作特性值;从第一操作特性阈值集中识别第一操作特性阈值,其中所述第一当前操作特性值满足基于所述第一操作特性阈值的第一操作特性阈值准则;从多个写入到读取w2r延迟时间阈值集中识别对应于所述第一操作特性阈值的w2r延迟时间阈值集,其中所述集中的所述w2r延迟时间阈值中的每一者与相应读取电压电平相关联;从所述w2r延迟时间阈值集中识别w2r延迟时间阈值,对于所述w2r延迟时间阈值,所述存储器装置的所述单元的当前w2r延迟时间满足相关联w2r延迟时间阈值准则;以及识别与所识别的w2r延迟时间阈值相关联的读取电压电平。

技术总结
本公开涉及存储器子系统中的动态读取电平阈值。识别存储器装置的单元的当前操作特性值。从操作特性阈值集中识别操作特性阈值,其中所述当前操作特性值满足基于所述操作特性阈值的操作特性阈值准则。从多个写入到读取W2R延迟时间阈值集中识别对应于所述操作特性阈值的W2R延迟时间阈值集。所述集中的所述W2R延迟时间阈值中的每一者与对应读取电压电平相关联。从所述W2R延迟时间阈值集中识别与W2R延迟时间阈值准则相关联的W2R延迟时间阈值,其中所述存储器子系统的当前W2R延迟时间满足所述W2R阈值准则。识别与所识别的W2R延迟时间阈值相关联的读取电压电平。阈值相关联的读取电压电平。阈值相关联的读取电压电平。


技术研发人员:许中广 谢廷俊 郎慕蓉 周振明
受保护的技术使用者:美光科技公司
技术研发日:2022.08.08
技术公布日:2023/2/17
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