半导体存储装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体存储装置，包括：双系统电源路径，每个电源路径包括串联耦接的功率栅极晶体管和电流源晶体管；连接路径，连接各个电源路径的在所述电流源晶体管的一侧的端部；存储元件；以及开关元件，插入在所述连接路径与所述存储元件之间，其中在设置于所述双系统电源路径当中的低侧路径的所述电流源晶体管中，背栅耦接到内部节点。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，进一步包括控制电路，所述控制电路通过控制所述功率栅极晶体管、所述电流源晶体管和所述开关元件来选择所述双系统电源路径当中的一个，并通过使从选定的电源路径供应的电流经由所述开关元件流到所述存储元件来进行对所述存储元件的写入。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述内部节点是由p型半导体构成的，以及在设置于所述双系统电源路径当中的低侧路径的电流源晶体管中，所述背栅耦接到漏极。4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述内部节点是由p型半导体构成的，以及在设置于所述双系统电源路径当中的低侧路径的电流源晶体管中，所述背栅耦接到源极。5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述内部节点是由n型半导体构成的，在设置于所述双系统电源路径当中的低侧路径的电流源晶体管中，所述背栅耦接到漏极，以及当所述开关元件关断时，所述控制电路接通设置于所述低侧路径的所述功率栅极晶体管。6.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，设置于所述双系统电源路径当中的低侧路径的所述功率栅极晶体管包括背栅开关元件，所述背栅开关元件选择性地向所述背栅供应被供应给所述双系统电源路径的在所述功率栅极晶体管一侧的端部的电压。7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，当从所述双系统电源路径当中选择高侧路径时，所述控制电路控制所述背栅开关元件，以将供应给所述双系统电源路径当中的高侧路径的在所述功率栅极晶体管一侧的端部的所述电压供应给设置于所述双系统电源路径当中的低侧路径的所述功率栅极晶体管的背栅。8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，在设置于所述双系统电源路径当中的高侧路径的所述电流源晶体管中，所述背栅耦接到内部节点。9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，设置于所述双系统电源路径当中的低侧路径的所述电流源晶体管是薄膜晶体管。10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述存储元件是磁阻变化元件。11.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述控制电路包括执行反馈控制的电路，以允许当从所述双系统电源路径当中选择所述低侧路径来进行对所述存储元件的写
入时，设置于所述低侧路径的所述电流源晶体管的栅极电压成为预定电压。12.一种半导体存储装置，包括：第一电源路径，包括串联耦接的第一功率栅极晶体管和第一电流源晶体管；第二电源路径，包括第二功率栅极晶体管；连接路径，连接各个电源路径的端部；存储元件；以及开关元件，插入在所述连接路径与所述存储元件之间，其中在所述第二功率栅极晶体管中，背栅耦接到内部节点。13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，进一步包括控制电路，所述控制电路通过控制所述第一功率栅极晶体管、所述第二电流源晶体管、所述第二功率栅极晶体管和所述开关元件来选择所述双系统电源路径当中的一个，并通过使从选定的电源路径供应的电流经由所述开关元件流到所述存储元件来进行对所述存储元件的写入。14.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其中所述内部节点是由p型半导体构成的，以及在所述第二功率栅极晶体管中，所述背栅耦接到漏极。15.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其中，所述存储元件是磁阻变化元件。16.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其中，在设置于所述第一电源路径的所述电流源晶体管中，所述背栅耦接到所述内部节点。

技术总结
根据本公开的一个实施例的半导体存储装置包括：双系统电源路径；以及连接电源路径的连接路径。每个电源路径包括串联连接的功率栅极晶体管和电流源晶体管。连接路径连接电源路径的在电流源晶体管一侧的端部。该半导体存储装置进一步包括：存储元件；以及开关元件，连接到连接路径和存储元件。对于双系统电源路径，在设置于低侧路径的电流源晶体管中，背栅连接到内部节点。到内部节点。到内部节点。


技术研发人员：矶贝太志 芳贺亮
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2021.04.19
技术公布日：2023/2/13