磁共振线圈阵列和自补偿射频扼流圈的制作方法

技术特征：
1.一种用于磁共振系统的射频扼流圈(10)，包括：扼流圈壳体(12)，其具有环形外形，以及同轴电缆(14)，其中，所述同轴电缆(14)具有第一端(16)和第二端(18)并且被配置为承载具有b1激励场的所述磁共振系统的磁共振射频信号，其中，所述同轴电缆(14)在所述第一端(16)与所述第二端(18)之间的部分以自补偿绕线模式缠绕所述扼流圈壳体(12)，使得所述射频扼流圈(10)补偿所述b1激励场，其中，所述自补偿绕线模式包括第一绕线模式(20)和反向绕线模式(22)，所述第一绕线模式具有围绕所述环形外形的绕转表面的绕线，所述反向绕线模式具有围绕绕转轴线(24)并沿着所述环形外形的外周的至少一个绕线。2.根据权利要求1所述的射频扼流圈(10)，其中，所述扼流圈壳体(12)包括第一切口结构(26)和第二切口结构(28)，其中，所述第一切口结构(26)包括用于引导所述自补偿绕线模式的第一绕线模式(20)的多个切口(26a、26b、26c)，其中，每个切口(26a、26b、26c)位于包括所述环形外形的绕转轴线(24)的平面中，其中，所述第二切口结构(28)包括用于引导所述自补偿绕线模式的反向绕线模式(22)的另外的切口(28)，其中，所述另外的切口(28)位于垂直于所述环形外形的所述绕转轴线(24)并沿着所述环形外形的外周的平面中。3.根据权利要求1至2中的任一项所述的射频扼流圈(10)，其中，所述扼流圈壳体(12)包括开放切口和/或圆形中空开口。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的射频扼流圈(10)，其中，所述同轴电缆(14)是微型同轴电缆并且/或者所述环形外形具有12mm /-25％的直径和5mm /-25％的厚度。5.一种用于具有b1激励场的磁共振系统的磁共振线圈阵列(30)，包括：多个磁共振接收线圈(32)，其中，所述磁共振接收线圈(32)被配置为输出磁共振射频信号，输入-输出单元(34)，其中，所述输入-输出单元(34)被配置为接收所述磁共振射频信号，以及多根同轴电缆(14)，其将所述磁共振接收线圈(32)与所述输入-输出单元(34)互连，其中，所述同轴电缆(14)被配置为承载所述磁共振射频信号并且包括根据权利要求1至4中的任一项所述的射频扼流圈(10)。6.根据权利要求5所述的磁共振线圈阵列(30)，其中，所述射频扼流圈(10)是微型射频扼流圈(10)，并且所述同轴电缆(14)是微型同轴电缆(14)。7.根据权利要求5至6中的任一项所述的磁共振线圈阵列(30)，其中，所述同轴电缆(14)和/或所述射频扼流圈(10)是高阻抗的。8.根据权利要求5至7中的任一项所述的磁共振线圈阵列(30)，包括被配置为承载直流信号的直流电缆(36)，其中，所述直流电缆(38)包括直流扼流圈(38)，并且其中，所述直流扼流圈(38)被放置在所述射频扼流圈(10)的所述扼流圈壳体(12)的所述环形外形内部。9.根据权利要求5至8中的任一项所述的磁共振线圈阵列(30)，包括柔性支撑结构(40)，其中，所述多个磁共振接收线圈(32)以二维阵列的形式被布置在所述支撑结构(30)上和/或中，并且其中，所述射频扼流圈(10)和/或所述同轴电缆(14)被均匀布置在所述支
撑结构(40)上和/或中。10.根据权利要求9所述的磁共振线圈阵列(30)，其中，所述多个磁共振接收线圈(32)、所述射频扼流圈(10)和/或所述同轴电缆(14)通过缝合、胶粘、夹持和/或增材打印工艺被固定到所述支撑结构(40)。11.根据权利要求9或10所述的磁共振线圈阵列(30)，其中，所述射频扼流圈(10)被固定到所述支撑结构(40)，使得所述射频扼流圈(10)能关于所述支撑构件(40)旋转和/或倾斜(10)。

技术总结
本发明涉及磁共振系统的磁共振线圈阵列(30)，磁共振系统具有由自补偿射频扼流圈(10)实现的分布式电缆敷设。磁共振线圈阵列(30)包括多个磁共振接收线圈(32)、输入-输出单元(34)和将磁共振接收盘管(32)与输入-输出单元34互连的多根同轴电缆(14)。同轴电缆(14)包括自补偿射频扼流圈(10)。自补偿射频扼流圈(10)允许替换在常规的磁共振线圈阵列中使用的常规的大体积共振射频陷波器，并且允许实施分布式电缆敷设。自补偿射频扼流圈(10)包括具有环形外形的扼流圈壳体(12)以及同轴电缆(14)，其中，同轴电缆(12)以自补偿绕线模式缠绕扼流圈壳体(12)。自补偿绕线模式为磁共振系统的B1激励场提供补偿，并且不需要自补偿射频扼流圈(10)与B1激励场共振。激励场共振。激励场共振。


技术研发人员：C
受保护的技术使用者：皇家飞利浦有限公司
技术研发日：2021.06.18
技术公布日：2023/3/3