半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一鳍结构和第二鳍结构；在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上分别形成n型源极/漏极(s/d)区域和p型源极/漏极区域；在所述n型源极/漏极区域和所述p型源极/漏极区域上分别形成第一氧化停止层和第二氧化停止层；在所述第一氧化停止层和所述第二氧化停止层上分别外延生长第一半导体层和第二半导体层；将所述第一半导体层和所述第二半导体层分别转化为第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层；在所述p型源极/漏极区域上形成第一硅锗化物层；以及在所述第一硅锗化物层上和所述n型源极/漏极区域上形成第二硅锗化物层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一氧化停止层和所述第二氧化停止层包括在所述n型源极/漏极区域和所述p型源极/漏极区域上外延生长硅层。3.根据权利要求1所述的方法，其中，外延生长所述第一半导体层和所述第二半导体层包括在所述第一氧化停止层和所述第二氧化停止层上外延生长硅锗(sige)层。4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一半导体层和所述第二半导体层转化为所述第一半导体氧化物层和所述第二半导体氧化物层包括对所述第一半导体层和所述第二半导体层执行热氧化工艺。5.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一半导体层转化为所述第一半导体氧化物层包括将所述第一半导体层的第一部分转化为氧化硅(sio
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)层，以及将所述第一半导体层的第二部分转化为氧化硅锗(sigeo
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)层。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一硅锗化物层包括去除所述第二半导体氧化物层。7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一硅锗化物层包括去除所述第二氧化停止层。8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一硅锗化物层包括在所述第一半导体氧化物层上和所述p型源极/漏极区域上沉积p型功函金属(pwfm)层。9.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一鳍结构和第二鳍结构；在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上分别形成n型源极/漏极(s/d)区域和p型源极/漏极区域；在所述n型源极/漏极区域和所述p型源极/漏极区域上沉积硅化停止层；在所述p型源极/漏极区域上形成p型功函金属(pwfm)硅化物层；以及在所述p型功函金属硅化物层和所述n型源极/漏极区域上形成n型功函金属(nwfm)硅化物层。10.一种半导体器件，包括：衬底；第一鳍结构与第二鳍结构，设置在所述衬底上；
第一纳米结构层的堆叠件，设置在所述第一鳍结构的第一部分上；第二纳米结构层的堆叠件，设置在所述第二鳍结构的第一部分上；第一栅极结构，围绕所述第一纳米结构层的至少一个；第二栅极结构，围绕所述第二纳米结构层的至少一个；第一源极/漏极(s/d)区域和第二源极/漏极区域，分别设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的第二部分上；第一金属硅锗化物层，设置在所述第一源极/漏极区域上；第二金属硅锗化物层，设置在所述第一金属硅锗化物层和所述第二源极/漏极区域上；以及第一接触插塞和第二接触插塞，分别设置在所述第一金属硅锗化物层和所述第二金属硅锗化物层上，其中，所述第一接触插塞的金属与所述第二接触插塞的金属相同。

技术总结
公开了具有接触结构的不同配置的半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上形成第一鳍结构和第二鳍结构，在第一鳍结构和第二鳍结构上分别形成n型源极/漏极(S/D)区域和p型源极/漏极区域，在n型S/D区域和p型S/D区域上分别形成第一氧化停止层和第二氧化停止层，在第一氧化停止层和第二氧化停止层上分别外延生长第一半导体层和第二半导体层，将第一半导体层和第二半导体层分别转化为第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层，在p型S/D区域上形成第一硅锗化物层，以及在第一硅锗化物层和n型S/D区域上形成第二硅锗化物层。n型S/D区域上形成第二硅锗化物层。n型S/D区域上形成第二硅锗化物层。


技术研发人员：王振翰 林耕竹 洪宗佑
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.07.21
技术公布日：2022/12/5