用于快速量测恢复的精确真空窗视口和表膜的制作方法

技术特征：
1.一种系统，包括：量测系统，被配置为设置在第一环境中并且沿着所述量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量，其中所述第二环境不同于所述第一环境；以及窗口，被配置为被设置成与所述光轴相交并且被配置为：将所述量测系统与所述第二环境隔离；以及在辐射收集器的主焦点处，将相对于所述光轴的横向位移限制为与相对于所述光轴的标称横向位移相差小于约
±
50微米。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述主焦点位于距所述窗口约1米的距离处。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口被配置为：将所述横向位移限制为小于约
±
33微米。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口被配置为：将沿所述光轴的角偏差限制为与沿所述光轴的标称角偏差相差小于约
±
0.5弧分。5.根据权利要求4所述的系统，其中所述窗口被配置为：将所述角偏差限制为小于约
±
0.1弧分。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口被配置为：沿所述光轴，将纵向位移限制为与相对于所述主焦点的标称纵向位移相差小于约
±
330微米。7.根据权利要求6所述的系统，其中所述窗口被配置为：将所述纵向位移限制为小于约
±
200微米。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口包括：第一部件，被配置为被设置成与所述光轴相交；以及第二部件，被配置为被设置成与所述光轴相交并且与所述第一部件相对。9.根据权利要求8所述的系统，其中：所述第一部件包括视口；以及所述第二部件包括表膜。10.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口包括与标称楔角相差小于约
±
0.1弧分的楔角。11.根据权利要求10所述的系统，其中所述标称楔角是约零度。12.根据权利要求10所述的系统，其中所述标称楔角大于约零度。13.根据权利要求1所述的系统，其中所述量测系统是模块化量测系统。14.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口被配置为：在所述量测系统被安装在所述系统中时，将所述位移限制为小于约
±
50微米。15.根据权利要求1所述的系统，其中所述窗口被配置为：在无校准动作的情况下，将所述位移限制为小于约
±
50微米。16.一种窗口，包括：第一部件，被配置为被设置成与光轴相交；以及第二部件，被配置为被设置成与所述光轴相交并且与所述第一部件相对，其中所述窗口被配置为：沿着穿过所述第一部件和所述第二部件的所述光轴传输辐射；以及在辐射收集器的主焦点处，将相对于所述光轴的横向位移限制为与相对于所述光轴的
标称横向位移相差小于约
±
50微米。17.根据权利要求16所述的窗口，其中所述主焦点位于距所述窗口约1米的距离处。18.根据权利要求16所述的窗口，其中所述第一部件包括视口，并且其中所述第二部件包括表膜。19.根据权利要求16所述的窗口，其中所述窗口包括与标称楔角相差小于约
±
0.1弧分的楔角。20.一种方法，包括：在第一环境中设置量测系统，其中所述量测系统沿所述量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量，所述第二环境不同于所述第一环境；使用被设置成与所述光轴相交的窗口，将所述量测系统与所述第二环境隔离；以及基于所述窗口的设置，在辐射收集器的主焦点处，将相对于所述光轴的横向位移限制为与相对于所述光轴的标称横向位移相差小于约
±
50微米。

技术总结
提供了用于极紫外(EUV)辐射系统中的光学量测的系统、设备和方法。示例系统可以包括量测系统和窗口。示例量测系统可以被配置为被设置在第一环境中，并且沿着量测系统的光轴对第二环境中的区域执行一个或多个测量。示例窗口可以被配置为被设置成与光轴相交，并且将量测系统与第二环境隔离。示例窗口还可以被配置为在辐射收集器的主焦点处将相对于光轴的横向位移限制为与相对于光轴的标称横向位移相差小于约


技术研发人员：R
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2021.06.10
技术公布日：2023/3/3