异质结太阳能电池的制作方法

技术特征：
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括n型单晶硅片(1)，所述n型单晶硅片(1)正面依次沉积有正面本征非晶硅薄膜(2)、本征微晶硅薄膜(3)、n型掺杂微晶硅氧薄膜(4)、n型掺杂微晶硅薄膜(5)、正面tco膜层(6)和正面金属栅线层(7)，所述n型单晶硅片(1)背面依次沉积有背面本征非晶硅薄膜(8)、p型掺杂非晶硅薄膜(9)、背面tco膜层(10)和背面金属栅线层(11)。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面本征非晶硅薄膜(2)的沉积厚度为1-15nm。3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征微晶硅薄膜(3)的沉积厚度为0.2-5nm。4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂微晶硅氧薄膜(4)的沉积厚度为3-20nm。5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂微晶硅薄膜(5)的沉积厚度为1-10nm。6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面本征非晶硅薄膜(8)的沉积厚度为1-15nm。7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂非晶硅薄膜(9)的沉积厚度为2-10nm。8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面tco膜层(6)的沉积厚度为70-130nm。9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面tco膜层(10)的沉积厚度为70-120nm。

技术总结
本实用新型涉及一种异质结太阳能电池，属于太阳能电池制备技术领域。包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片正面依次沉积有正面本征非晶硅薄膜、本征微晶硅薄膜、n型掺杂微晶硅氧薄膜、n型掺杂微晶硅薄膜、正面TCO膜层和正面金属栅线层，所述N型单晶硅片背面依次沉积有背面本征非晶硅薄膜、p型掺杂非晶硅薄膜、背面TCO膜层和背面金属栅线层。通过设置n型掺杂微晶硅氧薄膜来与正面TCO膜层匹配，使得载流子的迁移率明显提高，降低了TCO薄膜电阻，也降低了与金属栅线之间的接触电阻，扩大了光学带隙，增加了光照利用率，同时降低了寄生吸收，大幅提升了异质结太阳能电池的光学性能。幅提升了异质结太阳能电池的光学性能。幅提升了异质结太阳能电池的光学性能。


技术研发人员：杨文亮 鲍少娟 杨立友 王继磊 黄金 师海峰 杨骥 任法渊 潘国鑫 李莎 吕霞
受保护的技术使用者：晋能光伏技术有限责任公司
技术研发日：2022.11.08
技术公布日：2023/2/23