显示设备的制作方法

技术特征：
1.一种显示设备，包括：电路基板，其包括驱动电路和第一接合电极；和像素阵列，其在所述电路基板上，所述像素阵列包括：发光二极管单元，其构成像素，所述发光二极管单元中的每一个包括顺序地堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，第二接合电极，其接合到所述第一接合电极，波长转换器，其在所述发光二极管单元的上表面上，上半导体层，其在所述发光二极管单元上，所述上半导体层具有围绕所述波长转换器的侧表面并将所述波长转换器彼此分离的分隔结构，钝化层，其从所述发光二极管单元的下表面延伸以覆盖所述发光二极管单元的侧表面，第一反射电极，其在所述发光二极管单元的侧表面上，所述第一反射电极通过所述钝化层与所述发光二极管单元间隔开、延伸到所述发光二极管单元之间的区域中，第二反射电极，其在所述发光二极管单元的下表面上并且分别连接到所述第二导电类型半导体层，公共电极，其在所述发光二极管单元的至少一侧上，以及焊盘电极，其在所述发光二极管单元外部并且电连接到所述驱动电路。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中：所述发光二极管单元按照列和行进行布置，并且所述第一反射电极是具有网格形状的单个层。3.根据权利要求2所述的显示设备，其中：所述发光二极管单元包括在一个方向上彼此相邻的第一发光二极管单元和第二发光二极管单元，并且所述第一反射电极从所述第一发光二极管单元的一个侧表面延伸到所述第二发光二极管单元的相对侧表面。4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一反射电极在与所述发光二极管单元的上表面垂直的方向上不与所述发光二极管单元中的每一个的所述有源层和所述第二导电类型半导体层重叠。5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一反射电极填充所述发光二极管单元中的相邻发光二极管单元之间的空间。6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述上半导体层连接到所述第一导电类型半导体层，并且包括与所述第一导电类型半导体层相同的材料。7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述上半导体层包括外延氮化物半导体层。8.根据权利要求1所述的显示设备，其中：所述电路基板还包括围绕所述第一接合电极的第一接合绝缘层，所述第一接合绝缘层限定所述电路基板的上表面，并且所述像素阵列还包括围绕所述第二接合电极的第二接合绝缘层，所述第二接合绝缘层限定所述像素阵列的下表面，并且所述第二接合绝缘层接合到所述第一接合绝缘层。9.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第二接合电极的一部分连接到所述第二反射电极，所述第二接合电极的所述一部分中的每一个具有第一高度，并且所述第二接合电极中的至少一个连接到所述公共电极，所述第二接合电极中的所述至少一个具有大于所述第一高度的第二高度。10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述上半导体层延伸到所述公共电极上。11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电类型半导体层在所述发光二极管单元之间彼此连接以限定单个层。12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述焊盘电极通过穿过所述上半导体层和所述第一导电类型半导体层的开口暴露。13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素阵列还包括：滤色器，其在所述波长转换器上；和微透镜，其在所述滤色器上。14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述微透镜中的每一个的直径大于所述发光二极管单元中的每一个的宽度。15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素中的每一个包括以拜耳图案布置的子像素。16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述像素阵列还包括连接到所述第一反射电极的欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述子像素中的四个相邻的子像素之间的中心部分中。17.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发光二极管单元的下表面与侧表面之间的角度为85度至95度。18.一种显示设备，包括：电路基板，其包括驱动电路；和像素阵列，其在所述电路基板上，所述像素阵列包括：多个像素，发光二极管单元，其构成所述多个像素，所述发光二极管单元中的每一个包括顺序地堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，波长转换器，其在所述发光二极管单元的上表面上，第一反射电极，其从所述发光二极管单元的侧表面延伸到所述发光二极管单元的外部，所述第一反射电极在所述发光二极管单元中的相邻发光二极管单元的侧表面中的相对的侧表面之间延伸并且具有沿着所述发光二极管单元中的所述相邻发光二极管单元之间的区域的网格形状，以及第二反射电极，其在所述发光二极管单元的下表面上并且分别连接到所述第二导电类型半导体层。19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述第一反射电极包括以倒u形延伸的多条线。20.一种显示设备，包括：电路基板，其包括驱动电路和第一接合电极；和像素阵列，其在所述电路基板上，所述像素阵列包括：
发光二极管单元，其构成多个像素，所述发光二极管单元中的每一个包括顺序地堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，第一反射电极，其在所述发光二极管单元中的相邻发光二极管单元之间的区域中，而不与所述发光二极管单元竖直地重叠，第二反射电极，其连接到所述第二导电类型半导体层，所述第二反射电极中的每一个位于所述发光二极管单元中的对应的一个发光二极管单元的下表面下方以与所述发光二极管单元竖直地重叠，波长转换器，其在所述发光二极管单元的上表面上，上半导体层，其具有围绕所述波长转换器的侧表面并将所述波长转换器彼此分离的分隔结构，公共电极，其在所述发光二极管单元的至少一侧上，以及第二接合电极，其接合到所述第一接合电极，所述第二接合电极的位于所述发光二极管单元外部的第一部分通过所述公共电极连接到所述第一反射电极，并且所述第二接合电极的第二部分直接连接到所述第二反射电极。

技术总结
一种显示设备包括：电路基板，其具有驱动电路和第一接合电极；以及像素阵列，其具有：LED单元，每个LED单元包括第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，并且有源层位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，在第一接合电极上的第二接合电极，在LED单元上的波长转换器，在LED单元上并且具有围绕波长转换器的侧表面并将波长转换器分离的分隔结构的上半导体层，在LED单元的侧表面上、通过钝化层与LED单元间隔开、并且在LED单元之间延伸的第一反射电极，在LED单元的下表面上并且连接到第二导电类型半导体层的第二反射电极，在LED单元的至少一侧上的公共电极，以及位于LED单元外部并且电连接到驱动电路的焊盘电极。电极。电极。


技术研发人员：延智慧
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.07.25
技术公布日：2023/2/17